半導体製造ラボ

公式求人詳細

シニア スタッフ デバイスエンジニア(パワーMOSFET)

ルネサスの公式求人。勤務地は東京都、採用区分は中途、職種カテゴリはプロセス / デバイスです。

分類・ページ生成
2026/07/27
求人DB生成
2026/07/25

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必須・歓迎・働き方

公式求人票の明記内容のみ

必須 応募条件

  • 半導体デバイスのプロセスインテグレーションに関する経験または知識半導体デバイスの信頼性物理に関する理解TCADによるプロセスおよびデバイスシミュレーションの経験(特に Sentaurus の使用経験があれば望ましい)英語:日常業務において支障なくコミュニケーションが取れるレベル(会話力)日本語:ビジネスレベルでのコミュニケーション能力

歓迎 あると活かせる経験

  • 製品マスクおよびテストマスクのレイアウト設計経験 (特に Cadence Virtuoso の使用経験があれば望ましい)実験計画法(Design of Experiments:DoE) に関する知識または実務経験マイクロエレクトロニクス分野における 構造解析および化学分析手法に関する実務レベルの理解パワーデバイスの試験および特性評価装置
  • 評価手法に関する 実務レベルの理解スイッチドモード電源(Switched-Mode Power)アプリケーションおよび それに起因する デバイスストレス に関する理解高耐圧VDMOSデバイスのエンジニアリング経験パワー半導体デバイスの製品開発に関する実務経験商業的に成功したパワーMOSFET製品の開発における実績 (量産
  • ビジネス面での成功実績が確認できること)半導体デバイス物理/固体物理に関する知識製品マスクおよびテストマスクのレイアウト設計経験 (特に Cadence Virtuoso の使用経験があれば望ましい)実験計画法(Design of Experiments:DoE) に関する理解および実務経験半導体デバイス分野における 構造解析および化学分析に関する基礎的な知識
  • 実務レベルの理解パワーデバイスの試験および特性評価装置
  • 手法に関する実務レベルの理解スイッチング電源(スイッチドモード電源)アプリケーションおよび それに起因する デバイスストレスに関する理解 Additional Informationルネサスは、「To Make Our Lives Easier 」(人々の暮らしを楽“ラク”にする)というPurposeの下、組み込み半導体ソリューションを提供します。高品質とシステムレベルノウハ…
  • IoT分野向けに、ハイパフォーマンスコンピューティング、組み込みプロセッシング、アナログ&コネクティビティ、そしてパワーを含めた幅広い製品ポートフォリオを軸とした、スケーラブルで包括的なソリューションを提供しています。 ルネサスは、30か国以上で22,000 人を超える多様性あふれる従業員と共に、限界に挑戦しながら、デジタライゼーションを通じてユーザエクスペリエンスを充実化さ…

働き方 勤務条件

勤務地
東京都
リモート
在宅・出社併用
勤務帯
記載なし
出張
記載なし
オンコール
記載なし
転居
記載なし
想定役割
記載なし
転勤
記載なし

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企業 × 関連工程

同社の公開求人全体

純増減 +24件

当DBの直近90日観測で、ルネサスは新規 24件・終了 0件。現在公開 24件です。

同職種の掲載給与

デバイスエンジニア

中央値 1,260万円

掲載年収レンジの中点を比較。給与確認済み 13件/同職種 32件です。

類似求人の必須スキル

デバイスエンジニア

  • プロセス開発 10件 31%
  • 業務英語 7件 22%
  • TCAD 2件 6%
  • 回路設計 2件 6%

新規・終了は当DBでの観測差分であり、市場成長や採用需要の増減を単独では示しません。 直近30日は収集対象拡張の影響を含みます。

企業公式情報から整理

募集要項

企業の公式採用ページまたは公式に委任された採用システムの公開情報を、項目別に整理しています。 確認できない条件は推測せず、公式募集要項への案内を表示します。

3/8 公式情報で確認できた項目

仕事内容

公式情報あり

募集背景

本チームは、PCP向けSPS(Smart Power Switch)用FETの設計を担っています。直近1年間で体制の変化があり、加えて新世代MV FET(REXFET2/REXFET3)の開発・展開も進行中です。

SPS FET事業は今後2年間で出荷数量が約3倍に拡大する見込みであり、事業成長を牽引する中核人材として、経験豊富なデバイスエンジニアを募集しています。【職務概要】12V~80V用途向けのスイッチングパワーMOSFETの開発において、 デバイス構想から量産・評価まで、製品ライフサイクル全体に携わるポジションです。高性能・高信頼性・量産性を両立したデバイス技術を開発し、事業および技術の両面で大きなインパクトを創出していただきます。【主な業務内容】高性能・高信頼性パワーMOSFETの新規デバイス構造の立案・開発デバイス性能、耐久性、コストを考慮した構造最適化プロセスエンジニアと連携した新規プロセスフロー・設計ルールの策定TCADシミュレーションを用いた設計検証および感度分析歩留まりに影響する設計・プロセスパラメータの特定と最適化CAD/レイアウトチームと協働したテストマスク・製品マスク設計分割実験(Split実験)の設計・評価・解析アプリケーション/テストエンジニアと連携した特性評価・試験手法の確立実測データ解析による課題抽出、デバイス設計・プロセス改善既存パワー半導体製品に対する技術サポート

※職務内容や勤務地の詳細・将来的な変更の可能性については、面接時にご説明します。

Qualifications【MUST】半導体デバイスのプロセスインテグレーションに関する経験または知識半導体デバイスの信頼性物理に関する理解TCADによるプロセスおよびデバイスシミュレーションの経験(特に Sentaurus の使用経験があれば望ましい)英語:日常業務において支障なくコミュニケーションが取れるレベル(会話力)日本語:ビジネスレベルでのコミュニケーション能力【WANT】製品マスクおよびテストマスクのレイアウト設計経験 (特に Cadence Virtuoso の使用経験があれば望ましい)実験計画法(Design of Experiments:DoE) に関する知識または実務経験マイクロエレクトロニクス分野における 構造解析および化学分析手法に関する実務レベルの理解パワーデバイスの試験および特性評価装置・評価手法に関する 実務レベルの理解スイッチドモード電源(Switched-Mode Power)アプリケーションおよび それに起因する デバイスストレス に関する理解高耐圧VDMOSデバイスのエンジニアリング経験パワー半導体デバイスの製品開発に関する実務経験商業的に成功したパワーMOSFET製品の開発における実績 (量産・ビジネス面での成功実績が確認できること)半導体デバイス物理/固体物理に関する知識製品マスクおよびテストマスクのレイアウト設計経験 (特に Cadence Virtuoso の使用経験があれば望ましい)実験計画法(Design of Experiments:DoE) に関する理解および実務経験半導体デバイス分野における 構造解析および化学分析に関する基礎的な知識・実務レベルの理解パワーデバイスの試験および特性評価装置・手法に関する実務レベルの理解スイッチング電源(スイッチドモード電源)アプリケーションおよび それに起因する デバイスストレスに関する理解 Additional Informationルネサスは、「To Make Our Lives Easier 」(人々の暮らしを楽“ラク”にする)というPurposeの下、組み込み半導体ソリューションを提供します。高品質とシステムレベルノウハウを兼ね備えた組み込み半導体のリーダーとして、自動車、産業、インフラ・IoT分野向けに、ハイパフォーマンスコンピューティング、組み込みプロセッシング、アナログ&コネクティビティ、そしてパワーを含めた幅広い製品ポートフォリオを軸とした、スケーラブルで包括的なソリューションを提供しています。

ルネサスは、30か国以上で22,000 人を超える多様性あふれる従業員と共に、限界に挑戦しながら、デジタライゼーションを通じてユーザエクスペリエンスを充実化させ、新たなイノベーションの時代を切り開いていきます。そして世界中の人々やコミュニティの未来のために、持続可能で省エネ効果の高いソリューションの開発に全力で取り組み、「To Make Our Lives Easier」を実現します。

ルネサスで実現できること キャリアをスタート、そしてキャリアアップ:4つのプロダクトグループをはじめ、さまざまな部門において技術職として、また幅広いビジネスの経験を積むことができます。ハードウェア、ソフトウェアの専門知識を深めたり、新しいことにチャレンジしたりする機会があります。

やりがいとインパクトのある仕事をする: 革新的な製品とソリューションの開発に関わることにより、世界中のお客様のニーズに応えると同時に、人々の生活をより便利で安全かつ安心なものにすることに貢献できます。

「ウェルビーイング」に焦点を置いた環境で最大限に能力を発揮する:ルネサスでは、リモートワーク制度などによる柔軟な勤務体制づくり、また従業員リソースグループの積極的な活動をサポートするなど、インクルーシブな職場環境構築を目指しています。従業員を第一に考えたカルチャーとグローバルなサポート体制が、入社後すぐに活躍できる環境を提供します。

自分の力で成功を掴み、キャリアを築く準備はできていますか? ルネサスで一緒に未来を形づくっていきましょう。当社では、ハイブリッド勤務モデルを採用しており、従業員は週に2日間リモートワークを行うことができます。同時に、残りの日はチームとしてオフィスに集まり、協働を強化しています。出社指定日は火曜日から木曜日で、イノベーション、コラボレーション、そして継続的な学習に取り組む日としています。

対象となる方

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当サイトが取得した公式公開情報では確認できません。応募前に最新の公式募集要項をご確認ください。

勤務時間

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給与

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待遇・福利厚生

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休日・休暇

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求人情報

求人名
シニア スタッフ デバイスエンジニア(パワーMOSFET)
会社名
ルネサス
半導体直接関連度
A:半導体直接職
職種カテゴリ
プロセス / デバイス
勤務地
東京都
都道府県
東京都
市区町村
小平市
地域区分
関東
公式記載の勤務地
東京都小平市
勤務地確認
通常
採用区分
中途
雇用形態
正社員
給与
公式募集要項で確認
求人取得日
2026/07/17
最終監査日
2026/07/17
掲載状態
募集中
公式募集要項
掲載元を開く

5軸分類

企業カテゴリ
IDM
職種ファミリー
プロセス / デバイス
具体職種
デバイスエンジニア
対象製品
対象製品未特定
関連工程・技術
工程未分類
半導体直接関連度
A:半導体直接職
関連職種
プロセス / デバイス / デバイスエンジニア
関連工程
工程未分類
関連技術
TCAD・デバイスシミュレーション / 物理設計・レイアウト
勤務地エリア
関東

一部分類項目は未確認です。公式募集要項と確認根拠を併せて確認してください。

半導体直接関連度の判定根拠

A:半導体直接職 — 半導体のデバイス・設計・工程・製造・装置・材料・検査・実装を直接担う仕事

判定の確度:A-high(対象・技術行為・成果物が求人票内で直接一致)

【募集背景】本チームは、PCP向けSPS(Smart Power Switch)用FETの設計を担っています。直近1年間で体制の変化があり、加えて新世代MV FET(REXFET2/REXFET3)の開発・展開も進行中です。 SPS FET事業は今後2年間で出荷数量が約3倍に拡大する見込みであり、事業成長を牽引する中核人材として、経験豊富なデバイスエンジニアを募集しています。【職務概要】12V~80V用途向けのスイッチングパワーMOS…

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