必須 応募条件
- IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験 デバイス、プロセス設計、アナログ
- デジタル回路設計、量産展開経験 シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者(電界、拡散、応力、熱解析) ゲートドライバ設計経験 プロセス各工程の設計経験、デバイス
- 回路の電気的特性評価経験 各種半導体デバイスのテスト設計経験、量産テスタ立上経験 顧客向け資料作成、顧客との各種交渉経験 TOEIC500点以上が望ましい
公式求人詳細
設計職(IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計)
ミネベアパワーデバイスの公式求人。勤務地は東京都、採用区分は中途、職種カテゴリはプロセス / デバイスです。
- 分類・ページ生成
- 2026/07/27
- 求人DB生成
- 2026/07/25
応募判断に必要な情報を先に確認
必須・歓迎・働き方
歓迎 あると活かせる経験
歓迎条件の明記なし。
働き方 勤務条件
- 勤務地
- 東京都
- リモート
- 記載なし
- 勤務帯
- 記載なし
- 出張
- 記載なし
- オンコール
- 記載なし
- 転居
- 記載なし
- 想定役割
- 記載なし
- 転勤
- 記載なし
求人市場で見るこのポジション
企業・同職種・必須スキルの比較
企業 × 関連工程
半導体デバイス・製品開発（横断）
純増減 +1件当DBの直近90日観測で、ミネベアパワーデバイスは新規 1件・終了 0件。現在公開 1件です。
同職種の掲載給与
設計エンジニア
中央値 1,200万円掲載年収レンジの中点を比較。給与確認済み 95件／同職種 261件です。
類似求人の必須スキル
設計エンジニア
- 業務英語 61件 23%
- 回路設計 54件 21%
- Python 21件 8%
- CAD 18件 7%
- 機械設計 18件 7%
新規・終了は当DBでの観測差分であり、市場成長や採用需要の増減を単独では示しません。 直近30日は収集対象拡張の影響を含みます。
企業公式情報から整理
募集要項
企業の公式採用ページまたは公式に委任された採用システムの公開情報を、項目別に整理しています。 確認できない条件は推測せず、公式募集要項への案内を表示します。
4/8 公式情報で確認できた項目
仕事内容
公式情報あり職種及び業務内容: 設計職(IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計) パワーMOS、アナログIC、ディスクリート製品設計 チップデバイス、プロセス、アナログ・デジタル回路設計、マスクデータ、チップテスト仕様作成・立上 パワーモジュール構造、プロセス設計、各種シミュレーション ターゲットスペック、顧客PR、アプリケーション資料作成、顧客打合せ対応 応募資格: IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験 デバイス、プロセス設計、アナログ・デジタル回路設計、量産展開経験 シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者(電界、拡散、応力、熱解析) ゲートドライバ設計経験 プロセス各工程の設計経験、デバイス・回路の電気的特性評価経験 各種半導体デバイスのテスト設計経験、量産テスタ立上経験 顧客向け資料作成、顧客との各種交渉経験 TOEIC500点以上が望ましい 勤務地: 東京都港区 募集人数: 10名~20名 採用時期: 随時
対象となる方
公式情報あり応募資格 IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験 デバイス、プロセス設計、アナログ・デジタル回路設計、量産展開経験 シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者(電界、拡散、応力、熱解析) ゲートドライバ設計経験 プロセス各工程の設計経験、デバイス・回路の電気的特性評価経験 各種半導体デバイスのテスト設計経験、量産テスタ立上経験 顧客向け資料作成、顧客との各種交渉経験 TOEIC500点以上が望ましい
勤務地
公式情報あり東京都港区
勤務時間
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雇用形態
公式情報あり雇用形態未取得
給与
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待遇・福利厚生
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休日・休暇
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会社概要
企業DBと接続- 会社名
- ミネベアパワーデバイス
- 当サイト分類
- IDM
- 従業員数
- 83,256名
- 平均年齢
- 45歳
- 平均年間給与
- 762万円
- 指標時点
- 2025-03-31
求人情報
- 求人名
- 設計職(IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計)
- 会社名
- ミネベアパワーデバイス
- 半導体直接関連度
- A：半導体直接職
- 職種カテゴリ
- プロセス / デバイス
- 工程カテゴリ
- 半導体デバイス・製品開発（横断）
- 勤務地
- 東京都
- 都道府県
- 東京都
- 市区町村
- 港区
- 地域区分
- 関東
- 公式記載の勤務地
- 東京都港区
- 勤務地確認
- 通常
- 採用区分
- 中途
- 雇用形態
- 雇用形態未取得
- 給与
- 公式募集要項で確認
- 求人取得日
- 2026/07/18
- 最終監査日
- 2026/07/18
- 掲載状態
- 募集中
- 公式募集一覧
- 掲載元を開く
5軸分類
- 企業カテゴリ
- IDM
- 職種ファミリー
- プロセス / デバイス
- 具体職種
- 設計エンジニア
- 対象製品
- 対象製品未特定
- 関連工程・技術
- 半導体デバイス・製品開発（横断）
- 半導体直接関連度
- A：半導体直接職
- 関連職種
- プロセス / デバイス / 設計エンジニア
- 関連工程
- 半導体デバイス・製品開発（横断）
- 関連技術
- 熱・温調設計 / 電気・回路
- 勤務地エリア
- 関東
半導体直接関連度の判定根拠
A：半導体直接職 — 半導体のデバイス・設計・工程・製造・装置・材料・検査・実装を直接担う仕事
判定の確度：A-high（対象・技術行為・成果物が求人票内で直接一致）
: 設計職(IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計) パワーMOS、アナログIC、ディスクリート製品設計 チップデバイス、プロセス、アナログ・デジタル回路設計、マスクデータ、チップテスト仕様作成・立上 パワーモジュール構造、プロセス設計、各種シミュレーション ターゲットスペック、顧客PR、アプリケーション資料作成、顧客打合せ対応
職種・工程を深掘りする
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