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DDR5とは

DDR5とは、サーバやPCで使うDRAMモジュール向けの規格世代です。 Samsungは公式ページで、転送速度が最大8,000Mbpsに達すると述べています。

DRAMのセルそのものは、世代が変わってもトランジスタ1個とキャパシタ1個のままです。速度を上げる工夫は、そのセルをどう並べ、どう順番に触るかという外側で行われます。

DDR5が採った手は2つあり、どちらも「倍にする」ことでした。Samsungは公式ページで、DDR4に対して最大2.5倍の帯域を実現し、バーストレングスを8から16へ、バンク数を16から32へ倍にしたと述べています。

バンクを倍にすると、待ち時間を隠せます。DRAMのセルは1回読むたびに内部で準備の時間が要りますが、その間ほかのバンクへアクセスできれば、外から見た待ち時間は埋まります。バンクが多いほど同時に進められる仕事が増えます。

バーストレングスを倍にすると、1回の指示で運ぶ量が増えます。アドレスを指定する手間は同じまま、運ぶデータが倍になるため、手間に対する成果が上がります。

倍にした2つ
DDR4バンク16バースト8DDR5バンク32バースト16効き方が違う2つバンク倍:待ち時間を隠せる別のバンクを触っている間に準備が進むバースト倍:1回で運ぶ量が増えるアドレス指定の手間は同じまま合わせてDDR4の最大2.5倍の帯域
バンクを16から32へ倍にすると、あるバンクの準備中に別のバンクを触れるため待ち時間が隠れます。バーストレングスを8から16へ倍にすると、1回の指示で運ぶ量が増えます。効き方の違う2つを重ねています。

誤り訂正と電源をチップ側・モジュール側へ

Section titled “誤り訂正と電源をチップ側・モジュール側へ”

速度を上げると、信号の余裕は減ります。DDR5はここへ2つの手当てを入れています。

直す場所も、電源をつくる場所も、チップの近くへ寄せた
誤りは、チップの外へ出る前に直すDRAMチップの内側誤りODECC ── 内部で訂正直したあとのデータだけが外へ電源は、モジュールの上でつくる基板側でつくるメモリモジュールPMICマザーボード基板側でつくると、供給点が遠いモジュール上なら、供給点が近い配置は仕組みを示す略図です内側で直す ── ODECCデータの完全性と信頼性の維持を助ける安定した高性能動作を支えるSamsungの公式ページによる説明近くでつくる ── on-DIMM PMICより効率的な電源制御と安定した電力供給HPCサーバ環境での信頼性ある動作を支えるDDR4に対して20%を超える電力効率の向上(同ページ)
速度を上げると信号の余裕が減るため、DDR5は誤りをチップの内側で訂正し、電源をモジュールの上でつくります。どちらも手当てをチップの近くへ寄せる形です。電力効率の値はSamsungの公式ページによるDDR4との比較です。

1つはオンダイECCです。Samsungは公式ページで、DDR5に適用されたODECC(on-die error-correction code)技術がデータの完全性と信頼性の維持を助け、安定した高性能動作を支えると述べています。チップの内部で誤りを訂正するため、外へ出る前に直せます。

もう1つは電源です。同ページは、on-DIMM PMICがより効率的な電源制御と安定した電力供給を可能にし、HPCサーバ環境での信頼性ある動作を支えると述べています。電源の生成をマザーボード側からモジュール側へ移すと、供給点がチップに近づき、電圧の揺れが減ります。同ページはDDR4に対して20%を超える電力効率の向上も挙げています。

DDR5とは何ですか?

サーバやPCで使うDRAMモジュール向けの規格世代です。Samsungは公式ページで、転送速度が最大8,000Mbpsに達し、複雑化するワークロードの要求に応えると述べています。

DDR4と比べて何が変わりましたか?

Samsungは公式ページで、DDR4に対して最大2.5倍の帯域を実現し、バーストレングスを8から16へ、バンク数を16から32へ、いずれも倍にしたと述べています。

バンクを増やすと何が良いのですか?

待ち時間を隠せます。1つのバンクが読み書きの準備をしている間、別のバンクへアクセスできるためです。バンクが多いほど同時に進められる処理が増え、実効的な帯域が上がります。

バーストレングスとは何ですか?

1回のアクセスで連続して転送するデータの個数です。8から16へ倍にすると、同じ回数のアクセスで運べる量が倍になります。アドレスを指定する手間に対して運ぶ量が増えます。

オンダイECCとは何ですか?

Samsungは公式ページで、DDR5に適用されたODECC(on-die error-correction code)技術がデータの完全性と信頼性の維持を助けると述べています。チップの内部で誤りを訂正する仕組みです。

電源管理はどう変わりましたか?

Samsungは公式ページで、on-DIMM PMICがより効率的な電源制御と安定した電力供給を可能にし、HPCサーバ環境での信頼性ある動作を支えると述べています。同ページはDDR4に対して20%を超える電力効率の向上も挙げています。

  • DRAMとは ── セルの原理と、系列が分かれる理由

この記事の事実は次の一次資料を根拠とし、各URLの到達可否をこちらで実測しています。したがって、リンク先が移動または消滅した場合は、その旨をこのページへ反映します。

  • Samsung Semiconductor「DDR5」公式ページ(2026年8月23日にリンク生存を実測、200)
  • Samsung Semiconductor「DRAM」公式ページ(2026年8月23日にリンク生存を実測、200)
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