ROHM第5世代SiC MOSFET、高温オン抵抗をどこで比較するか

最終更新日: 2026/07/05
出典方針: 公式資料・公開資料を優先
対象範囲: systems / deep-dive

xEVのtraction inverterやAI server電源では、室温のRDS(on)だけでSiC MOSFETの採否を確定できません。高温でオン抵抗が増えると導通損失が熱へ戻り、同じinverterやpower supply unitでも冷却、package、chip面積、switching lossを同じ表で比べる必要があります。ROHMの2026年4月21日公式発表は、この採否項目を「第5世代SiC MOSFET」という製品名ではなく、Tj=175°C時のオン抵抗、同じ耐圧・同じchip size、sample提供時期の数値欄として突き合わせられる資料です。

この記事では、ROHM第5世代SiC MOSFETを「低損失化の発表」とだけまとめません。高温オン抵抗を下げることを、xEV traction inverter、onboard charger、AI server / data center電源で比べる採否項目に分けます。公式出典確認日は2026年7月4日です。顧客採用、出荷量、share順位、量産recipe、acceptance criteriaは公開sourceから確定できないため本文に含めません。

ROHM第4世代と第5世代SiC MOSFETを同耐圧・同chip size条件で比べ、高温オン抵抗低減が損失と熱に返る流れを示した比較図 — 同じ耐圧・同じchip sizeで比べると、高温RDS(on)の差は導通損失、冷却余裕、power densityの採否項目へ返る。

高温RDS(on)を先に比べる理由

ROHMはSiC MOSFETについて、低オン抵抗だけでなく、高温、高周波、高耐圧でsiliconより有利な材料特性を掲げています。ROHMのSiC MOSFET公式ページは、SiC MOSFETがswitching時のtail currentをなくし、switching lossを下げること、低いオン抵抗と小さいchip sizeによりcapacitanceとgate chargeを減らせることを掲載しています。同ページはさらに、silicon deviceでは温度上昇でオン抵抗が2倍超になり得る一方、SiCはオン抵抗増加が小さいと記載しています。

採否表へ最初に入れる項目は、この温度依存です。ROHMは、第5世代SiC MOSFETについて、構造改善と製造工程の最適化により、従来の第4世代製品と比べてTj=175°C時のオン抵抗を約30%低減したと発表しました。条件は、同じ耐圧、同じchip sizeです。したがって、採否項目は「第5世代だから強い」ではなく、同じchip面積で高温時の導通損失をどこまで下げられるかになります。

同耐圧・同chip sizeの条件が採否表を作る

power deviceの比較では、オン抵抗だけを小さくすればよいわけではありません。chipを大きくするとオン抵抗は下げやすくなりますが、capacitance、gate charge、cost、package面積、熱の逃げ方が変わります。耐圧を変えれば、同じ回路での余裕も変わります。

ROHM発表の条件は、同じ耐圧、同じchip sizeです。高温時のRDS(on)差を、chip面積を増やした結果ではなく、構造改善と製造工程の最適化による差として採否表に入れます。公開sourceは細かなcell構造、implant条件、gate oxide条件、anneal条件を掲載していません。この記事では、工程recipeを補完せず、公式発表にある「高温オン抵抗」「同耐圧」「同chip size」だけを採否表に残します。

xEV inverterでは熱と出力密度へ返る

traction inverterでは、batteryから来るDCをmotor向けの三相ACへ変換します。ROHM公式発表のTerminology欄は、traction inverterを、battery由来のDCを三相ACへ変換してtraction motorを駆動する回路として示しています。ここでSiC MOSFETのRDS(on)が高温で増えると、conduction lossが増え、module、cooling plate、heat sink、package抵抗の採否項目へ戻ります。

ROHMは、第5世代SiC MOSFETがxEV traction inverterなど高温用途でunitの小型化と出力向上に寄与すると掲げています。本文では、この表現を顧客採用や車種採用へ広げません。公開sourceから言えるのは、高温時のオン抵抗低減が、同じchip size条件で損失と発熱を下げ、inverterのpower densityを比べる材料になることまでです。

AI server電源ではRDS(on)、gate charge、冷却を同じ表に入れる

ROHM公式発表は、AI serverやdata center向けpower suppliesも対象用途として挙げています。AI server電源では、high power density、converter efficiency、thermal design、board area、gate drive lossが同時に採否項目になります。SiC MOSFETの低いRDS(on)は導通損失を下げますが、switching frequency、gate charge、capacitance、package thermal resistanceを同じ設計表へ入れなければ、電源全体の損失は確定できません。

このため、ROHMの第5世代発表は、AI server電源を「SiCなら高効率」と示す材料ではなく、高温RDS(on)を入口にしてgate drive、switching loss、cooling、packageへ試験項目を広げる入口になります。ROHMのSiC Power Devicesページは、EcoSiCについて、wafer fabrication、process development、packaging、quality controlまで社内で開発する体制を掲載しています。これは、power deviceの採否がdie単体ではなく、製造、package、品質管理まで連続することを示す公式sourceです。

Sample提供時期と製品形態を分ける

ROHMは、第5世代SiC MOSFETのbare die businessを2025年に支援開始し、2026年3月に開発を完了し、2026年7月から第5世代SiC MOSFETを搭載したdiscrete devicesとmodulesのsample提供を始めると発表しています。source欄へ残す項目は、bare die、discrete、moduleという製品形態と、sample提供の時期です。

一方で、量産採用、顧客名、納入台数、車載inverterでの搭載範囲、AI server電源での採用範囲を支える根拠は、この公式発表のsource欄にはありません。記事のDB metadataにも、source linkは公式発表とROHM公式製品ページに限り、customer adoption inferenceやmarket reactionは含めません。

公開sourceから次に突き合わせる項目

第5世代SiC MOSFETを追跡する次の公開sourceでは、次の項目を分けて突き合わせます。

採否項目	今回の公式sourceにある範囲	追加sourceで突き合わせる項目
高温RDS(on)	Tj=175°Cで第4世代比約30%低減、同耐圧・同chip size	個別型番のRDS(on)-temperature curve
switching loss	SiC MOSFET製品ページがtail current低減、capacitance、gate chargeに言及	第5世代型番ごとのQg、Ciss/Coss、double pulse条件
thermal design	高温用途で小型化・高出力化に寄与する説明	package thermal resistance、module構造、cooling条件
製品形態	bare die、discrete、module、2026年7月sample提供	型番、耐圧展開、package option、automotive grade範囲
用途	xEV traction inverter、OBC、DC-DC converter、AI server/data center電源など	個別application note、reference design、design simulation model

この記事の結論は、ROHM第5世代SiC MOSFETを単体性能の発表として消費しないことです。高温RDS(on)を同耐圧・同chip sizeで比べられるため、traction inverterやAI server電源の採否表では、導通損失、switching loss、cooling、package、sample提供形態を分けて追跡対象にします。次の公式sourceでは、個別型番のtemperature curve、gate charge、package thermal data、module形態を突き合わせ、第5世代SiC MOSFETの投入候補になる電源段をさらに絞ります。