【横浜/山梨】光ファイバ通信用光半導体レーザ プロセス開発業務

募集背景

データセンタ市場を中心とする光デバイスのビジネス拡大に伴い、半導体レーザの増産と新製品開発の加速が急務となっており、増産対応と将来の新ライン立ち上げの両方を担える技術者の早期確保・育成が必要です。毎年新卒採用を行っていますが、それでも人員が不足している状況です。プロセス開発の即戦力および将来の中核を担っていただける方を、横浜・山梨の両拠点で募集します。

ポジション概要

光ファイバ通信に用いる半導体レーザ素子(チップ)の高性能化や生産性向上を狙いとする、要素技術および量産プロセス技術の開発を担っていただくポジションです。

プロセス開発部は横浜・山梨の2拠点で構成され、両拠点で情報共有しながら同じ考え方でプロセス設計を進めています。配属拠点により、主に担当いただく工程が異なります。・横浜拠点:エピタキシャル成長(エピ)および再成長に必要なプロセスを担当。光デバイス(光の動作原理・エピ)に関する知識・興味を活かせます。・山梨拠点:エピ以降のウェーハプロセスを担当。半導体のユニットプロセス(エッチング等)の経験を活かせます。具体的な仕事内容

■具体的にお任せする業務・高性能化に必要なエピタキシャル成長技術、またはウエハプロセス技術の開発業務・生産性向上のための生産ライン設計およびプロセスインテグレーション業務・新製品を中心とする生産ライン立ち上げに関わる業務

■仕事の進め方・環境・横浜・山梨の両拠点で情報共有し、同じ考え方でプロセス設計を行います。・新しいクリーンルームの立ち上げという、数年がかりのプロジェクトに携わることができます。(変更の範囲: 会社の定める業務)期待する役割・ミッション半導体レーザのプロセス開発を担う中核メンバーとして、増産対応と新ライン立ち上げの両面でご活躍いただくことを期待しています。入社後は特定の工程からスタートいただき、経験を積みながら、将来的にはプロセス全体を統合的に理解・設計できる技術者へと成長いただくことを期待しています。キャリアパス入社後は、ご経験に応じた工程からOJTで着実に習得いただきます。化合物半導体のプロセスは、特定の工程だけでなく、上流のエピから下流の電極プロセスまでを見渡し、自分で組み上げていけることが強みになります。経験を積むことで、プロセス全体を統合的に設計できる希少な技術者として、増産・新ライン立ち上げの中核を担うキャリアを築けます。組織構成光デバイス事業部 プロセス開発部(横浜・山梨の2拠点)・化合物半導体のプロセス開発全般を担当しています。・横浜拠点:エピタキシャル成長・再成長プロセスを担当。・山梨拠点:エピ以降の電極プロセス・背面プロセスを担当。・両拠点で情報共有し、同じ考え方でプロセス設計を進めています。本ポジションの魅力

■化合物半導体プロセスの「総合格闘技」に挑める シリコン半導体(ロジック・メモリ)のプロセスは、装置の大型化・微細化に伴い、一つのユニットプロセスを狭く究める専門家モデルが主流です。

一方、化合物半導体のプロセス開発は、エピから電極プロセスまで、幅広い工程をトータルに理解し、統合していく面白さがあります。上から下までプロセスを自分で組み上げていく、いわば「プロセスの総合格闘技」ともいえる仕事です。特定の工程に閉じず、製品全体を見渡しながら開発に取り組めます。

■唯一無二の専門性が身につく化合物半導体のプロセスは、教科書があるわけではなく、実際に手を動かして覚えていく世界です。だからこそ、身につけた知識・経験は他では得がたい、唯一無二のものになります。

■成長事業の最前線・新ライン立ち上げ生成AI普及によるデータセンタ需要の拡大を背景に、光通信用半導体レーザの事業は成長を続けています。新しいクリーンルームの立ち上げという、数年がかりの大きなプロジェクトに、初期から携われる貴重な機会です。

■働く環境・国内資本の大手メーカーだからこその安定した経営基盤のもと、腰を据えてじっくり取り組める環境です。・住友電工グループの一員として、充実した教育体制のもとでキャリアを築けます。

応募資格 必須条件(MUST)下記いずれかに該当する方・社会人歴およそ3〜5年の方:大学・大学院で半導体・電気・物理などの半導体プロセス開発に応用可能な学問を体系的に学ばれた方。・社会人歴およそ6〜20年の方:半導体(化合物・シリコン等)または液晶のプロセス開発・ウエーハプロセス、もしくは半導体製造装置の開発・フィールドエンジニアいずれかのご経験をお持ちの方。・社会人歴およそ20年以上の方:化合物半導体プロセス開発の経験をお持ちの方。

歓迎条件 (WANT)下記の経験・技術をお持ちの方は特に歓迎いたします・化合物半導体製造プロセスを学ばれたことのある方・半導体製造設備の生産ライン導入業務経験のある方・液晶プロセスの開発経験のある方(使用装置が近しいため)・半導体・電気・物理などの学術的バックグラウンドをお持ちの方・語学力:TOEIC 550点以上、または同等の英会話能力を有する方求める人物像・特定の工程の専門家に留まらず、将来的にプロセス全体を統合的に理解・設計していきたい方・化合物半導体という事業・技術に共感し、面白みを感じていただける方・習得に数年を要する領域にも、粘り強く取り組める方・腰を据えて長期的にキャリアを築きたい方【職種 / 募集ポジション】 【横浜/山梨】光ファイバ通信用光半導体レーザ プロセス開発業務【雇用形態】 正社員【給与】年収 4,500,000円 〜 8,000,000円年収:450万円 〜 800万円/月給:28万円 〜 40万円

※経験・能力等を考慮し当社規定により決定 昇給:年1回(6月) 賞与:年2回(6月・12月)

※2025年度実績 5.3ヶ月 諸手当:通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当【勤務地】244-0845 神奈川県横浜市栄区金井町1番地409-3883 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000横浜本社最寄駅:JR東海道本線大船駅、JR横須賀線戸塚駅、JR根岸線本郷台駅 山梨事業所最寄駅:JR 身延線 国母駅

※本ポジションは横浜・山梨の両拠点で募集しております。お持ちの専門性とご本人のご希望を踏まえて勤務地を決

神奈川県横浜市 / 山梨県中巨摩郡昭和町

正社員