企業研究 メモリ / 半導体製造 DRAM・NAND・HBMのメモリ／ストレージメーカー
Micron
企業研究 — AIサーバーのメモリを作る会社
DRAM、NAND、HBMを作るメモリメーカー。
売上の約61%がデータセンター向けの2事業部から出ています（公表値からの計算）。
マイクロンの公式製品情報とFY2026第3四半期の決算発表（2026年6月24日）を同じ表で比べます。 会計年度は8月期で、金額は米ドル表記のまま掲載します。 会社予想は実績と別欄に分け、日本の勤務地と職種は日本語の公式採用ページから引用します。
Verified 詳細企業研究 / 出典・主張リンク確認済み ページ確認日 2026-08-05
60秒で判断
候補に残す3つの基準
化学、物理、材料、電気電子で装置とプロセス条件を動かした経験がある人。
公式 6件 / IR 1件 / 採用 4件 / ニュース 2件。出典参照日 2026-08-05 / ページ確認日 2026-08-05
- Cloud Memory 137.69億ドル
- Core Data Center 115.24億ドル
- Mobile and Client 115.21億ドル
- Automotive and Embedded 46.34億ドル
01 立ち位置
何の会社として比べるか
Micronは、DRAM、NAND、NORのメモリとSSDなどのストレージを設計・製造するメーカーです。 全社売上と事業部別売上を同じ四半期で比べ、売上の集中先を数値で確かめます。
全社売上を、前四半期・前年同期と同じ区切りで比べる
会計年度は8月期です。 各四半期の締め日は2026年5月28日、2026年2月26日、2025年5月29日です。
棒の長さは売上高を100としたときの比率です（公表値からの計算）。
4つの事業部のうち、どこが大きいか
4事業部の売上を足すと414.48億ドルで、全社売上414.56億ドルとの差は0.08億ドルです（公表値からの計算）。
決算発表に記載された事業部別の営業利益率です。 全社のGAAP営業利益率は80.4%です。
HBM（広帯域メモリ）
HBM4は36GB 12H、帯域2.8TB/s超、ピン速度11Gb/s超で、HBM3E比で電力効率20%超改善、帯域2.3倍と公式に記載され、量産段階にあります。 1024ビット幅・32チャネルのデータインタフェースを持ちます。
- HBM4
- HBM3E
DRAM・LPDDR・GDDR
公式の製品一覧はメモリをHBM、DRAMコンポーネント、DRAMモジュール、LPDDRコンポーネント、LPDDRモジュール、GDDR、データセンター向けメモリに区分しています。 用途ごとに製品系列を分けます。
- DRAM components
- DRAM modules
- LPDDR components
- LPDDR modules
SSD・NAND・NORのストレージ
ストレージはデータセンターSSD、クライアントSSD、車載・産業向けSSD、Managed NAND、NANDフラッシュ、NORフラッシュ、メモリカードに区分され、プロセス技術としてG9 NANDが掲載されています。
- Data center SSDs
- Client SSDs
- Auto and industrial SSDs
- Managed NAND
1γ DRAMプロセス技術
1γ DRAMは1β比でウェハあたりビット密度30%超向上、消費電力最大20%削減、速度15%向上、最大9200MT/sと公式に記載されています。 極端紫外線（EUV）露光と高誘電率メタルゲート（HKMG）CMOSを使います。
- 1γ DRAM technology
- 1β DRAM
02 収益
どこで、どれくらい儲けているか
FY2026第3四半期は売上414.56億ドルに対しGAAP営業利益333.18億ドル。 データセンター向けのCloud MemoryとCore Data Centerの2事業部で、売上の約61%を占めます（公表値からの計算）。
414.56億ドル
2026年5月28日に終了した四半期の実績です。 前四半期は238.60億ドル、前年同期は93.01億ドルでした。
333.18億ドル / 売上比80.4%
GAAP粗利益は350.56億ドル（売上比84.6%）、GAAP純利益は282.43億ドル、希薄化後EPSは24.67ドルです。
Cloud Memory 137.69億ドル / Core Data Center 115.24億ドル
Mobile and Clientは115.21億ドル、Automotive and Embeddedは46.34億ドル。 データセンター向け2事業部で全社売上の約61%です（公表値からの計算）。
設備投資（純額）71億ドル / 調整後フリーキャッシュフロー183億ドル
営業キャッシュフローは253.9億ドル、四半期末の現金・市場性投資・拘束性現金は302億ドルでした。
4事業部の合計と全社売上には0.08億ドルの差があります。 構成比を比べる用途に使います。
FY2026第4四半期の会社予想は、粗利益率約86%とGAAP営業費用約18.6億ドルです。 営業利益率は次の決算発表で確定します。
03 強みとリスク・検討点
強みと、リスク・検討点
AI向けメモリ需要を取り込んだ高い利益率と、同じ市況で四半期ごとに大きく動く売上が、同じ決算発表に並んでいます。
強み
FY2026第3四半期はGAAP粗利益率84.6%、GAAP営業利益率80.4%。 売上414.56億ドルに対しGAAP営業利益は333.18億ドルでした。
FY2026第3四半期 決算発表（2026年6月24日 / SEC提出のForm 8-K添付資料） ↗Cloud Memory事業部の売上は137.69億ドルで営業利益率78%、Core Data Center事業部は115.24億ドルで同83%。 2事業部で全社売上の約61%です（公表値からの計算）。
FY2026第3四半期 決算発表（2026年6月24日 / SEC提出のForm 8-K添付資料） ↗HBM4は36GB 12Hで帯域2.8TB/s超、ピン速度11Gb/s超、HBM3E比で電力効率20%超改善、帯域2.3倍と公式に記載され、量産段階にあります。
HBM製品ページ（HBM4 / HBM3E） ↗1γ DRAMは1β比でウェハあたりビット密度30%超向上、消費電力最大20%削減、速度15%向上、最大9200MT/s。 EUV露光とHKMG CMOSを使います。
1γ DRAMテクノロジー ↗広島拠点は1β DRAMの生産と、1γ DRAMでのEUV露光技術の導入を実現したと2026年7月4日の公式発表に記載されています。 米国およびグローバルの研究開発チームと連携します。
広島工場 新クリーンルーム着工（2026年7月4日） ↗リスク・検討点
FY2026第3四半期の売上414.56億ドルは、前年同期93.01億ドルの約4.5倍です（公表値からの計算）。 同じ製品でも四半期ごとに売上と利益率が大きく動きます。
FY2026第3四半期 決算発表（2026年6月24日 / SEC提出のForm 8-K添付資料） ↗FY2026第4四半期の売上500億ドル±10億ドル、粗利益率約86%、GAAP希薄化後EPS 30.73ドル±1.00ドルは、2026年6月24日時点の会社予想です。 実績とは別欄で比べます。
FY2026第3四半期 決算発表（2026年6月24日 / SEC提出のForm 8-K添付資料） ↗FY2026第3四半期の設備投資（純額）は71億ドル、営業キャッシュフローは253.9億ドルでした。 生産能力の増強は毎四半期の資金を先に使います。
FY2026第3四半期 決算発表（2026年6月24日 / SEC提出のForm 8-K添付資料） ↗米国では2035年までに2,500億ドル超を投資し、DRAM生産の40%を米国で行う計画が公式に示されています。 日本拠点への配分は、発表ごとの公式資料に個別に載ります。
米国での生産・R&D拡張 ↗日本の初任給、年間休日、賞与、職種別年収、残業時間は公式採用ページの記載範囲の外です。 給与・福利厚生としてまとまっているのは米国向けの記載です。
新卒採用・インターンシップ ↗04 待遇
給与、初任給、休日、手当
日本語の公式採用ページに載るのは技術職の区分と応募の流れです。 初任給と年間休日は記載範囲の外で、給与・福利厚生としてまとまっているのは米国向けの記載です。
- 日本の職種区分
- 公式の職種紹介はプロセス開発職、デバイス開発職、製品技術職、生産技術職、その他技術職の5区分です。 区分ごとの給与レンジは記載範囲の外です。職種紹介に各区分の担当範囲が載っています。
- インターンと新卒の日程
- インターンシップの応募は8月から3月まで受け付け、多くの採用枠は1月末までに埋まると公式に記載されています。 キャンパスおよびオンラインのイベントは9月から3月、インターンシッププログラムは5月から8月です。
- インターンの報酬
- マイクロンのインターンシップはすべて有給と公式のよくある質問に記載されています。 金額は記載範囲の外です。
- 中途採用の窓口
- 中途採用は求人検索で勤務地Japanを指定して探します。 広島の募集にはドライエッチングの開発、プローブテスト開発、DRAMの電気特性解析、設計ルール整備などの職名が並びます。求人検索で応募時点の募集を1件ずつ開きます。
- 記載範囲の外の項目
- 日本の初任給、年間休日、賞与、職種別年収、残業時間は公式採用ページの記載範囲の外です。 推定値を載せる媒体はありますが、根拠をたどれる出所は公式資料の外にあります。
05 勤務地と職種
どこで、どんな仕事をするか
日本の拠点は広島県東広島市の広島工場と西条オフィス、神奈川県相模原市の橋本エンジニアリングセンター、東京都港区の東京オフィスの4か所です。 本社は米国アイダホ州ボイシで、1978年創業です。
- 広島工場／技術開発
- 広島県東広島市吉川工業団地7-10/ DRAM量産と技術開発
- 西条オフィス
- 広島県東広島市西条昭和町11-2 伯和昭和町ビル
- 橋本エンジニアリングセンター
- 神奈川県相模原市中央区南橋本3-1-35/ 求人検索の勤務地表記はKanagawa、Japan
- 東京オフィス
- 東京都港区港南1-2-70 品川シーズンテラス8F
- 本社
- 米国アイダホ州ボイシ/ 世界30以上の都市、15製造拠点、13カスタマーラボ
- プロセス開発職
- デバイス開発職
- 製品技術職
- 生産技術職
- その他技術職
- リソグラフィ
- エッチング
- 成膜
- トランジスタ／キャパシタ
- 物理的な解析・欠陥検査
- 歩留まり・品質
- 量産展開・コスト低減
前半5つが公式の職種紹介の区分、後半が各区分の本文に出る工程と業務の語です。
06 これから
会社が次に取りにいくもの
広島では新クリーンルームが着工し、製造装置の搬入は2028年後半の予定です。 会社全体では1γ DRAMを使う次世代HBMと、複数年の顧客契約が公式に示されています。
- 広島の新クリーンルーム
- 2026年7月4日、広島工場で新クリーンルームに着工しました。 第一期は約30万平方フィート（約2万8,000平方メートル）、総合建設パートナーは株式会社フジタ、製造装置の搬入開始は2028年後半の予定です。着工の公式発表に建設の段階と関係者が載っています。
- 経済産業省の支援
- 経済産業省が2025年9月12日に発表した、広島における先進メモリの研究開発および製造に向けた最大5,360億円の支援を受けて進められます。 金額は「最大」の支援枠で、確定した交付額は今後の公表を待ちます。
- 雇用への波及
- 将来的にこの投資が1,000名以上の雇用を含む労働力拡大へ貢献すると見込まれる、と公式発表に記載されています。 将来予想に関する記述で、実際の募集枠は各年度の求人検索に載ります。
広島の新クリーンルーム着工
2026年7月4日、広島工場で新クリーンルームに着工しました。 第一期は約30万平方フィート（約2万8,000平方メートル）、製造装置の搬入開始は2028年後半の予定で、2013年のエルピーダメモリ買収以降で広島拠点最大規模の増設です。
根拠資料↗不確実性:建設時期、需要の拡大、雇用の創出は将来予想に関する記述です。 実績値は各年度の公式発表で確定します。
経済産業省による広島支援
マイクロンメモリ ジャパンは2025年9月12日、経済産業省からの助成金支援が決定したと公表しました。 高性能メモリの研究開発の推進と、広島工場の生産基盤強化に充てられます。
根拠資料↗不確実性:交付の条件、時期、実際の交付額は、この発表の記載範囲の外です。
1γ DRAMを使う次世代製品
FY2026第3四半期の発表では、1γ DRAMを使うHBM4Eの開発が進行中で暦年2027年の量産を見込むこと、1γの256GB DDR5 RDIMMのサンプル出荷、1γ 16Gb LPDDR5Xの量産立ち上げが示されています。
根拠資料↗不確実性:量産時期は将来予想に関する記述です。 顧客の認定状況と需要で前後します。
複数年の戦略的顧客契約
FY2026第3四半期の発表では、複数年のStrategic Customer Agreements（戦略的顧客契約）が業績の持続性と予見性を高めるとされています。
根拠資料↗不確実性:契約先、金額、契約期間は、公表資料の範囲外です。
07 入口を選ぶ
専攻から、入口を1つに絞る
HBM、DRAM・LPDDR・GDDR、SSD・NAND・NOR、1γ DRAMプロセスのうち自分の専攻と重なるものを1つ選び、公式の技術職5区分から応募先を1つに絞ります。
プロセス開発職
リソグラフィ、エッチング、各種成膜の要素プロセスを開発し、次世代DRAMの実現を進める入口です。
- Lithography
- Etch
- Deposition
- EUV
デバイス開発職
トランジスタやキャパシタの新技術を確立し、プロセス開発の成果をウェハ加工の工程へ統合する入口です。
- Device
- Transistor
- Capacitor
- Integration
製品技術職 / 生産技術職
試作から量産・出荷までの歩留まりと品質を上げ、要素プロセスを量産へ展開する入口です。
- Yield
- Defect
- Quality
- Process
- HBM4 / DRAM・LPDDRモジュール / データセンターSSD / 1γ DRAMプロセスから担当したい対象を1つ選ぶ
- 研究・実務の測定値を1つ用意し、ビット密度、消費電力、帯域、歩留まりのどれと結ぶか1つ選ぶ
- 公式の職種紹介5区分と、求人検索で出た勤務地・職名をノートへ転記する
- Lithography
- Etch
- Deposition
- EUV
- DRAM
- Device
- Transistor
- Capacitor
- Integration
- Reliability
メモリの性能指標と自分の実験・実務を結ぶための語です。
比較
他社との違いを一言で
Samsung Electronics
DRAMとNANDの双方で重なります。 Micronの公式ポートフォリオはDRAM、NAND、NORとストレージ製品で、日本では広島工場がDRAM量産を担います。
SK hynix
AIサーバ向けHBMとサーバDRAMで重なります。 MicronのHBM4は36GB 12Hで帯域2.8TB/s超と公式に記載されており、世代と容量をそろえて比べます。
キオクシア
NANDフラッシュとSSDで重なります。 MicronはHBMを含むDRAMも持つため、NAND単体に加えてAIサーバのメモリ階層全体で比べます。
SanDisk
クライアント向けSSDとNANDで重なります。 Micronはデータセンター、クライアント、車載・産業のSSDを公式に区分して掲載しています。
出典
公式情報と第三者資料
会社、IR、採用、報道の種別を分けて掲載しています。 参照日は2026-08-05です。
- 公式 会社概要（日本法人3社の役割） 参照日 2026-08-05
- 公式 製品一覧（メモリ / ストレージ / マルチチップパッケージ） 参照日 2026-08-05
- 公式 拠点一覧（日本4拠点の所在地） 参照日 2026-08-05
- 公式 HBM製品ページ（HBM4 / HBM3E） 参照日 2026-08-05
- 公式 1γ DRAMテクノロジー 参照日 2026-08-05
- 公式 米国での生産・R&D拡張 参照日 2026-08-05
- IR FY2026第3四半期 決算発表（2026年6月24日 / SEC提出のForm 8-K添付資料） 参照日 2026-08-05
- ニュース 広島工場 新クリーンルーム着工（2026年7月4日） 参照日 2026-08-05
- ニュース マイクロンメモリ ジャパン、経済産業省から助成金の支援が決定（2025年9月12日） 参照日 2026-08-05
- 採用 採用情報（日本語） 参照日 2026-08-05
- 採用 職種紹介（技術職5区分） 参照日 2026-08-05
- 採用 新卒採用・インターンシップ 参照日 2026-08-05
- 採用 求人検索（勤務地・職種で絞り込み） 参照日 2026-08-05