conference research / Tier a

ICNS学会研究

nitride semiconductors、GaN、AlN、epitaxy、optoelectronics、RF、power devicesを材料・デバイス横断で確認する。

International Conference on Nitride Semiconductorsは、ロジック / デバイス / プロセス統合の観点から GaN, AlN, nitride semiconductors, epitaxy, RF, optoelectronics, power devices を確認するための学会です。公式ページ、募集要項、program、proceedings を分けて確認し、研究室DBや求人DBの分類軸へ接続します。

snapshot

基本データ

Tier A

3大国際会議以外の主要学会として、分野別に確認する。

分野 ロジック / デバイス / プロセス統合

研究室DBと技術レーダーのfield接続に使う。

ジャンル FEOL / デバイス / WBG / パワー

FEOL、BEOL、3DI、回路、WBG、フォトニクス、信頼性へ接続する。

主催 ICNS International Advisory Committee

開催サイクル 2025-07-06〜11 / MalmoMassan, Malmo, Sweden

2025会期終了 / 次回ICNS監視

投稿形式 abstract submission / program committee selection

topics

研究テーマと企業調査へ変換する

coverage

nitride semiconductors、GaN、AlN、epitaxy、optoelectronics、RF、power devicesを材料・デバイス横断で確認する。

監視テーマ

GaN, AlN, nitride semiconductors, epitaxy, RF, optoelectronics, power devices

CFPから抽出する論点

GaN/窒化物半導体全般の旗艦級会議として、power専用ではない材料・デバイス動向を拾える。

年次比較で残す比較軸

IWNと対にして、窒化物材料とデバイス応用の国際的な周期変化を追う。

deadlines

投稿・採択イベント

締切日付は未取得です。募集要項ページで最新サイクルを確認してください。

公式確認リンク

公式公式ページ確認日: 2026-05-30