半導体製造ラボ SEMICONDUCTOR DATA LAB

公式求人詳細

Principal Medium Voltage (MV) Power MOSFET Process Integration Engineer

ルネサスの公式求人。勤務地は山形県、採用区分は中途、職種カテゴリはプロセス / デバイスです。

分類・ページ生成
2026/08/30
求人DB生成
2026/08/30

応募判断に必要な情報を先に確認

必須・歓迎・働き方

公式求人票の明記内容のみ

必須 応募条件

構造化できる必須条件の記載なし。公式募集要項をご確認ください。

歓迎 あると活かせる経験

歓迎条件の明記なし。

働き方 勤務条件

勤務地
山形県
リモート
記載なし
勤務帯
記載なし
出張
記載なし
オンコール
記載なし
転居
記載なし
想定役割
記載なし
転勤
記載なし

公式募集要項で最新条件を確認

求人市場で見るこのポジション

企業・同職種・必須スキルの比較

求人市場分析を見る

企業 × 関連工程

プロセスインテグレーション

純増減 +6件

当DBの直近90日観測で、ルネサスは新規 6件・終了 0件。現在公開 6件です。

同職種の掲載給与

インテグレーションエンジニア

給与確認済みが3件未満のため、中央値は表示しません。

類似求人の必須スキル

インテグレーションエンジニア

  • 業務英語 3件 12%

新規・終了は当DBでの観測差分であり、市場成長や採用需要の増減を単独では示しません。

企業公式情報から整理

募集要項

企業の公式採用ページまたは公式に委任された採用システムの公開情報を、項目別に整理しています。 確認できない条件は推測せず、公式募集要項への案内を表示します。

3/8 公式情報で確認できた項目

仕事内容

公式情報あり

We are looking for a highly motivated and skilled engineer to join our Medium Voltage (MV) Power Trench MOSFET Team. The successful candidate will play a key role in the design and development of next-generation MV shielded-gate trench MOSFET technologies. This role involves close collaboration with the design, application, and marketing teams, as well as external foundry partners, to drive innovation, optimize performance, and accelerate product industrialization.Key Responsibilities:Define and establish key process modules for next-generation MV shielded-gate trench MOSFET technologySet up key process modules required for the development of cutting-edge MV shielded-gate trench MOSFET technologiesPerform wafer probing and analyze assembled product performance data for each development cycleAnalyze wafer-level electrical test results and package-level performance data for each development iterationSupport derivative technology development based on proven technology platformsLead yield improvement activities and support technology transfer to mass productionContribute to the development of derivative products based on established and mature technology platforms Ph.D. (preferred) or M.S. in Electrical Engineering, Physics, or a related fieldUp to 15 years of experience in power semiconductor device or process development, preferably with a focus on Si-based MV shielded-gate trench MOSFETsSolid understanding of power device physics and semiconductor fabrication processesHands-on experience with TCAD tools and simulation-based device analysisIntermediate-level proficiency in both written and spoken English and Japanese Renesas is an embedded semiconductor solution provider driven by its Purpose, To Make Our Lives Easier. With a global team of over 21,000 engineers and problem solvers in more than 30 countries, we offer the opportunity to work on world‐leading technology for Automotive, Industrial, Infrastructure, and IoT, shaping a safer, healthier, greener, and smarter future.At Renesas, TAGIE is our culture, grounded in being Transparent, Agile, Global, Innovative, and Entrepreneurial. It shapes how we work, grow and deliver on our purpose together. This collaborative spirit and mindset drive our semiconductor technology to transform industries and impact millions of lives.We believe in rewarding our employees with a competitive benefits package alongside their salary. More information will be provided during the hiring process.Are you ready to join our team and shape the future with us?Renesas Electronics is an equal opportunity and affirmative action employer, committed to supporting diversity and fostering a work environment free of discrimination on the basis of sex, race, religion, national origin, gender, gender identity, gender expression, age, sexual orientation, military status, veteran status, or any other basis protected by law. For more information, please read our Diversity & Inclusion Statement.

対象となる方

公式ページで確認

当サイトが取得した公式公開情報では確認できません。応募前に最新の公式募集要項をご確認ください。

勤務時間

公式ページで確認

当サイトが取得した公式公開情報では確認できません。応募前に最新の公式募集要項をご確認ください。

給与

公式ページで確認

当サイトが取得した公式公開情報では確認できません。応募前に最新の公式募集要項をご確認ください。

待遇・福利厚生

公式ページで確認

当サイトが取得した公式公開情報では確認できません。応募前に最新の公式募集要項をご確認ください。

休日・休暇

公式ページで確認

当サイトが取得した公式公開情報では確認できません。応募前に最新の公式募集要項をご確認ください。

求人情報

求人名
Principal Medium Voltage (MV) Power MOSFET Process Integration Engineer
会社名
ルネサス
半導体直接関連度
A:半導体直接職
職種カテゴリ
プロセス / デバイス
勤務地
山形県
都道府県
山形県
地域区分
東北
公式記載の勤務地
山形県
勤務地確認
通常
採用区分
中途
雇用形態
雇用形態未取得
給与
公式募集要項で確認
求人取得日
2026/08/23
最終監査日
2026/08/23
掲載状態
募集中
公式募集要項
掲載元を開く
公式応募ページ
応募ページを開く

5軸分類

企業カテゴリ
IDM
職種ファミリー
プロセス / デバイス
具体職種
インテグレーションエンジニア
対象製品
対象製品未特定
半導体直接関連度
A:半導体直接職
関連職種
プロセス / デバイス / インテグレーションエンジニア
関連工程
プロセスインテグレーション
関連技術
未分類
勤務地エリア
東北

一部分類項目は未確認です。公式募集要項と確認根拠を併せて確認してください。

半導体直接関連度の判定根拠

A:半導体直接職 — 半導体のデバイス・設計・工程・製造・装置・材料・検査・実装を直接担う仕事

判定の確度:A-high(対象・技術行為・成果物が求人票内で直接一致)

:Define and establish key process modules for next-generation MV shielded-gate trench MOSFET technologySet up key process modules required for the development of cutting-edge MV shielded-gate trench MOSFET technologiesP…

類似求人

回答待ち 更新中 公開Q&A

このページの質問窓口

AIに疑問を送る

「匿名で送信する」を押して内容を送ると、受付ID付きの回答URLを発行します。URLでは進捗を追うことができ、通常は1日以内に回答します。個人情報を取り除いて編集した質問と回答だけを、承認済み資料の出典リンクとともに公開Q&A一覧へ掲載します。

通常、1日以内に回答します 回答待ち 更新中

  1. 匿名で送る 分かりにくい箇所、指摘、追加してほしい内容を書きます。
  2. 受付IDと回答URLを保存する 送信後に発行されるURLへ、進捗が順次反映されます。
  3. 進捗と回答を追う URLには、受付済み、回答作成中、解決済みの状態と回答が載ります。
公開Q&A一覧へ 5〜4,000文字。氏名・連絡先などの個人情報、秘密情報は入力禁止です。

このフォームは匿名です。氏名・連絡先・応募情報などの個人情報、秘密情報、社外秘情報、契約情報、非公開資料の入力は禁止です。投稿原文は運営用DBに保存し、公開面には、個人情報・秘密情報・危険な命令を除く安全審査と読みやすい文章への編集を経た質問文と回答だけを載せます。状態は「受付済み」「回答作成中」「解決済み」の3段階です。安全審査の結果によっては公開を保留します。サイト側の機械検査を通った内容だけを運営側のAI回答作成環境へ送り、回答案の作成と、それとは独立したAI審査に使います。機械検査には見落としの可能性があり、回答作成と審査の履歴は利用中の環境に保持されます。IPアドレスや端末情報は送信対象外です。回答URLは公開Q&A用で、共有先からも開けます。送信により、この利用条件と審査後のQ&A公開に同意したものとします。