（技術開発統括部）CMOSデバイスエンジニア メモリデバイス(SRAM,eFuse)担当

2nmプロセスにおける、メモリー素子(SRAM, eFuse)の開発 デバイス開発を、ロジックトランジスタのベースプロセスの中で、プロセス整合させて、メモリーデバイスの開発を行う(SRAM, eFuse)。

【専門性】 専門性:メモリーデバイス開発及びTEG測定評価 【経験】 メモリデバイス(SRAM, eFuse)のデバイス開発の経験者

・プロセス開発の経験

・TEG測定評価とその解析の経験

・TEG作成経験

・プロセス側、設計環境側と連携して業務を行った経験 【求める人物像】

・大卒以上の実務・研究等の経験者（3年以上）または大学院（博士課程）修了以上

※修了見込含む

・人とのコミュニケーションを苦手としない人

・個の活躍に加えてチームプレイもできる人 【必要言語・レベル】 TOEIC 600 以上、もしくは同等程度。(現在の実力より、積極的に英語交流する意識の有無確認） 日本語 JLPT：N3取得済み、もしくは同等程度の語学力

北海道千歳市

フレックスタイム制（フルフレックス）

※1日の標準労働時間 7時間30分

※標準労働時間帯 9:00～17:30（休憩60分）

正社員

スキル・ご経験によって応相談

・通勤手当

・残業手当 / OJTでの研修教育を想定 /

・健康保険

・厚生年金

・雇用保険

・労災保険

・完全週休2日制（土・日）、国民の祝日

・年次有給休暇（20日 入社初年度は入社した月に応じる日数の年次有給休暇を付与する）

・創立記念日（8/10）

・年末年始休暇

・慶弔休暇

・産前・産後休暇

・育児休暇

・介護休暇

※年間休日 128日