企業研究 メモリ / 製造 NANDフラッシュ・SSD
KIOXIA
企業研究 — データを記憶する半導体をつくる会社
NAND型フラッシュメモリを発明したメモリメーカー。
売上の約6割をSSD & ストレージ用途が占めます。
キオクシアの公式メモリ製品情報とFY2026/03決算短信を同じ表に掲載します。 四半期ガイダンスは実績と別の欄に分け、公式採用ページの募集要項には参照日を付けています。
Verified 詳細企業研究 / 出典・主張リンク確認済み ページ確認日 2026-08-05
60秒で判断
候補に残す3つの基準
物理、化学、材料、電気電子、機械の専攻または半導体プロセスの実務がある人。
公式 9件 / IR 4件 / 採用 3件。出典参照日 2026-08-05 / ページ確認日 2026-08-05
- SSD & ストレージ 1兆3,626億円
- スマートデバイス 7,600億円
- その他 2,150億円
01 立ち位置
何の会社として比べるか
キオクシアは、NAND型フラッシュメモリと、それを載せたSSDを量産するメーカーです。 報告セグメントはメモリ事業の1つなので、公式の用途別区分と全社の利益を同じ年度で比べます。
用途別の売上と、全社の利益を同じ年度で比べる
報告セグメントはメモリ事業の単一セグメントで、決算短信は売上収益を用途別に区分します。
棒の長さは売上収益を100とした相対値です。 営業利益率37.2%は決算短信の記載値です。
直近3か月で、どの用途が伸びているか
決算説明会資料には、データセンター・エンタープライズ向けが売上構成比の6割超と記されています。
3か月の実績です。 通期の実績とは期間が異なります。
3次元フラッシュメモリ
3次元フラッシュメモリBiCS FLASHは、板状の電極と絶縁体を交互に積み上げ、垂直に穴を開けて電荷蓄積膜と柱状電極を埋め込む一括加工技術で作られます。 218層の第8世代BiCS FLASHは、AIサーバー・データセンター向けの2Tb製品を実現しています。
- BiCS FLASH
- XL-FLASH
組み込み式フラッシュメモリ
民生・産業機器向けUFSとe-MMC、車載用UFS、改ざん防止機能付きSDメモリカードを持ちます。 コントローラを内蔵し、ホストプロセッサの負荷軽減と開発期間の短縮に対応する製品群です。
- 民生・産業機器用UFS & e-MMC
- 車載用UFS
- 改ざん防止機能付きSDメモリカード
エンタープライズ・データセンターSSD
エンタープライズSSDはKIOXIA CM／LC／PMシリーズ、データセンターSSDはKIOXIA CD／NX／XDシリーズで構成され、2.5インチとE1.S、E3.S、E3.Lのフォームファクタに対応します。 高性能、低遅延、高信頼性、低消費電力を軸にした製品群です。
- KIOXIA CMシリーズ
- KIOXIA LCシリーズ
- KIOXIA PMシリーズ
- KIOXIA CDシリーズ
クライアントSSD
クライアントSSDはKIOXIA EG／BG／XGシリーズで、M.2 2230から2280までのモジュールをそろえます。 ウルトラモバイルPC、AI PC、薄型高性能ノートPCの用途に向けた小型・軽量・低消費電力の製品群です。
- KIOXIA EGシリーズ
- KIOXIA BGシリーズ
- KIOXIA XGシリーズ
02 収益
どこで、どれくらい儲けているか
FY2026/03は連結売上収益2兆3,376億円に対し営業利益8,704億円。 増収の要因として決算短信が挙げるのは、生成AI用途を中心としたデータセンター向け需要による平均販売単価の上昇と、出荷量の増加です。
2兆3,376億円
前期比6,312億円増（37.0%増）。 生成AI用途を中心としたデータセンター向け需要による平均販売単価の上昇と出荷量の増加が要因と決算短信に記されています。
8,704億円
前期比4,186億円増（92.7%増）。 税引前利益は7,841億円、当期利益は5,545億円で、売上収益営業利益率37.2%は決算短信の記載値です。
SSD & ストレージ 1兆3,626億円 / スマートデバイス 7,600億円 / その他 2,150億円
報告セグメントはメモリ事業の単一セグメントで、決算短信は売上収益を用途別（アプリケーション別）に区分します。 その他には製造合弁会社3社経由のSandiskグループ向け売上が含まれます。
売上収益1兆7,671億円 / 営業利益1兆2,700億円
第1四半期は前年同期比415.5%増。 第2四半期ガイダンスは売上収益2兆3,900億円、営業利益1兆8,900億円で、通期予想は決算短信の記載範囲の外です。
同じ用途区分の3四半期を掲載します。 四半期どうしの比較で、通期値とは期間が異なります。
最後の1本だけが2026年7月31日公表の第2四半期ガイダンスです。 ほかは実績値です。
03 強みとリスク・検討点
強みと、リスク・検討点
AI用途の需要を取り込んだ数値と、メモリ1本に絞った事業構成の振れ幅が、同じ決算に載ります。
強み
FY2026/03の売上収益は前期比37.0%増の2兆3,376億円、営業利益は92.7%増の8,704億円。 FY2027/03第1四半期は売上収益1兆7,671億円、営業利益1兆2,700億円まで伸びました。
FY2027/03 第1四半期決算短信〔IFRS〕（2026年7月31日） ↗1987年に世界初のNAND型フラッシュメモリを発明し、2007年に世界で初めて3次元フラッシュメモリ技術を発表しました。 218層の第8世代BiCS FLASHで2Tb製品を実現しています。
企業情報（グループの主要数値） ↗四日市工場は敷地の端から端まで約1.4km、面積約694,000㎡の世界最大級のフラッシュメモリ工場で、数千台の装置で日々30億件の製造関連データを集めています。 北上工場は第1製造棟が2020年、第2製造棟が2025年9月に稼働しました。
四日市工場 ↗四日市工場の合弁会社契約を2029年12月31日から2034年12月31日へ5年延長し、サンディスクは製造サービスと継続的な製品供給の対価として11億6,500万米ドルを2026年から2029年にかけて分割で支払います。 北上工場の契約期間は既に2034年12月31日までです。
四日市工場における合弁会社の契約期間延長について（2026年1月30日） ↗リスク・検討点
報告セグメントはメモリ事業の1つです。 FY2027/03第1四半期の販売単価は米ドルベースで前四半期比約70%上昇しており、単価の変動幅がそのまま業績へ直結します。
FY2027/03 第1四半期 決算説明会資料（2026年7月31日） ↗決算短信が載せるのは翌四半期のガイダンスだけです。 半導体メモリ業界では事業環境が短期間に大きく変化するため、年度計画値と達成状況の記載を省略する、と決算短信に記されています。
FY2026/03 決算短信〔IFRS〕（2026年5月15日） ↗FY2026/03のJV関連売上収益は1,934億円、政府からの補助金収入は564億円です。 合弁契約の条件と補助金の有無が収益構造へ直結します。
FY2027/03 第1四半期 決算説明会資料（2026年7月31日） ↗平均年収、職種別・年代別の年収、賞与月数は公式採用ページの記載範囲の外です。 初任給、昇給・賞与の回数、休日、諸手当の区分が公式値です。
技術系新卒採用 募集要項・採用データ ↗04 待遇
給与、初任給、休日、手当
公式の募集要項に載るのは初任給、昇給・賞与の回数、勤務時間、休日、諸手当、平均勤続年数などです。 平均年収や職種別の水準は記載範囲の外です。
2026年4月実績の掲載値です。 応募年度の募集要項の掲載値を使ってください。
- 昇給・賞与
- 昇給は年1回、賞与は年2回です。 賞与月数は公式採用ページの記載範囲の外です。 基準は応募日の公式募集要項です。
- 勤務時間
- フレックスタイム制で、標準労働時間は7時間45分／日（コアタイムは事業所ごとに異なる）。 キャリア採用ページには標準就業時刻8:30〜17:15（休憩60分）と記されています。
- 休日・休暇
- 完全週休2日制（土曜・日曜）、祝日、年末年始休暇、有給休暇、赴任休暇ほか。 有給休暇の平均取得日数は20.2日、平均勤続年数は17.6年（いずれも2024年度実績）です。
- 諸手当・福利厚生
- 住宅費補助、通勤手当（全額支給）、独身寮・家族社宅、保養所などの制度が載ります。 キャリア採用ページには、18才未満の子1人あたり15,000円の次世代育成手当が記されています。
- 残業時間
- キャリア採用のFAQに、会社全体で月平均33.9時間と記されています。 部門ごとの実績には幅があるため、選考中の質問事項として案内されています。
- 公式の記載範囲の外
- 平均年収、職種別・年代別の年収、賞与月数は公式採用ページの記載範囲の外です。 推定値を載せる媒体はありますが、出所は公式ページの外にあります。
- 男性 93名
- 女性 44名
技術系新卒採用ページの採用データに載る実績値です。 取得日数は公式ページの記載範囲の外です。
05 勤務地と職種
どこで、どんな仕事をするか
拠点は東京の本社、三重の四日市工場、岩手の北上工場、神奈川の横浜テクノロジーキャンパスと分室、大阪の関西分室です。 新卒の勤務地欄には「本社、工場、研究所（国内外を問わず）」と載ります。
- 本社
- 東京都港区芝浦3-1-21 田町ステーションタワーS/ 本社機能
- 四日市工場
- 三重県四日市市山之一色町800/ 面積約694,000㎡、研究・技術開発部門と同一敷地
- 北上工場
- 岩手県北上市北工業団地5番29号（キオクシア岩手株式会社）/ K1は2020年、K2は2025年9月稼働
- 横浜テクノロジーキャンパス
- 神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1。 小向分室（川崎市幸区）、新子安テクノロジーフロント（横浜市神奈川区）/ 開発拠点
- 関西分室
- 大阪府大阪市淀川区宮原3-4-30
- 製品・デバイス技術開発
- プロセス・パッケージ技術開発
- システム・ソフトウェア・回路設計技術開発
- 顧客対応技術・品質技術開発
- 製品開発・回路設計
- ファームウェア・ソフトウェア開発
- プロセス技術・デバイス技術
- 生産技術
- 解析・品質保証
- 施設管理・設備技術/管理
- IT企画・社内SE・DX推進
- 技術支援/営業
前半4区分が技術系総合職（新卒）の4職種、後半8区分がキャリア採用の職種紹介の区分です。 公式表記の一部を短縮して掲載します。
06 これから
会社が次に取りにいくもの
公式に開示されているのは四半期ごとのガイダンスと、生産基盤・資本政策の個別施策です。 数値目標付きの中期経営計画は、IRライブラリー掲載資料の範囲の外です。
- 生産基盤の拡充
- 決算説明会資料は、四日市工場を研究開発を兼ねた中核拠点、北上工場を第10世代BiCS FLASHの生産開始拠点として掲載し、マルチサイト生産体制、合弁パートナーシップ、投資による世代移行、AIによる生産性向上の4点を挙げます。 詳細は第10世代の生産開始リリースに載ります。
- NAND市場の予想
- CY26のビット伸長率は10%台後半、CY27は需要が供給を上回ると予想し、当社は市場予想に準じたビット成長を想定すると記されています。 主要顧客との長期契約により、CY28の出荷物量のカバー率50%へ向けて進展中とも記されています。
- 資本政策
- FY2026/03の年間配当は0円で、FY2027/03の配当予想は未定と決算短信に載ります。 2026年7月31日には、普通株式1株につき3株の株式分割（効力発生日2026年10月1日）と、上限3,000万株・上限8,000億円の自社株買い（2026年8月3日〜10月30日）を公表しました。
第10世代3次元フラッシュメモリへの世代移行
2026年7月3日、北上工場第2製造棟（K2棟）で第10世代3次元フラッシュメモリの生産を開始しました。 第8世代と第10世代はいずれもCBA（CMOS directly Bonded to Array）技術を採用しています。
根拠資料↗不確実性:第10世代の層数と容量は公式ニュースの記載範囲の外です。 K2棟は2025年9月の稼働開始時点で第8世代を生産していました。
AIサーバー需要とビット成長
決算説明会資料は、Agentic AI向けアプリケーションがNAND需要拡大の主要な成長ドライバーになるとし、CY26のビット伸長率を10%台後半、CY27は需要が供給を上回ると予想します。 当社は市場予想に準じたビット成長を想定すると記されています。
根拠資料↗不確実性:暦年ベースの市場予想です。 通期の業績予想は決算短信の記載範囲の外です。
ネットキャッシュ化と資本政策
FY2027/03第1四半期にネットD/Eレシオが△8%となり、ネットキャッシュ・ポジションに到達しました。 あわせて普通株式1株につき3株の株式分割（効力発生日2026年10月1日）と、上限3,000万株・上限8,000億円の自社株買い（2026年8月3日〜10月30日）を公表しています。
根拠資料↗不確実性:自社株買いは上限枠の公表です。 実際の取得株数と金額は取得期間の終了時に確定します。
07 入口を選ぶ
専攻から、入口を1つに絞る
3次元フラッシュメモリ、組み込み式メモリ、エンタープライズ・データセンターSSD、クライアントSSDのうち、自分の専攻と重なる製品を1つ選び、そこから応募職種を1つに絞ります。
プロセス・デバイス技術開発
3次元フラッシュメモリのセル構造、積層プロセス、パッケージ技術を担う入口です。
- NAND
- BiCS FLASH
- CBA
- Process
製品開発・回路設計 / ファームウェア開発
メモリの回路設計と、SSDのコントローラ・ファームウェア開発を担う入口です。
- Firmware
- NVMe
- UFS
- Controller
生産技術 / 設備技術
四日市工場と北上工場で、量産立ち上げ、装置立ち上げ、生産性改善を担う入口です。
- Smart Factory
- Yield
- Equipment
- Manufacturing
- BiCS FLASH / UFS・e-MMC / データセンターSSD / クライアントSSDから担当したい製品を1つ選ぶ
- 研究・実務の測定値を1つ用意し、容量、遅延、消費電力、信頼性のどれと結ぶか1つ選ぶ
- 募集要項の職種区分と勤務地を公式ページからノートへ転記する
- NAND
- BiCS FLASH
- CBA
- Process
- Packaging
- Firmware
- NVMe
- UFS
- Controller
- Circuit Design
メモリとSSDの性能指標と、自分の研究・実務の測定値を結ぶための語です。
比較
他社との違いを一言で
Samsung Electronics
NANDフラッシュとSSDで重なります。 キオクシアは報告セグメントがメモリ事業の1つで、公式製品ラインアップはフラッシュメモリとSSDに絞られます。
SK hynix
データセンター向けSSDで重なります。 年度区分、通貨、連結範囲をそろえてから決算数値を比べます。
Micron Technology
NANDとSSDで重なります。 決算期が異なるため、同じ暦年の四半期どうしで比べます。
Sandisk
四日市・北上の製造合弁会社の相手方であり、SSDとリテール製品では競合します。 合弁契約は2034年12月31日まで延長されました。
出典
公式情報と第三者資料
会社、IR、採用、報道の種別を分けて掲載しています。 参照日は2026-08-05です。
- 公式 メモリ製品情報 参照日 2026-08-05
- 公式 SSD製品情報 参照日 2026-08-05
- 公式 キオクシアホールディングス 会社概要 参照日 2026-08-05
- 公式 企業情報（グループの主要数値） 参照日 2026-08-05
- 公式 キオクシア株式会社 拠点一覧 参照日 2026-08-05
- 公式 四日市工場 参照日 2026-08-05
- 公式 北上工場（キオクシア岩手） 参照日 2026-08-05
- 公式 四日市工場における合弁会社の契約期間延長について（2026年1月30日） 参照日 2026-08-05
- 公式 北上工場第2製造棟で第10世代3次元フラッシュメモリの生産開始（2026年7月3日） 参照日 2026-08-05
- IR FY2026/03 決算短信〔IFRS〕（2026年5月15日） 参照日 2026-08-05
- IR FY2027/03 第1四半期決算短信〔IFRS〕（2026年7月31日） 参照日 2026-08-05
- IR FY2027/03 第1四半期 決算説明会資料（2026年7月31日） 参照日 2026-08-05
- IR IRライブラリー 決算短信一覧 参照日 2026-08-05
- 採用 技術系新卒採用 募集要項・採用データ 参照日 2026-08-05
- 採用 キャリア採用 選考プロセスとFAQ 参照日 2026-08-05
- 採用 キャリア採用 職種紹介 参照日 2026-08-05