必須 応募条件
- (MUST)下記いずれかに該当する方
- 大学または大学院で機械工学/材料工学/電気工学/電子工学/応用物理等を専攻された方
- 半導体パッケージ、セラミックパッケージ、電子部品実装、熱設計いずれかの実務経験
- CAD等による機構設計
- 作図経験、機構部品の信頼性試験
- 解析経験
- 電子デバイスのパッケージ/実装に関する研究経験(修士
- 博士論文テーマ、ポスドク経験を含む)
公式求人詳細
住友電工デバイス・イノベーション株式会社の公式求人。勤務地は山梨県、採用区分は中途、職種カテゴリはプロセス / デバイスです。
応募判断に必要な情報を先に確認
求人市場で見るこのポジション
企業 × 関連工程
当DBの直近90日観測で、住友電工デバイス・イノベーション株式会社は新規 4件・終了 0件。現在公開 4件です。
同職種の掲載給与
掲載年収レンジの中点を比較。給与確認済み 95件/同職種 261件です。
類似求人の必須スキル
新規・終了は当DBでの観測差分であり、市場成長や採用需要の増減を単独では示しません。 直近30日は収集対象拡張の影響を含みます。
企業公式情報から整理
企業の公式採用ページまたは公式に委任された採用システムの公開情報を、項目別に整理しています。 確認できない条件は推測せず、公式募集要項への案内を表示します。
当社は2007年に世界で初めてGaN HEMTの製品化に成功して以来、携帯電話基地局向け化合物半導体デバイスのグローバルサプライヤーとして、国内外の主要基地局ベンダー様向けに製品を提供してまいりました。GaN HEMTの高出力化・高周波化に伴い、これを収容する高周波パッケージの材料・構造・製造技術が製品競争力を左右する重要領域となっています。ポスト5G時代の基地局市場拡大に対応し、本領域を担う中核エンジニアを募集いたします。
携帯電話基地局向けGaN HEMT・高出力増幅器を収容する高周波パッケージの開発エンジニアを募集します。高性能化・小型化を支えるパッケージの材料選定、構造設計、製造立ち上げ、工程改善まで一気通貫で担っていただきます。具体的な仕事内容
■主な業務・高周波パッケージの開発(材料選定、構造設計、熱設計、高周波特性維持)・パッケージ製造装置の選定/導入/立ち上げ・試作・製造立ち上げ、製造工程の問題に対する改善検討・機構部品の信頼性試験、解析・CAD等による作図
■扱う技術領域・パッケージ材料:高熱伝導セラミック(AlN等)、銅タングステン、銅モリブデン等のメタル系放熱基板材料・パッケージ構造:高周波特性を維持する構造設計、熱マネジメント、小型化設計・製造プロセス:接合、封止、実装、信頼性評価・応用:ポスト5G向けGaN HEMTパッケージ(変更の範囲: 会社の定める業務)期待する役割・ミッション入社後、教育体系と現場OJTを通じて、高周波パッケージの材料・構造・製造技術のスキルをキャッチアップしていただき、数年後には次世代パッケージ開発の中核を担うエンジニアとしてご活躍いただくことを期待しています。キャリアパス当社は新卒採用を通じた若手エンジニア育成の経験が豊富で、その知見を活かしてキャリア入社のポテンシャル層の育成にも自信があります。入社後は、住友電工グループ全社の教育プログラム、部内の技術教育、OJTを組み合わせた育成体系のなかで、数年かけて一人前のエンジニアへと成長していただきます。適性に応じて、将来的には技術リーダー層へのキャリアパスも開かれています。組織構成当社は新卒採用を通じた若手エンジニア育成の経験が豊富で、その知見を活かしてキャリア入社のポテンシャル層の育成にも自信があります。入社後は、住友電工グループ全社の教育プログラム、部内の技術教育、OJTを組み合わせた育成体系のなかで、数年かけて一人前のエンジニアへと成長していただきます。適性に応じて、将来的には技術リーダー層へのキャリアパスも開かれています。本ポジションの魅力
■技術面・GaN HEMTの進化に合わせ、高周波パッケージの材料・構造・製造技術が重要度を増している領域で、技術開発に関われます。・世界で初めてGaN HEMTを量産製品化した実績を持つ組織で、高周波パッケージ技術の開発に携われます。・材料、熱設計、高周波特性、機構設計、製造プロセスを横断する、多面的な技術チャレンジのある仕事です。
■環境・ポジション面・国内資本の大手メーカーだからこその安定した経営基盤のもと、腰を据えてじっくりチャレンジいただけます。・住友電工グループの教育プログラムや部内OJTなど、人材育成を支える仕組みが整っています。
応募資格 必須条件(MUST)下記いずれかに該当する方・大学または大学院で機械工学/材料工学/電気工学/電子工学/応用物理等を専攻された方・半導体パッケージ、セラミックパッケージ、電子部品実装、熱設計いずれかの実務経験・CAD等による機構設計・作図経験、機構部品の信頼性試験・解析経験・電子デバイスのパッケージ/実装に関する研究経験(修士・博士論文テーマ、ポスドク経験を含む)歓迎条件(WANT)下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします・半導体パッケージ製造装置の選定・導入・立ち上げ経験・高周波(GHzオーダー)領域のパッケージ技術に関する知見・セラミック・金属材料の知識(AlN、銅タングステン、銅モリブデン等)・熱設計シミュレーションの経験・英語または中国語による技術コミュニケーション能力求める人物像・物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方・電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方・腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)【職種 / 募集ポジション】 【山梨】高周波パッケージ開発エンジニア(中核候補)【雇用形態】 正社員【給与】年収 4,500,000円 〜 8,000,000円年収:450万円 〜 800万円/月給:28万円 〜 40万円
※経験・能力等を考慮し当社規定により決定 昇給:年1回(6月) 賞与:年2回(6月・12月)
※2025年度実績 5.3ヶ月 諸手当:通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当【勤務地】409-3883 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000山梨事業所最寄駅:JR 身延線 国母駅 (変更の範囲: 会社の定める場所)【その他】定年:65歳 試用期間:あり。3か月。
山梨県中巨摩郡昭和町
当サイトが取得した公式公開情報では確認できません。応募前に最新の公式募集要項をご確認ください。
正社員
当サイトが取得した公式公開情報では確認できません。応募前に最新の公式募集要項をご確認ください。
当サイトが取得した公式公開情報では確認できません。応募前に最新の公式募集要項をご確認ください。
当サイトが取得した公式公開情報では確認できません。応募前に最新の公式募集要項をご確認ください。
一部分類項目は未確認です。公式募集要項と確認根拠を併せて確認してください。
A:半導体直接職 — 半導体のデバイス・設計・工程・製造・装置・材料・検査・実装を直接担う仕事
判定の確度:A-high(対象・技術行為・成果物が求人票内で直接一致)
携帯電話基地局向けGaN HEMT・高出力増幅器を収容する高周波パッケージの開発エンジニアを募集します。高性能化・小型化を支えるパッケージの材料選定、構造設計、製造立ち上げ、工程改善まで一気通貫で担っていただきます。具体的な仕事内容