メモリセルデバイス開発エンジニア

【採用背景】 近年、AIの活用が急速に進み、扱うデータ量が急激に増えています。それに伴い、データを保存・処理するための半導体ストレージ製品のニーズや性能への要求もますます高まっています。当社では、より多くのデータを保存できる高密度で、壊れにくく信頼性の高い高品質なフラッシュメモリ製品を、いち早く市場に送り出すことで、業界をリードしています。本ポジションの配属先となる当部門は、次世代製品の試作・評価を通じて性能・信頼性の向上を図り、次世代製品として量産可能な技術の確立を目指しています。バイタリティがあり、新しいことに主体的に取り組んでいただける仲間を募集します。これまでの経験を活かしながら、新しい視点や発想で開発をリードしていただくことを期待しています。

【組織のミッション】 次世代フラッシュメモリ製品の開発を担当しています。フラッシュメモリは、スマートフォンやPC、データセンターなどで使われる不揮発性の記憶装置で、情報社会の基盤を支える技術です。当社のBiCS FLASHTMは、メモリセルを立体的に積層し、記憶密度を大幅に向上させた世界最先端の技術です。AIやIoTの普及に伴い、高速・大容量・高信頼のメモリ需要が高まる中、BiCS FLASHTMはその中核技術として進化を続けています。本ポジションでは、次世代製品の試作・評価を通じて性能と品質を向上させ、量産技術の確立を目指します。今後も市場の高い要求に応え、新技術を積極的に取り入れながら効率的な開発を推進していきます。

【お任せする業務】 次世代フラッシュメモリの開発部署にて、記憶素子として用いられるメモリセルのデバイス開発を担当していただきます。要求性能に基づくターゲット構造の設定から、試作・評価を繰り返し行い、製品の性能および信頼性の向上を図ります。最終的には、次世代製品として量産可能な技術の確立をミッションとしています。主体的に新たな課題に取り組み、技術革新を推進できるバイタリティあふれる技術者のご応募をお待ちしております。

【具体的な仕事内容】

■要求性能に対するターゲット構造の提案

■試作業務 (PC作業、...

【必須要件】

■物理・化学・電気・半導体いずれかの基礎的知識を有する方

■大規模なものづくりに携わった経験がある方

■英文での技術文書読解・作成ができる方 【歓迎要件】

■半導体ストレージ(フラッシュメモリ、DRAM等)またはMOSFET等の半導体デバイス開発・設計・評価の実務経験

■半導体製造プロセス(成膜、リソグラフィ、エッチング等)に関する知識、またはクリーンルーム内での試作・実験の経験

■物理解析(TEM、SEM、SIMS等)のデータを用いた構造・不良解析の経験

■信頼性評価(劣化メカニズムの解析、加速試験の設計など)の経験

■TCAD等のデバイス・プロセスシミュレーションツールの使用経験

■複数の関係部門(プロセス開発、回路設計、信頼性保証など)と連携し、課題解決を主導した経験

■英語を用いた海外拠点や社外ベンダーとの技術討論・折衝経験 【学歴】 大卒以上

三重県四日市 (四日市工場) / 三重県四日市市

勤務時間 :8時30分~17時15分(

※休憩時間60分、フレックスタイム制)

・休日・休暇 :年間休日125日(2026年度)、完全週休2日制(土日)、 祝日、GW、夏季、年末年始、有給休暇、赴任休暇、介護休暇、 妊娠保護休暇、看護等休暇等

・諸手当:次世代育成手当 (18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月) 住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当、在宅

正社員

給与:月給33.3万~80万円(想定年収 550万~1260万円)

※上記の下限は初任給(学卒新人)です

諸手当:次世代育成手当 (18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月) 住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当、在宅勤務手当等

・寮・社宅:独身寮、単身寮、家族社宅

・その他:昇給年1回、賞与年2回(7月、12月)、交通費支給(規定による)、 在宅勤務制度、財形貯蓄制度、企業年金制度、従業員持株制度、健康保険、雇用保険、労災保険等

※管理職採用の場合、年俸制

休日・休暇 :年間休日125日(2026年度)、完全週休2日制(土日)、 祝日、GW、夏季、年末年始、有給休暇、赴任休暇、介護休暇、 妊娠保護休暇、看護等休暇等

・諸手当:次世代育成手当 (18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月) 住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当、在宅勤務手当等

・寮・社宅:独身寮、単身寮、家族社宅

・その他:昇給年1回、賞与年2回(7月、12月)、交通費支給(規定による)、 在宅勤務制度、財形貯蓄制度、企業年