半導体製造ラボ SEMICONDUCTOR DATA LAB

企業研究 エッチング / 薄膜形成 / MOCVD 半導体前工程・泛半導体装置メーカー

AMEC

企業研究 — エッチングを収益の軸に、薄膜とMOCVDへ広げる会社

FY2025の連結売上高は123.85億元。
エッチング装置売上は98.32億元で、研究開発投入は37.44億元です。

求人DBの会社ID対象外。応募入口は公式採用です。 雇用法人・勤務地国・就労言語・ビザ条件は公式募集要項の比較項目です。

AMECの公式製品・会社案内と、688012が提出したFY2025年次報告書を同じ表で比べます。 エッチング、LPCVD、MOCVDなどの製品段階と、連結の売上・研究開発・拠点投資を分けて照会します。

Verified 詳細企業研究 / 出典・主張リンク確認済み ページ確認日 2026-08-10

60秒で判断

候補に残す3つの基準

向いている入口 プラズマエッチング・プロセス開発

プラズマ、材料、微細加工、表面分析を学んだ人。

根拠と確認日出典一覧(9件)

公式 3件 / IR 4件 / 採用 2件。出典参照日 2026-08-10 / ページ確認日 2026-08-10

売上高成長率 +36.62 % FY2025 / 前年比
研究開発投入 37.44 億元 前年比52.65%増
営業CF 22.95 億元 前年比57.39%増
FY2025 地域別売上 連結売上高123.85億元 / 会社開示の地域3区分 / 年次報告書
  • 中国大陸 120.58億元
  • 台湾地区 2.15億元
  • その他の国・地域 1.11億元

01 立ち位置

何の会社として比べるか

AMECはエッチング装置を最大の収益軸とし、LPCVD・ALD・MOCVD・EPIへ工程範囲を広げています。 売上化済み、反復受注、顧客検証、開発中を区別します。

FY2025 連結実績

売上・利益・研究開発を同じ年度で測る

FY2025年次報告書↗
主要な財務数値億元 / FY2025
売上高123.85億元
研究開発投入37.44億元
親会社株主帰属純利益21.11億元

棒は売上高を100とした相対長さです。

製品

エッチングが大きく、LPCVDが伸びる

開示された製品別売上億元 / FY2025
エッチング装置98.32億元
LPCVD装置5.06億元

年次報告書が個別に示した2区分です。 残額の推計配分は対象外です。

CCP / ICP / TSV・MEMSエッチング

プラズマエッチング

Primo系のCCP・ICPプラットフォームを、ロジック、DRAM、3D NAND、TSV、MEMSの加工へ投入します。

  • Primo D-RIE
  • Primo AD-RIE
  • Primo Twin-Star
  • Primo TSV
公式製品情報↗
LPCVD / ALD / PVD・CVD統合

薄膜形成

LPCVDとALDを市場へ投入し、先端メモリ・ロジック向けの金属・誘電膜形成へ製品範囲を広げています。

  • LPCVD
  • ALD
  • PVD/CVD/ALD統合系
  • EPI
公式製品情報↗
LED・パワー半導体向けエピタキシャル成長

MOCVD

Prismo系MOCVDをLED・ディスプレイ・パワーデバイス向けへ展開します。

  • Prismo D-Blue
  • Prismo A7
  • Prismo HiT3
  • Prismo UniMax
公式製品情報↗

02 収益

どこで、どれくらい儲けているか

売上、親会社株主帰属純利益、営業キャッシュフローはいずれも増加しました。 研究開発投入も52.65%増えており、利益成長と新製品投資を一緒に比べます。

FY2025売上高

123.85億元

前年比36.62%増

FY2025年次報告書

親会社株主帰属純利益

21.11億元

前年比30.69%増

FY2025年次報告書

研究開発投入

37.44億元

売上高比30.23%

FY2025年次報告書

営業活動CF

22.95億元

前年比57.39%増

FY2025年次報告書

連結売上高の3年推移億元 / 688012年次報告書
62.64億元FY2023
90.65億元FY2024
123.85億元FY2025

人民元建ての連結通期実績です。

03 強みとリスク・検討点

強みと、リスク・検討点

FY2025年次報告書には、エッチングの収益規模、売上高の3割に相当する研究開発投入、稼働済みの大型拠点が併記されています。

強み

エッチングが大きな収益軸

FY2025のエッチング装置売上は98.32億元で、前年比35.12%増でした。

FY2025年次報告書 ↗
研究開発へ売上の3割を投入

研究開発投入は37.44億元、売上高比30.23%。 研究開発人員は1,548人です。

FY2025年次報告書 ↗
大型の生産・研究開発拠点が稼働

南昌約14万平方メートルは2023年7月、上海臨港約18万平方メートルは2024年8月に稼働したと報告されています。

FY2025年次報告書 ↗

リスク・検討点

中国大陸売上への集中

FY2025売上の97.36%が中国大陸です。 海外顧客の存在と当期の売上構成を分けて比べます。

FY2025年次報告書 ↗
研究開発費と製品化の時間差

20機種超の新装置を開発中で、研究開発投入は前年比52.65%増です。 顧客検証と収益化の時期は製品ごとに異なります。

FY2025年次報告書 ↗
拠点投資の実行負荷

臨港二期、広州、成都の建設計画が並びます。 稼働済み拠点と建設・計画段階を区別します。

FY2025年次報告書 ↗

04 待遇

給与、初任給、休日、手当

公式採用入口とESG報告は募集経路・人材育成を示しますが、全社共通の給与表、賞与月数、平均年収は未掲載です。 求人票ごとの条件照会が必要です。

応募前の一次情報
給与
公式公開情報で職種横断の給与表は未掲載です。 応募求人の条件を照会します。公式採用入口から募集へ進みます。
募集経路
2024年ESG報告は社会人、校园、実習、職業学校の経路を記載し、同年の新規採用869人、校园採用143人を示しています。
教育
年次報告書は専門・管理の複線型キャリアと中微学苑の研修を記載しています。 研修時間や配属は年度・職種で照会します。
勤務時間・休日
共通の所定時間、年間休日日数、在宅勤務条件は公開画面の照会範囲外です。
賞与・株式報酬
支給回数・月数、個人別の株式報酬条件は求人共通値として未開示です。
AMEC 採用↗
実際の募集を探す公式採用:AMECの募集職種応募先と募集条件の基準は、応募日の公式募集要項です。

05 勤務地と職種

どこで、どんな仕事をするか

本社は上海・金橋です。 生産・研究開発は上海臨港と南昌が稼働し、広州と成都は建設・計画段階です。 応募時は稼働済み拠点と将来配属候補を区別します。

主な勤務地・拠点
上海・金橋
浦東新区金橋総合保税区泰華路188号/ 本社・上場会社の主要オフィス
上海・臨港
約18万平方メートルの生産・研究開発基地/ 2024年8月稼働
江西省・南昌
約14万平方メートルの生産・研究開発基地/ 2023年7月稼働
広州・成都
華南・西南の研究開発・生産拠点/ 2027年稼働計画
公式採用の勤務地欄↗
装置開発の職種語
  • プラズマプロセス
  • 真空チャンバー
  • RF電源
  • 薄膜形成
  • MOCVD
  • 機械・電気設計
  • 装置ソフト
  • 顧客技術支援

製品群と年次報告書の研究開発内容から区分しています。

応募前の照会
  1. エッチング・薄膜・MOCVDから担当製品を1つ選ぶ
  2. 稼働済み拠点と建設中拠点を分けて希望勤務地を照会する
  3. 顧客工場での出張・立ち上げ対応の条件を求人票と面談で照会する
公式採用へ↗

公開求人: 求人DBの公開職種へ

公式採用情報↗

公式採用の募集職種 ↗

06 これから

会社が次に取りにいくもの

将来テーマは、エッチングの先端工程拡張、LPCVD・ALD・EPIの製品化、地域拠点の建設です。 顧客検証を量産売上と同一視は対象外です。

これからの材料
薄膜装置
LPCVDとALDは複数機種が市場へ入り反復受注を得ています。 一方、その他の薄膜装置には顧客検証前後の機種が含まれます。FY2025年次報告書の製品進捗を照会します。
EPI・パワー半導体
EPIは顧客の量産検証段階、SiC・GaNパワーデバイス向け装置は開発段階です。
拠点建設
臨港二期、広州、成都は将来の生産・研究開発能力を増やす計画です。 建設時期と稼働時期は変更可能性があります。
公式情報からの見立て

LPCVD・ALDの反復受注

年次報告書は、近年投入したLPCVDとALDの複数機種が市場へ入り、重要顧客から反復受注を得たと記載しています。

根拠資料↗

不確実性:機種別売上と顧客名は未開示です。

公式情報からの見立て

EPIとパワー半導体向け装置

EPIは顧客の量産検証段階で、SiC・GaNパワーデバイス向け装置も開発中です。

根拠資料↗

不確実性:量産認定と売上寄与の時期は未開示です。

公式情報からの見立て

広州・成都の地域拠点

広州の華南拠点は2027年稼働、成都一期も2027年稼働を計画しています。

根拠資料↗

不確実性:建設・稼働時期は計画値で、実績値とは別です。

07 入口を選ぶ

専攻から、入口を1つに絞る

製品名に加え、プラズマ・薄膜・熱流体・制御のどの変数を自分が担当できるかを選んで職種へ結びます。

プロセス

プラズマエッチング・プロセス開発

CCP・ICP装置で膜種、選択比、形状、ダメージを詰める仕事です。

  • CCP
  • ICP
  • 選択比
  • 高アスペクト比
装置開発

真空・機械・電気設計

チャンバー、RF、ガス、搬送、温度制御を装置へ統合します。

  • 真空
  • RF
  • ガス供給
  • 搬送
制御・情報

装置ソフトウェア・データ

工程レシピ、装置シーケンス、センサーログ、工場通信を手掛けます。

  • レシピ
  • C++
  • SECS/GEM
  • ログ
応募前の3手
  1. Primoエッチング / LPCVD・ALD / Prismo MOCVDから担当したい製品を1つ選ぶ
  2. 研究・実務で管理した選択比、膜厚、温度、圧力、稼働率の値を1つ用意する
  3. 公式採用入口で募集法人・勤務地・顧客対応条件を求人票へ対比する
公式採用へ↗
面接で使う技術語
  • CCP
  • ICP
  • 選択比
  • 高アスペクト比
  • プラズマ
  • 真空
  • RF
  • ガス供給
  • 搬送
  • 熱設計

装置の物理量と自分の実験・設計経験を結ぶ語です。

比較

他社との違いを一言で

プラズマエッチング

Lam Research

誘電体・導体・高アスペクト比エッチングで重なります。 AMECはFY2025のエッチング装置売上を明示しており、同じ年度と通貨へそろえます。

エッチングと薄膜形成の製品幅

Applied Materials

エッチング、CVD、ALDなどで重なります。 工程別の製品棚と顧客検証段階を比較軸にします。

エッチング・成膜・周辺工程

東京エレクトロン

前工程の複数装置で重なります。 AMECはエッチングを収益の軸に薄膜へ拡張中という構成です。

MOCVD

Aixtron

LED・パワー半導体向けMOCVDで比較対象になります。 AMECのMOCVDとエッチングは製品群ごとに分けて比べます。

参照資料一覧へ →

出典

公式情報と第三者資料

会社、IR、採用、報道の種別を分けて掲載しています。 参照日は2026-08-10です。

  • 公式 AMEC 公式サイト 参照日 2026-08-10
  • 公式 AMEC 公式会社・製品案内 参照日 2026-08-10
  • 公式 AMEC 公式情報 Sheet 参照日 2026-08-10
  • 採用 AMEC 採用 参照日 2026-08-10
  • 採用 AMEC 2024 ESG報告(人材・採用) 中微公司2024年环境保护、社会责任及公司治理报告 / FY2024 / 公表 2025-04-21 / AMECグループ / PDF p.76 人材採用 / zh-CN 参照日 2026-08-10
  • IR FY2025年次報告書 中微半导体设备(上海)股份有限公司2025年年度报告 / FY2025 / 公表 2026-03-31 / AMEC(688012)と連結子会社 / PDF p.24–25, p.40, p.57–60, p.65 / zh-CN 参照日 2026-08-10
  • IR FY2024年次報告書 中微半导体设备(上海)股份有限公司2024年年度报告 / FY2024 / 公表 2025-04-18 / AMEC(688012)と連結子会社 / PDF 主要会計データ・経営分析 / zh-CN 参照日 2026-08-10
  • IR FY2023年次報告書 中微半导体设备(上海)股份有限公司2023年年度报告 / FY2023 / 公表 2024-03-19 / AMEC(688012)と連結子会社 / PDF 主要会計データ・経営分析 / zh-CN 参照日 2026-08-10
  • IR 2026年第1四半期報告書 中微半导体设备(上海)股份有限公司2026年第一季度报告 / Q1 2026 / 公表 2026-04-28 / AMEC(688012)と連結子会社 / PDF 主要会計データ / zh-CN 参照日 2026-08-10
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