必須 応募条件
- トランジスタレベルの回路設計の経験(3年以上)
- 力(英語
- 中国語) 【学歴】 大卒以上
公式求人詳細
キオクシアの公式求人。勤務地は神奈川県、採用区分は中途、職種カテゴリはプロセス / デバイスです。
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企業公式情報から整理
企業の公式採用ページまたは公式に委任された採用システムの公開情報を、項目別に整理しています。 確認できない条件は推測せず、公式募集要項への案内を表示します。
【採用背景】 全社から注目度の高い新規高速メモリ「2D-OCTRAM」が、基礎研究の段階から、実際の製品に搭載可能な信頼性・マージン・コストを担保する「製品レベルの設計フェーズ」へと本格的に移行しました。これに伴い、新たに「設計技術研究開発部 2D-OCTRAMチーム」を立ち上げました。
次世代メモリの製品化を確実に達成し、開発ゲートを突破するための体制強化として、回路設計のコア人材を募集します。
【組織のミッション】
●先端技術研究所 AI・システム研究開発センター 設計技術研究開発部 2D-OCTRAMチーム のミッション: 研究所の新規メモリの設計検討と回路設計をミッションとする部に属する当グループでは全社から注目度の高いOCTRAMの回路設計を担当しています。製品レベルの設計を開始し、製品設計につなげていくことがミッションになります。設計経験の浅いメンバーも多い新しいチームを立ち上げるため、積極的にコミュニケーションを取り、お互いを高め合いつつ、回路設計を進めていけるチームを構築しています。
【お任せする業務】 新設された2D-OCTRAMチームにおいて、特定の回路ブロック(周辺アナログ回路、周辺ロジック回路、または高速IO/メモリーインターフェース回路)の主担当として、仕様策定から回路設計、シミュレーション検証までの一連の業務を担っていただきます。
国内外のデバイス開発者と対等に議論しながら、回路が物理的に動作するための「境界条件(仕様の閾値)」をご自身で定義し、設計を牽引していく役割をお任せします。
※新しいチームへの配属となりますので、担当する回路ブロックはご経験を踏まえ決定いたします。
【具体的な仕事内容】 A)デバイス物理層との連係による仕様策定・境界条件の定義: デバイスエンジニアから共有されるメモリセルの物理特性(評価・シミュレーションデータ)に基づいた、次世代メモリアーキテクチャが製品レベルで動作するための電気的・時間的境界条件の定義、および周辺回路に対する仕様策定とマージン設計。
B)新規メモリ向け周辺回路・ロジック回路のトポロジー考案および...
【必須要件】
■トランジスタレベルの回路設計の経験(3年以上) 【歓迎要件】
□メモリ設計/評価の経験
□高速IO/メモリインターフェ―ス回路設計の経験
□DRAM設計の経験
□語学力(英語・中国語) 【学歴】 大卒以上
神奈川県横浜市 (横浜テクノロジーキャンパス)
勤務時間 :8時30分~17時15分(
※休憩時間60分、フレックスタイム制)
・休日・休暇 :年間休日125日(2026年度)、完全週休2日制(土日)、 祝日、GW、夏季、年末年始、有給休暇、赴任休暇、介護休暇、 妊娠保護休暇、看護等休暇等
・諸手当:次世代育成手当 (18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月) 住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当、在宅
正社員
給与:月給33.3万~80万円(想定年収 550万~1260万円)
※上記の下限は初任給(学卒新人)です
諸手当:次世代育成手当 (18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月) 住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当、在宅勤務手当等
・寮・社宅:独身寮、単身寮、家族社宅
・その他:昇給年1回、賞与年2回(7月、12月)、交通費支給(規定による)、 在宅勤務制度、財形貯蓄制度、企業年金制度、従業員持株制度、健康保険、雇用保険、労災保険等
※管理職採用の場合、年俸制
休日・休暇 :年間休日125日(2026年度)、完全週休2日制(土日)、 祝日、GW、夏季、年末年始、有給休暇、赴任休暇、介護休暇、 妊娠保護休暇、看護等休暇等
・諸手当:次世代育成手当 (18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月) 住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当、在宅勤務手当等
・寮・社宅:独身寮、単身寮、家族社宅
・その他:昇給年1回、賞与年2回(7月、12月)、交通費支給(規定による)、 在宅勤務制度、財形貯蓄制度、企業年
A:半導体直接職 — 半導体のデバイス・設計・工程・製造・装置・材料・検査・実装を直接担う仕事
判定の確度:A-high(対象・技術行為・成果物が求人票内で直接一致)
】 A)デバイス物理層との連係による仕様策定・境界条件の定義: デバイスエンジニアから共有されるメモリセルの物理特性(評価・シミュレーションデータ)に基づいた、次世代メモリアーキテクチャが製品レベルで動作するための電気的・時間的境界条件の定義、および周辺回路に対する仕様策定とマージン設計。