パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計

業務内容

パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計・単結晶製造設備制御技術開発・ウェハ製造のための、生産技術開発・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝・開発技術の権利化【業務のやりがい・魅力】✓ 要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます✓ 自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます✓ システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます✓ 国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます✓ 社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます

職場情報

【採用背景】カーボンニュートラル社会を背景に車両の電動化市場拡大、それに伴うパワー半導体への市場ニーズも拡大しています。SiCプロジェクト室としては、その中核となるSiC半導体に対して、素子、システム、OEMからのニーズを対応した、ウェハの要素技術開発、製品設計、工程設計を一気通貫した業務を担っています。市場拡大のタイミングをしっかり掴まえて、社会の電動化に貢献できる高品質なSiC半導体を市場に供給するための技術確立、製品化を一緒に牽引してくれる開発・設計・製造分野での仲間を募集しています。【組織構成】20代~50代といった年齢層、開発、設計、製造といった経験をもつメンバーで構成された室となっています。半導体だけでなく、素材・化学分野からの転職者もおり、旧職の知見や経験を生かして活躍されています。

応募資格

・無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、かつ 以下いずれかのご経験をお持ちの方・半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方・無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持ちの方・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験を3年以上お持ちの方・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験を3年以上お持ちの方・半導体装置(結晶成長、加工、エピ)開発、設計を3年以上お持ちの方 下記のいずれかの知識・経験を有している方・気相反応(CVD)、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験・SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識・パワー半導体材料、単結晶に関する知識・技術開発における推進リーダ経験・海外企業との折衝経験・語学力(英語):海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル(TOEIC610点以上) 補足情報 【開発ツール】・Star-CCM(流体解析)・ANSYS(応力設計)【関連キーワード】・結晶成長・ウェハ製造・半導体設備・半導体製造・パワー半導体・SiC・CVD、気相成長・無機材料・単結晶

三重県いなべ市

正社員

650万円~1,430万円

※給与は経験・能力を考慮の上決定します。その他については募集要項をご確認ください。