conference research / Tier a

IWN学会研究

III-nitride 材料とデバイスに特化し、GaN、AlN、epitaxy、RF、power、optoelectronic integration を深く追える。

International Workshop on Nitride Semiconductorsは、ロジック / デバイス / プロセス統合の観点から GaN, AlN, epitaxy, RF devices, power devices, optoelectronics, nitride processing を確認するための学会です。公式ページ、募集要項、program、proceedings を分けて確認し、研究室DBや求人DBの分類軸へ接続します。

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基本データ

Tier A

3大国際会議以外の主要学会として、分野別に確認する。

分野 ロジック / デバイス / プロセス統合

研究室DBと技術レーダーのfield接続に使う。

ジャンル WBG / パワー

FEOL、BEOL、3DI、回路、WBG、フォトニクス、信頼性へ接続する。

主催 IWN2026 Committee

開催サイクル 2026-11-08〜13 / Kumamoto-jo Hall, Kumamoto, Japan

abstract投稿受付中 / 2026-06-28延長締切監視

投稿形式 abstract submission + advance/final program

topics

研究テーマと企業調査へ変換する

coverage

III-nitride 材料とデバイスに特化し、GaN、AlN、epitaxy、RF、power、optoelectronic integration を深く追える。

監視テーマ

GaN, AlN, epitaxy, RF devices, power devices, optoelectronics, nitride processing

CFPから抽出する論点

公式IWN2026サイトでabstract submission extendedと、abstract submission deadlineが2026年6月28日 23:59 JSTへ延長されたことを確認した。

年次比較で残す比較軸

power 用 GaN と opto / RF 用 nitride がどこで分岐し、どこで共通課題を持つかを年次で比べやすい。

deadlines

投稿・採択イベント

要旨締切 2026-06-28