【山梨】半導体ウェハプロセス開発者(電子デバイス)

募集背景

5G/6G時代の無線通信の高周波化に伴い、基地局向け高出力・高効率GaN-HEMTデバイスの需要が拡大しています。プロセス開発体制を強化する必要があり、ウェハプロセス開発のエンジニアを募集します。即戦力採用を最優先としつつ、若手で専門性が多少異なっていても半導体の経験があれば再教育可能な環境を整えています。

ポジション概要

5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの製造に用いる半導体ウェハプロセスの開発を担うポジションです。個々のユニットプロセス(成膜、エッチング、フォトリソ等)の加工条件開発から、複数のプロセスを統合して製品化するインテグレーション業務まで、応募者のご経験に応じて幅広くご担当いただきます。具体的な仕事内容

■主な業務・GaN-HEMTトランジスタ用ウェハプロセスの開発(成膜、エッチング、フォトリソ等)・ユニットプロセスの加工条件開発・最適化・複数プロセスのインテグレーション(製品別の技術統合)・新規顧客要求・新製品に対応するプロセス開発

■業務の特徴・プロセスインテグレーションとユニットプロセス開発の両方の領域があり、ご経験に応じた配属が可能です。・結晶成長やデバイス設計との連携が日常的にあり、自分の技術が製品にどう活きるかが見えやすい環境です。(変更の範囲: 会社の定める業務)期待する役割・ミッションGaN-HEMTトランジスタのウェハプロセス開発における中核メンバーとしてご活躍いただくことを期待しています。応募者のスキル・ご経験に応じて、ユニットプロセスのスペシャリストまたはインテグレーションのリーダーとして柔軟に役割をご相談します。キャリアパス入社後、OJTを通じて当社固有の技術にキャッチアップいただき、数年後には担当領域の技術リーダーとしてご活躍いただけるよう成長を期待しています。部門間異動の自由度が高く、ユニットプロセス → プロセスインテグレーション → エピ成長技術 → モデリングなど、ご志向に応じて幅広いキャリアパスが選択可能です。各要素技術のスペシャリストとして深めるキャリアと、リーダー・課長クラスとして全体を見る力を養うキャリアの両方が開かれています。組織構成電子デバイス事業部 プロセス開発部GaN-HEMTのプロセス開発を担う部門です。プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、エピタキシャル結晶成長、モデリング・シミュレーション、素子設計・レイアウトといった要素技術機能が一つの部に集約されており、材料からトランジスタまで垂直統合された体制で機動的に技術開発を進めています。部門間の垣根を越えた会話がしやすく、隣の技術領域で自分の成果がどう使われるかが見えやすい環境です。本ポジションの魅力

■事業面の魅力【5G/6G時代の無線通信インフラを、最前線で支える】5G/6G時代の到来に伴い、無線通信の高周波化が急速に進んでいます。基地局向け高出力・高効率デバイスの市場は今後さらに拡大が見込まれており、当社の技術優位がそのまま事業成長に直結するフェーズにあります。通信インフラ全体の需要が伸びる領域であり、将来性の高い事業基盤のもとでキャリアを築けます。・GaN-HEMT業界で国内断トツのシェアと売上を持ち、海外のグローバル環境で活躍できます。・住友電工グループのスケールメリットを生かし、継続的に事業を拡大しています。・最終顧客と直接仕事ができる、デバイスメーカーならではの顧客近接性があります。

■技術開発環境の魅力【シリコン半導体とは異なる、全体を見渡せる開発体制】シリコン半導体の開発現場では、規模が大きく完全分業が一般的です(例:エッチング担当ならエッチングのみ)。個々の工程について深い専門性が磨かれる、技術者にとって面白い領域です。一方、当社の化合物半導体開発には別の面白さがあります。プロセス開発部にユニットプロセスからインテグレーション、結晶成長、モデリングまでの要素技術機能が集約されています。隣の技術領域を見れば、自分のユニット技術がどのトランジスタに使われるかが分かる。上流から下流まで全体を見渡しながら、製品全体を理解した上で開発に取り組める環境です。

■キャリア面の魅力・ユニットプロセス → プロセスインテグレーション → エピ成長技術 → モデリングなど、部門間異動の自由度が高く、総合力と広い視野を身につけられます。・本人希望があれば、顧客対応や製品の利用シーンにも視野を広げる機会があります。・住友電工グループの一員として、安定した経営基盤のもと長期的にキャリアを築けます。

応募資格 必須条件(MUST)下記いずれかに該当する方・化合物半導体(GaN、GaAs等)のウェハプロセス開発経験をお持ちの方・シリコン半導体、LED、SiC等のウェハプロセス開発経験をお持ちの方・半導体製造装置メーカーでのプロセス技術開発経験をお持ちの方歓迎条件(WANT)下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします・GaN-HEMTの開発経験・高周波デバイスに関する知識・プロセスインテグレーションのご経験・量産立ち上げ・歩留まり改善のご経験求める人物像・化合物半導体の技術開発に興味を持ち、5G/6G時代の通信インフラを支える仕事にやりがいを感じられる方・上流から下流まで全体を見渡しながら開発に取り組みたい方・チームで協力しながら粘り強く課題解決に取り組める方・腰を据えて長期的にキャリアを築きたい方【職種 / 募集ポジション】 【山梨】半導体ウェハプロセス開発者(電子デバイス)【雇用形態】 正社員【給与】年収 4,500,000円 〜 8,000,000円年収:450万円 〜 800万円/月給:28万円 〜 40万円

※経験・能力等を考慮し当社規定により決定 昇給:年1回(6月) 賞与:年2回(6月・12月)

※2025年度実績 5.3ヶ月 諸手当:通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当【勤務地】409-3883 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000山梨事業所最寄駅:JR 身延線 国母駅 (変更の範囲: 会社の定める場所)【その他】定年:65歳 試用期間:あり。3か月。

山梨県中巨摩郡昭和町

正社員