半導体製造ラボ SEMICONDUCTOR DATA LAB

企業研究 装置 / 成膜 ALD、エピタキシー、SiC成膜

ASM International

原子層成膜とエピタキシーで、膜を一層ずつ作る

ALDを中核に、CVD、シリコン/SiCエピタキシー、表面改質を先端ロジック・メモリへ供給する成膜装置会社です。 旧LPEは2022年に完全子会社化され、現在はASMのSiCエピタキシー製品ユニットです。
2工程の2023年シェアから、強みと仕事を読み解きます。

求人DBの会社ID対象外。応募入口は公式採用です。 雇用法人・勤務地国・就労言語・ビザ条件は公式募集要項の比較項目です。

ASM Internationalの公式会社・製品情報経済産業省の2023年工程別シェアを同じ表で比較します。 公開数値には開示範囲を、当サイトの見通しには不確実性を添えています。

Verified 詳細企業研究 / 出典・主張リンク確認済み ページ確認日 2026-08-03

60秒で判断

候補に残す3つの基準

向いている入口 ALD / Epitaxyプロセス

界面化学、薄膜、材料、化学工学、物理、結晶成長、分析測定を学んだ人。

根拠と確認日出典一覧(10件)

公式 5件 / IR 3件 / 採用 1件 / 第三者 1件。出典参照日 2026-08-03 / ページ確認日 2026-08-03

2023年図の掲載工程 2 工程 CVD / LPE
首位工程 1 工程 掲載工程内の2023年値
最大シェア 55 % 掲載工程内の最大値
参考:掲載工程の市場規模構成 工程市場規模 / 会社売上とは別指標 / METI p.5・2023年
  • CVD 20,218億円
  • LPE 1,891億円

01 立ち位置

何の会社として比べるか

2023年図はCVD欄でASM International 12%、LPE工程欄でASM International 48%とLPE 7%を別行表示しています。 LPEは2022年10月にASMが全株取得しました。 企業研究ページの市場表示はCVDとLPEの2工程で、LPE欄の55%は現行グループ換算の参考値です。

2023年の第三者集計

どの工程で、どれだけ取っているか

14工程を比べる→
ASM Internationalの工程別シェアMETI p.5 / 2023年
CVD12%
20,218億円 / 2023年
LPE55%
LPE 7% + ASM International 48%(現行グループ合算)

丸め値。 市場規模とシェアは経済産業省資料、製品範囲は各社公式ページを参照。 元データ: グローバルネット(株)「世界半導体製造装置・試験/検査装置市場年鑑2024」を基にMETIが作成。

代表工程:CVD20,218億円 / 2023年
Applied Materials47%
Lam Research16%
ASM International12%
東京エレクトロン7%
ALD / PEALD成膜装置

Atomic Layer Deposition

熱ALDとプラズマALDで、3D構造へ均一な極薄膜を原子層単位で形成します。

  • XP4 EmerALD
  • XP4 Pulsar
  • XP8 Synergis
公式製品情報↗
シリコン・SiCエピタキシー装置

Epitaxy / SiC

シリコン系と旧LPE由来のSiC装置で、結晶品質、膜厚、ドーピングを制御します。

  • Epsilon 2000
  • Intrepid ES
  • PE1O6A
  • PE1O8
公式製品情報↗

02 収益

どこで、どれくらい事業価値を作るか

2026年Q1 売上 €862.5m、2026年Q1 純利益 €238.5mを開示区分のまま掲載し、2023年市場規模は会社業績と別欄に分けています。

2026年Q1 売上

€862.5m

粗利率53.3%、調整後営業利益率33.1%

ASM Q1 2026 results

2026年Q1 純利益

€238.5m

四半期実績。 通期値とは区別する

ASM Q1 2026 results

掲載工程の市場規模億円 / 2023年
CVD20,218億円
ASM International 12%
LPE1,891億円
ASM International 55%

市場規模と会社売上を別の比較軸として掲載しています。

03 強みとリスク・検討点

強みと、リスク・検討点

「熱ALDとPEALDを複数プラットフォームで持つ」「シリコンとSiCのエピタキシー装置をそろえる」を競争力、「上位顧客への売上集中」「輸出規制とSiC設備投資の変動」を投資・応募前の検討点として比較します。

強み

熱ALDとPEALDを複数プラットフォームで持つ

XP4 EmerALD、XP4 Pulsar、XP8 Synergisを使い、先端ロジックとDRAMの3D構造へ原子層単位の膜を形成します。

ASM ALD ↗
シリコンとSiCのエピタキシー装置をそろえる

Epsilon 2000、Intrepid ESと、旧LPE由来のPE1O6A、PE1O8、PE2O8を同じEpitaxy製品群で展開します。

ASM epitaxy ↗

リスク・検討点

上位顧客への売上集中

2025年度は上位10社が売上の72.3%、上位5社が53.6%を占め、2社がそれぞれ全社売上の10%を超えました。

ASM Annual Report 2025 ↗
輸出規制とSiC設備投資の変動

輸出許可と地域別販売規制が出荷可能な装置構成を変えます。 SiCエピタキシーはパワー半導体顧客の増産、在庫、認定時期に受注が連動します。

ASM Annual Report 2025 ↗

04 採用条件

採用条件と公式情報

ASM International N.V.の採用窓口と、ALD / Epitaxyプロセス、装置 / 制御ソフト、フィールド / プロダクトの入口を掲載します。 給与・制度の比較基準は、応募日の公式募集要項です。

応募前の一次情報
公式の採用窓口
欧州・米国・アジアの15主要拠点で、プロセス、機械、電気、ソフトウェア、製品管理、サービスの人材を採用します。募集職種・応募条件の基準は応募日の公式要項です。
公式要項の比較項目
比較項目は基本給、賞与・変動給、勤務時間、休日、勤務地、雇用法人です。 掲載値は公式開示値です。
比較単位
ASM International N.V.、親会社、海外法人の数値を比較するときは、法人名・年度・通貨・実績/予定をそろえます。
ASM careers↗
実際の募集を探す公式採用:ASM Internationalの募集職種応募先と募集条件の基準は、応募日の公式募集要項です。

05 勤務地と職種

どこで、どんな仕事をするか

オランダ・アルメレ、米国、日本・アジア、欧州の開発・製造拠点を主な採用拠点とし、ALD / Epitaxyプロセス、装置 / 制御ソフト、フィールド / プロダクトを製品群ごとに分けます。

主な勤務地・拠点
拠点1
オランダ・アルメレ/ 本社・主要拠点
拠点2
米国
拠点3
日本・アジア
拠点4
欧州の開発・製造拠点
公式採用の勤務地欄↗
技術

ALD / Epitaxyプロセス

前駆体反応、プラズマ、表面終端、結晶成長を測定し、膜厚、組成、均一性、欠陥密度を量産仕様へ整える仕事。

  • ALD
  • Epitaxy
  • Surface chemistry
  • Thin film
制御・情報

装置 / 制御ソフト

真空、前駆体・ガス供給、プラズマ、ウェーハ温度、搬送を同期し、ALDサイクルとEpitaxy成長を再現する仕事。

  • Vacuum
  • Plasma
  • Gas delivery
  • Control
顧客接点

フィールド / プロダクト

顧客Fabで膜質と装置稼働を認定し、レシピ変更、保守データ、次世代材料要求を製品仕様へ反映する仕事。

  • Application
  • Product
  • Qualification
  • Service

公開求人: 求人DBの公開職種へ

公式採用情報↗

公式採用の募集職種 ↗

06 これから

会社が次に取りにいくもの

「GAA・DRAM/HBMの3D構造へALDを広げる」、「旧LPEのSiC装置をASMの量産基盤へ統合する」を成長材料とし、各テーマに顧客認定・供給・投資時期の不確実性を添えています。

公式情報からの見立て

GAA・DRAM/HBMの3D構造へALDを広げる

複雑な高アスペクト比構造へ均一膜を形成するALDの用途を、先端ロジックとメモリで拡大します。

根拠資料↗

不確実性:顧客のノード移行、材料選択、設備投資時期で採用速度は変わります。

公式情報からの見立て

旧LPEのSiC装置をASMの量産基盤へ統合する

PE1O6A、PE1O8、PE2O8をASMのEpitaxy製品として展開し、SiC基板の結晶成長へ入ります。

根拠資料↗

不確実性:EV・パワー半導体の需要調整と顧客認定に左右されます。

07 入口を選ぶ

専攻から、入口を1つに絞る

Atomic Layer Depositionで使う薄膜プロセス・真空・ガス・プラズマと、ALD / Epitaxyプロセス、装置 / 制御ソフト、フィールド / プロダクトから応募する1職種を選びます。

技術

ALD / Epitaxyプロセス

界面化学、薄膜、材料、化学工学、物理、結晶成長、分析測定を学んだ人。

  • ALD
  • Epitaxy
  • Surface chemistry
  • Thin film
制御・情報

装置 / 制御ソフト

真空機器、流体、熱、電気電子、プラズマ、組み込み制御、装置ソフトの設計・開発経験がある人。

  • Vacuum
  • Plasma
  • Gas delivery
  • Control
顧客接点

フィールド / プロダクト

プロセス認定、装置立ち上げ、データ解析、顧客折衝、製品企画の経験を持つ人。

  • Application
  • Product
  • Qualification
  • Service
応募前の3手
  1. XP4 EmerALD / XP4 Pulsarから担当製品を1つ選ぶ
  2. 前駆体飽和曲線、膜厚、組成、欠陥密度、結晶品質を数値で示す。
  3. オランダ・アルメレ / 米国の募集職種と応募条件を公式要項からノートへ転記する
公式採用へ↗
面接で使う技術語
  • ALD
  • Epitaxy
  • Surface chemistry
  • Thin film
  • Vacuum
  • Plasma
  • Gas delivery
  • Control
  • Application
  • Product

Atomic Layer Depositionの性能指標と実務経験を結ぶための語です。

競合比較

ASM Internationalの掲載工程で競合を比較する

CVD

Applied Materials

CVDの2023年値はApplied Materials 47%、ASM International 12%で、差は35ポイント上です。 比較条件はMETI p.5の同じ工程分類です。

CVD

Lam Research

CVDの2023年値はLam Research 16%、ASM International 12%で、差は4ポイント上です。 比較条件はMETI p.5の同じ工程分類です。

CVD

東京エレクトロン

CVDの2023年値は東京エレクトロン 7%、ASM International 12%で、差は5ポイント下です。 比較条件はMETI p.5の同じ工程分類です。

LPE

NAURA

LPEの2023年値はNAURA 13%、ASM International 55%で、差は42ポイント下です。 比較条件はMETI p.5の同じ工程分類です。

比較根拠:経済産業省「半導体・デジタル産業戦略の現状と今後」 p.5(2023年値) ↗ このページの出典一覧へ →

出典

公式情報と第三者集計

企業の公式会社・製品・IR・採用情報と、METI p.5掲載の2023年丸め値を種別表示。 元データ: グローバルネット(株)「世界半導体製造装置・試験/検査装置市場年鑑2024」を基にMETIが作成。 参照日は2026-08-03です。

企業情報へ戻る ASM Internationalの会社・求人データへ Atomic Layer Deposition、Epitaxy / SiCとALD / Epitaxyプロセス、装置 / 制御ソフト、フィールド / プロダクトを、当サイトの会社情報・公開求人と比べます。 →
回答待ち 更新中 公開Q&A

このページの質問窓口

AIに疑問を送る

「匿名で送信する」を押して内容を送ると、受付ID付きの回答URLを発行します。URLでは進捗を追うことができ、通常は1日以内に回答します。個人情報を取り除いて編集した質問と回答だけを、承認済み資料の出典リンクとともに公開Q&A一覧へ掲載します。

通常、1日以内に回答します 回答待ち 更新中

  1. 匿名で送る 分かりにくい箇所、指摘、追加してほしい内容を書きます。
  2. 受付IDと回答URLを保存する 送信後に発行されるURLへ、進捗が順次反映されます。
  3. 進捗と回答を追う URLには、受付済み、回答作成中、解決済みの状態と回答が載ります。
公開Q&A一覧へ 5〜4,000文字。氏名・連絡先などの個人情報、秘密情報は入力禁止です。

このフォームは匿名です。氏名・連絡先・応募情報などの個人情報、秘密情報、社外秘情報、契約情報、非公開資料の入力は禁止です。投稿原文は運営用DBに保存し、公開面には、個人情報・秘密情報・危険な命令を除く安全審査と読みやすい文章への編集を経た質問文と回答だけを載せます。状態は「受付済み」「回答作成中」「解決済み」の3段階です。安全審査の結果によっては公開を保留します。サイト側の機械検査を通った内容だけを運営側のAI回答作成環境へ送り、回答案の作成と、それとは独立したAI審査に使います。機械検査には見落としの可能性があり、回答作成と審査の履歴は利用中の環境に保持されます。IPアドレスや端末情報は送信対象外です。回答URLは公開Q&A用で、共有先からも開けます。送信により、この利用条件と審査後のQ&A公開に同意したものとします。