【横浜/山梨】光半導体デバイス設計エンジニア

募集背景

生成AIの急伸とデータセンタ光通信需要の拡大を受け、EMLの高速化(100Gb/s → 200Gb/s → 300〜400Gb/s)、CWレーザの高出力・低消費電力化、波長可変レーザの長距離対応など、次世代光デバイスの開発テーマが並行して進行しています。光素子設計部では、5〜10年先の事業の柱となるデバイスを担う中核設計エンジニアの世代交代が重要課題となっており、2025〜2027年度にかけて5名規模の増員を計画しています。若手育成のサイクルも回り始めており、次の主軸となる層を迎え入れるタイミングです。

ポジション概要

光ファイバ通信用光半導体デバイス(EML、CWレーザ、波長可変レーザ、半導体光アンプ等)の構造設計・評価を担うエンジニアを募集します。顧客要求仕様をベースに、量子井戸構造・屈折率分布・共振器長などの設計を行い、試作・評価を経て製品化まで一貫して関わっていただきます。具体的な仕事内容

■主な業務・光半導体デバイスの構造設計(量子井戸の材料組成・深さ・幅、屈折率分布、共振器長などの最適化)・シミュレーションおよび古典的手法を組み合わせた特性設計(自作プログラム/市販ソフトを活用)・試作品の特性評価・信頼性評価・プロセス開発部との協働によるプロセス課題の解決・製品開発部経由で届く顧客要求仕様との整合、設計アウトプットの調整

■現在の主要開発領域・EML(変調器集積レーザ):現行100Gb/s → 直近目標200Gb/s → 将来300〜400Gb/s・CWレーザ:AIデータセンタ向けの高出力化と低消費電力化の両立・波長可変レーザ:データセンタ間コヒーレント通信向け(~120km対応)

■必要な専門知識量子力学/光学・光工学/半導体デバイス物理(PN接合、電界吸収、干渉効果)/電気・電子工学/応用物理

■開発フロー(目安)顧客仕様提示 → 設計 → 試作・評価 → 製造部門への移管 → 量産 (仕様提示から納品まで約2年)(変更の範囲: 会社の定める業務)期待する役割・ミッション光ファイバ通信用光半導体デバイスではInGaAsP系の材料が用いられており、与えられた材料を「使い倒す」設計によってコストと性能の両立を極めることを期待します。次世代EMLの高速化、CWレーザの高出力・低消費電力化、波長可変レーザの長距離対応など、5〜10年先の事業の柱となるデバイスを設計する中核メンバーとしての活躍を求めています。キャリアパス実力と適性に応じて、入社数年で重要プロジェクトの中心メンバーとして任される文化があります(現任部長自身が入社1年目のPJで製品化を実現)。数年目で若手の指導役を担うサイクルが回り始めており、育成役を通じて部のテクニカルリードへと成長するキャリアが描けます。組織構成光素子設計部(部長含め17名体制)・第一設計課(山梨):9名・第二設計課(横浜):7名

※拠点による配置で製品による分担ではありません。両拠点で同等の設計業務を担当しています。年齢構成は、30〜40歳以下が約半数、50歳以上が約半数で、中間層(40〜50歳)が薄い状態。5年ほど前にキャリア入社した中堅メンバーが指導役として活躍し、その指導を受けた若手も学会発表を行うなど、育成のサイクルが回り始めています。本ポジションの魅力

■技術面・日本国内トップ、世界でも競合は数社のみの希少なポジションで、AIブームを支える光通信インフラの最前線に関わる・大学では研究費の制約で計算止まりになりがちなテーマが、製品として世に出る醍醐味・制約された材料系の中で最適解を導く、深みがあり歯ごたえのある設計業務

■環境・ポジション面・実力があると判断した人材には早期に任せる文化、面倒見の良い育成環境・入社数年で指導役として若手を育てるサイクルが確立・「わいがや」のコミュニケーション文化で、行き詰まった時に相談しながら進められる

■キャリア面・住友電工グループの安定基盤と、急拡大市場のスピード感を両立・顧客要求と材料制約の交点で最適解を導く、深みのある設計キャリア応募資格必須条件(MUST)下記いずれかに該当する実務または研究経験をお持ちの方・光半導体デバイスの作り手としての経験:半導体レーザ、LED、受光素子、光変調器などの構造設計または開発経験・光半導体デバイスの使い手としての経験:通信機器メーカー、通信モジュール/光トランシーバメーカー、光通信システムメーカー、光計測機器メーカー等のユーザーサイドで、光デバイスを組み込んだ製品の設計・開発・評価を担当された経験・研究経験:光通信・光デバイス・化合物半導体のいずれかに関する材料・プロセス・構造・測定・物性いずれかの研究経験(ポスドク、修士・博士論文テーマを含む)歓迎条件(WANT)下記いずれか満たす方は特に歓迎します・EML、CWレーザ、波長可変レーザ、半導体光アンプ等、高速光通信デバイスの設計経験・量子井戸構造、電界吸収型変調器、DFBレーザの設計経験・MOCVD等によるエピタキシャル結晶成長の知見・光通信システム・光ネットワーク設計の経験求める人物像・普通に解けない問題に粘り強く取り組める方(簡単に諦めない姿勢)・一方で、筋の悪いアプローチは早期に見切れるバランス感覚をお持ちの方・多様な要素技術・部門と協働するため、横連携・コミュニケーションを楽しめる方・「わいがや」で相談しながら仕事を進めることを心地よく感じる方【職種 / 募集ポジション】 【横浜/山梨】光半導体デバイス設計エンジニア【雇用形態】 正社員【給与】年収 4,500,000円 〜 8,000,000円年収:450万円 〜 800万円/月給:28万円 〜 40万円

※経験・能力等を考慮し当社規定により決定 昇給:年1回(6月) 賞与:年2回(6月・12月)

※2025年度実績 5.3ヶ月 諸手当:通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当【勤務地】244-0845 神奈川県横浜市栄区金井町1番地409-3883 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000横浜本社最寄駅:JR東海道本線大船駅、JR横須賀線戸塚駅、JR根岸線本郷台駅 山梨事業所最寄駅:JR 身延線 国母駅

※本人希望を十分に配慮の上、お持ちの専門性と入社後ミッションに照らして最適勤務地を決定します。

(変更の範囲: 会社の定める場所) リモートワーク:可【その他】定年:65歳 試用期間:あり。3か月。

神奈川県横浜市 / 山梨県中巨摩郡昭和町

正社員