半導体製造ラボ

公式求人詳細

【山梨】高周波パッケージ開発スペシャリスト(UIターン歓迎)

住友電工デバイス・イノベーション株式会社の公式求人。勤務地は山梨県、採用区分は中途、職種カテゴリはプロセス / デバイスです。

分類・ページ生成
2026/07/27
求人DB生成
2026/07/25

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必須・歓迎・働き方

公式求人票の明記内容のみ

必須 応募条件

  • (MUST)下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方
  • 半導体パッケージ、セラミックパッケージ、電子部品実装の設計
  • 開発経験
  • 高周波パッケージまたは高出力トランジスタ用パッケージの開発経験
  • パッケージ製造装置の選定/導入/立ち上げ経験
  • 熱設計、機構設計、信頼性試験の実務経験

歓迎 あると活かせる経験

  • )下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方
  • 半導体パッケージ、セラミックパッケージ、電子部品実装の設計
  • 開発経験
  • 高周波パッケージまたは高出力トランジスタ用パッケージの開発経験
  • パッケージ製造装置の選定/導入/立ち上げ経験
  • 熱設計、機構設計、信頼性試験の実務経験

働き方 勤務条件

勤務地
山梨県
リモート
記載なし
勤務帯
記載なし
出張
記載なし
オンコール
記載なし
転居
記載なし
想定役割
記載なし
転勤
記載なし

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同社の公開求人全体

純増減 +4件

当DBの直近90日観測で、住友電工デバイス・イノベーション株式会社は新規 4件・終了 0件。現在公開 4件です。

同職種の掲載給与

設計エンジニア

中央値 1,200万円

掲載年収レンジの中点を比較。給与確認済み 95件/同職種 261件です。

類似求人の必須スキル

設計エンジニア

  • 業務英語 61件 23%
  • 回路設計 54件 21%
  • Python 21件 8%
  • CAD 18件 7%
  • 機械設計 18件 7%

新規・終了は当DBでの観測差分であり、市場成長や採用需要の増減を単独では示しません。 直近30日は収集対象拡張の影響を含みます。

企業公式情報から整理

募集要項

企業の公式採用ページまたは公式に委任された採用システムの公開情報を、項目別に整理しています。 確認できない条件は推測せず、公式募集要項への案内を表示します。

4/8 公式情報で確認できた項目

仕事内容

公式情報あり

募集背景

当社は2007年に世界で初めてGaN HEMTの製品化に成功して以来、携帯電話基地局向け化合物半導体デバイスのグローバルサプライヤーとして、国内外の主要基地局ベンダー様向けに製品を提供してまいりました。GaN HEMTの高出力化・高周波化に伴い、これを収容する高周波パッケージの材料・構造・製造技術が製品競争力を左右する重要領域となっています。ポスト5G時代の基地局市場拡大に対応し、本領域を担うスペシャリストの方を募集いたします。

ポジション概要

携帯電話基地局向けGaN HEMT・高出力増幅器を収容する高周波パッケージの開発エンジニアを募集します。高性能化・小型化を支えるパッケージの材料選定、構造設計、製造立ち上げ、工程改善まで一気通貫で担っていただきます。具体的な仕事内容

■主な業務・高周波パッケージの開発(材料選定、構造設計、熱設計、高周波特性維持)・パッケージ製造装置の選定/導入/立ち上げ・試作・製造立ち上げ、製造工程の問題に対する改善検討・機構部品の信頼性試験、解析・CAD等による作図

■扱う技術領域・パッケージ材料:高熱伝導セラミック(AlN等)、銅タングステン、銅モリブデン等のメタル系放熱基板材料・パッケージ構造:高周波特性を維持する構造設計、熱マネジメント、小型化設計・製造プロセス:接合、封止、実装、信頼性評価・応用:ポスト5G向けGaN HEMTパッケージ(変更の範囲: 会社の定める業務)期待する役割・ミッション半導体パッケージ開発または類似領域で長年培われた専門性を活かし、スペシャリストとして手を動かしながら、若手エンジニアを指導していただくことを期待しています。キャリアパス入社後は部のテクニカル・エキスパートとして、GaN HEMT向け高周波パッケージの開発に深く関わっていただきます。電機メーカーやデバイスメーカーでの知見を継続してスペシャリストとして生かしたい方、UIターンで山梨での落ち着いた開発環境をお求めの方に適したキャリア形成が可能です。組織構成電子デバイス事業部 電子デバイス第一開発部高周波パッケージ開発、顧客向け製品開発、GaN HEMTのデバイス技術開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは、高周波パッケージ開発を担う領域への配属を想定しています。山梨事業所を主な拠点としています。30代・40代前半のメンバーも多数在籍しており、世代を超えたコミュニケーションが活発な職場です。本ポジションの魅力

■技術面・GaN HEMTの進化に合わせ、高周波パッケージの材料・構造・製造技術が重要度を増している領域で、技術開発に関われます。・世界で初めてGaN HEMTを量産製品化した実績を持つ組織で、高周波パッケージ技術の開発に携われます。・材料、熱設計、高周波特性、機構設計、製造プロセスを横断する、多面的な技術チャレンジのある仕事です。

■環境・ポジション面・国内資本の大手メーカーだからこその安定した経営基盤のもと、腰を据えてじっくりチャレンジいただけます。・住友電工グループの教育プログラムや部内OJTなど、人材育成を支える仕組みが整っています。

対象となる方

公式情報あり

応募資格 必須条件(MUST)下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方・半導体パッケージ、セラミックパッケージ、電子部品実装の設計・開発経験・高周波パッケージまたは高出力トランジスタ用パッケージの開発経験・パッケージ製造装置の選定/導入/立ち上げ経験・熱設計、機構設計、信頼性試験の実務経験歓迎条件(WANT)下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方・半導体パッケージ、セラミックパッケージ、電子部品実装の設計・開発経験・高周波パッケージまたは高出力トランジスタ用パッケージの開発経験・パッケージ製造装置の選定/導入/立ち上げ経験・熱設計、機構設計、信頼性試験の実務経験求める人物像・物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方・電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方・腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)【職種 / 募集ポジション】 【山梨】高周波パッケージ開発スペシャリスト(UIターン歓迎)【雇用形態】 正社員【給与】年収 4,500,000円 〜 8,000,000円年収:450万円 〜 800万円/月給:28万円 〜 40万円

※経験・能力等を考慮し当社規定により決定 昇給:年1回(6月) 賞与:年2回(6月・12月)

※2025年度実績 5.3ヶ月 諸手当:通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当【勤務地】409-3883 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000山梨事業所最寄駅:JR 身延線 国母駅 (変更の範囲: 会社の定める場所)【その他】定年:65歳 試用期間:あり。3か月。

勤務時間

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給与

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待遇・福利厚生

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休日・休暇

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求人情報

求人名
【山梨】高周波パッケージ開発スペシャリスト(UIターン歓迎)
会社名
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
半導体直接関連度
A:半導体直接職
職種カテゴリ
プロセス / デバイス
勤務地
山梨県
都道府県
山梨県
市区町村
中巨摩郡昭和町
地域区分
中部
公式記載の勤務地
山梨県中巨摩郡昭和町
勤務地確認
通常
採用区分
中途
雇用形態
正社員
給与
公式募集要項で確認
求人取得日
2026/07/21
最終監査日
2026/07/21
掲載状態
募集中
公式募集要項
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公式応募ページ
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5軸分類

企業カテゴリ
半導体デバイス
職種ファミリー
プロセス / デバイス
具体職種
設計エンジニア
対象製品
パワー半導体
関連工程・技術
工程未分類
半導体直接関連度
A:半導体直接職
関連職種
プロセス / デバイス / 設計エンジニア
関連工程
工程未分類
関連技術
精密機構 / 熱・温調設計 / RF・高周波
勤務地エリア
中部

一部分類項目は未確認です。公式募集要項と確認根拠を併せて確認してください。

半導体直接関連度の判定根拠

A:半導体直接職 — 半導体のデバイス・設計・工程・製造・装置・材料・検査・実装を直接担う仕事

判定の確度:A-high(対象・技術行為・成果物が求人票内で直接一致)

携帯電話基地局向けGaN HEMT・高出力増幅器を収容する高周波パッケージの開発エンジニアを募集します。高性能化・小型化を支えるパッケージの材料選定、構造設計、製造立ち上げ、工程改善まで一気通貫で担っていただきます。具体的な仕事内容

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