conference research / Tier b

ICDS学会研究

defects in semiconductors、point defects、wide-bandgap materials、SiC/GaN、quantum defects、photovoltaic materials、device reliability、first-principles defect modelingを確認できる。

International Conference on Defects in Semiconductorsは、ロジック / デバイス / プロセス統合の観点から semiconductor defects, point defects, quantum defects, SiC reliability, GaN defects, oxide defects, photovoltaic materials, first-principles calculations, defect spectroscopy を確認するための学会です。公式ページ、募集要項、program、proceedings を分けて確認し、研究室DBや求人DBの分類軸へ接続します。