conference research / Tier s

ISPSD学会研究

power device の回路、構造、材料、module まで対象にするため、Si、SiC、GaN の差を同じ場で比較できます。

International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICsは、パワー半導体 / Wide-Bandgapの観点から power IC、SiC、GaN、module、high-voltage device を確認するための学会です。公式ページ、募集要項、program、proceedings を分けて確認し、研究室DBや求人DBの分類軸へ接続します。