conference research / Tier b

ICMBE学会研究

molecular beam epitaxy fundamentals、III-V / II-VI / IV / nitride / oxide growth、quantum and topological materials、2D materials、heterogeneous integration、heterostructures、nanostructures、MBE production topicsを確認できる。

International Conference on Molecular Beam Epitaxyは、ロジック / デバイス / プロセス統合の観点から molecular beam epitaxy, compound semiconductors, Ga2O3, III-V on silicon, nitrides, oxides, 2D materials, quantum materials, topological materials, heterogeneous integration を確認するための学会です。公式ページ、募集要項、program、proceedings を分けて確認し、研究室DBや求人DBの分類軸へ接続します。