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公式求人詳細

【山梨】高周波増幅器設計エンジニア(中核候補)

住友電工デバイス・イノベーション株式会社の公式求人。勤務地は山梨県、採用区分は中途、職種カテゴリはプロセス / デバイスです。

分類・ページ生成
2026/07/27
求人DB生成
2026/07/25

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必須・歓迎・働き方

公式求人票の明記内容のみ

必須 応募条件

  • (MUST)下記いずれかに該当する方
  • 大学または大学院で電気工学/電子工学/応用物理/物理
  • 物性等を専攻された方(社会人経験が同領域の開発以外であっても、基礎知識のキャッチアップ意欲があれば対象)
  • 高周波回路設計、RFアンプ、電磁界シミュレーション、GHz帯測定いずれかの実務経験をお持ちの方
  • 無線通信、高周波、アンテナ、RFシステム等に関する研究経験(修士
  • 博士論文テーマ、ポスドク経験を含む)

歓迎 あると活かせる経験

  • )下記いずれか満たす方は特に
  • いたします
  • 高周波シミュレータ(ADS、MWO/AWR)の使用経験
  • CAD等による回路図作成経験
  • GHz帯のRF測定経験
  • 英語または中国語による技術コミュニケーション能力

働き方 勤務条件

勤務地
山梨県
リモート
記載なし
勤務帯
記載なし
出張
記載なし
オンコール
記載なし
転居
記載なし
想定役割
記載なし
転勤
記載なし

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純増減 +4件

当DBの直近90日観測で、住友電工デバイス・イノベーション株式会社は新規 4件・終了 0件。現在公開 4件です。

同職種の掲載給与

設計エンジニア

中央値 1,200万円

掲載年収レンジの中点を比較。給与確認済み 95件/同職種 261件です。

類似求人の必須スキル

設計エンジニア

  • 業務英語 61件 23%
  • 回路設計 54件 21%
  • Python 21件 8%
  • CAD 18件 7%
  • 機械設計 18件 7%

新規・終了は当DBでの観測差分であり、市場成長や採用需要の増減を単独では示しません。 直近30日は収集対象拡張の影響を含みます。

企業公式情報から整理

募集要項

企業の公式採用ページまたは公式に委任された採用システムの公開情報を、項目別に整理しています。 確認できない条件は推測せず、公式募集要項への案内を表示します。

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仕事内容

公式情報あり

募集背景

当社は2007年に世界で初めてGaN HEMTの製品化に成功して以来、携帯電話基地局向け化合物半導体デバイスのグローバルサプライヤーとして、国内外の主要基地局ベンダー様向けに製品を提供してまいりました。ポスト5G時代を見据えた基地局市場の拡大に対応するため、顧客要求仕様を起点に高周波増幅器の設計開発をリードする中核エンジニアを募集いたします。

ポジション概要

携帯電話基地局向けGaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発を担うエンジニアを募集します。国内外の主要基地局ベンダー様からの顧客要求仕様を受け、ドハティ増幅器等の回路設計から試作・評価・製品化まで、顧客と並走しながら開発をリードいただきます。具体的な仕事内容

■主な業務・顧客要求仕様を起点とした回路トポロジ検討(ドハティ増幅器、非対称ドハティ、3-way/4-way等)・高周波シミュレータ(ADS、MWO/AWR)による回路設計、電磁界解析・試作品の高周波特性・信頼性評価(GHzオーダーRF測定)・デバイス設計部門・パッケージ設計部門との協働、プロセス技術者との課題解決・顧客との技術コミュニケーション(コンカレント・エンジニアリング)

■扱う技術領域・RFパワーアンプ:ドハティ増幅器、広帯域電力増幅器、DPD対応、効率化・デバイス:GaN HEMT・応用:ポスト5G基地局向け高出力増幅器(変更の範囲: 会社の定める業務)期待する役割・ミッション入社後、教育体系と現場OJTを通じて、GaN HEMT増幅器の回路設計、高周波シミュレーション、顧客折衝のスキルをキャッチアップしていただき、数年後には顧客向けプロダクト開発を任せられるエンジニアとしてご活躍いただくことを期待しています。キャリアパス当社は新卒採用を通じた若手エンジニア育成の経験が豊富で、その知見を活かしてキャリア入社のポテンシャル層の育成にも自信があります。入社後は、住友電工グループ全社の教育プログラム、部内の技術教育、OJTを組み合わせた育成体系のなかで、数年かけて一人前のエンジニアへと成長していただきます。適性に応じて、将来的には技術リーダー層へのキャリアパスも開かれています。組織構成電子デバイス事業部 電子デバイス第一開発部顧客向け製品開発、GaN HEMTのデバイス技術開発、高周波パッケージ開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは、顧客向け製品開発を担う領域への配属を想定しています。山梨事業所を主な拠点としています。30代・40代前半のメンバーも多数在籍しており、世代を超えたコミュニケーションが活発な職場です。本ポジションの魅力

■技術面・2007年に世界で初めてGaN HEMTを量産製品化し、現在も世界有数の市場シェアを持つ増幅器製品開発の最前線に関われます。・材料・物性・高周波回路・顧客要求の統合点で設計判断を下す、電子デバイスの総合格闘技ともいえる仕事です。・国内外の主要基地局ベンダー様とのコンカレント・エンジニアリングを通じて、顧客目線でのプロダクト開発スキルが身につきます。

■環境・ポジション面・国内資本の大手メーカーだからこその安定した経営基盤のもと、腰を据えてじっくりチャレンジいただけます。・住友電工グループの教育プログラムや部内OJTなど、人材育成を支える仕組みが整っています。

対象となる方

公式情報あり

応募資格 必須条件(MUST)下記いずれかに該当する方・大学または大学院で電気工学/電子工学/応用物理/物理・物性等を専攻された方(社会人経験が同領域の開発以外であっても、基礎知識のキャッチアップ意欲があれば対象)・高周波回路設計、RFアンプ、電磁界シミュレーション、GHz帯測定いずれかの実務経験をお持ちの方・無線通信、高周波、アンテナ、RFシステム等に関する研究経験(修士・博士論文テーマ、ポスドク経験を含む)歓迎条件(WANT)下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします・高周波シミュレータ(ADS、MWO/AWR)の使用経験・CAD等による回路図作成経験・GHz帯のRF測定経験・英語または中国語による技術コミュニケーション能力求める人物像・物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方・電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方・腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)【職種 / 募集ポジション】 【山梨】高周波増幅器設計エンジニア(中核候補)【雇用形態】 正社員【給与】年収 4,500,000円 〜 8,000,000円年収:450万円 〜 800万円/月給:28万円 〜 40万円

※経験・能力等を考慮し当社規定により決定 昇給:年1回(6月) 賞与:年2回(6月・12月)

※2025年度実績 5.3ヶ月 諸手当:通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当【勤務地】409-3883 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000山梨事業所最寄駅:JR 身延線 国母駅 (変更の範囲: 会社の定める場所)【その他】定年:65歳 試用期間:あり。3か月。

勤務時間

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給与

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待遇・福利厚生

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休日・休暇

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求人情報

求人名
【山梨】高周波増幅器設計エンジニア(中核候補)
会社名
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
半導体直接関連度
A:半導体直接職
職種カテゴリ
プロセス / デバイス
勤務地
山梨県
都道府県
山梨県
市区町村
中巨摩郡昭和町
地域区分
中部
公式記載の勤務地
山梨県中巨摩郡昭和町
勤務地確認
通常
採用区分
中途
雇用形態
正社員
給与
公式募集要項で確認
求人取得日
2026/07/21
最終監査日
2026/07/21
掲載状態
募集中
公式募集要項
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公式応募ページ
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5軸分類

企業カテゴリ
半導体デバイス
職種ファミリー
プロセス / デバイス
具体職種
設計エンジニア
対象製品
パワー半導体
関連工程・技術
工程未分類
半導体直接関連度
A:半導体直接職
関連職種
プロセス / デバイス / 設計エンジニア
関連工程
工程未分類
関連技術
電気・回路 / RF・高周波
勤務地エリア
中部

一部分類項目は未確認です。公式募集要項と確認根拠を併せて確認してください。

半導体直接関連度の判定根拠

A:半導体直接職 — 半導体のデバイス・設計・工程・製造・装置・材料・検査・実装を直接担う仕事

判定の確度:A-high(対象・技術行為・成果物が求人票内で直接一致)

携帯電話基地局向けGaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発を担うエンジニアを募集します。国内外の主要基地局ベンダー様からの顧客要求仕様を受け、ドハティ増幅器等の回路設計から試作・評価・製品化まで、顧客と並走しながら開発をリードいただきます。具体的な仕事内容

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