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予防保全とシーズニングとは

予防保全とシーズニングとは、装置が故障する前に計画で停止させて手入れをすることと、その手入れの直後に装置の内側を普段の生産中と同じ状態まで慣らす運転のことです。 前者は停め方の話で、後者は動かし直し方の話です。

SEAJの半導体製造装置用語集は、予防保全(PM)を生産装置の予防保全の全般を指す言葉として載せ、装置の品質改善で最も重要な業務のひとつに数えています。キーエンスはもう少し具体的で、部品ごとに耐用年数や耐用時間を定めておき、一定期間使ったら故障の前に交換する方法だとしています。同社は類義語として時間基準保全(TBM)や定期保全を挙げ、これが広まる前は故障してから直す事後保全が一般的だったと振り返っています。

富士電機は化学プラント向けの記事で、保全方式を事後保全、予防保全、改良保全の3つに区分しています。同社の区分では、予防保全はさらに稼働時間を基準にする時間基準保全と、装置の状態を基準にする状態基準保全(CBM)の2つを含みます。

ここまでは工場設備一般の話です。半導体の前工程では、これにもう一段が加わります。装置の内側を掃除すると、装置は掃除の前とも、普段の生産中とも別の状態になります。そこを埋めるのがシーズニングです。

手入れを省くと、装置は少しずつ別の装置になります

Section titled “手入れを省くと、装置は少しずつ別の装置になります”

大陽日酸は同社の技報で、プラズマCVDのチャンバー内には膜になる成分を主とした固体状の堆積物がたまり、成膜状態の異常やパーティクルの発生を招くため、成膜の頻度に応じて内部をクリーニングする必要があるとしています。同社によれば、広く普及しているのは活性なフッ素原子で堆積物を四フッ化ケイ素に変え、ガスとして排気してしまうドライクリーニングです。以上は2004年の同社報告の記述です。

たまった膜が悪さをする経路は2つあります。ひとつは剥がれて異物になる経路です。JEITAの半導体用語集は、パーティクルがICに構造欠陥を生み、特性と信頼性の劣化や歩留りの低下を引き起こすと記しています。もうひとつは、膜がある状態そのものが結果を左右する経路です。日立国際電気は、CVD炉では反応管の内壁やウェーハボート、排気管への生成物の付着によって成膜結果が変動することが知られているとし、バッチを連続して重ねると膜厚が少しずつ動いていくと述べています。

つまり装置は、同じレシピを流し続けているだけで、内側が日ごとに動いていきます。

掃除した直後には、もう一手間が要ります

Section titled “掃除した直後には、もう一手間が要ります”

掃除で内壁の膜を落とすと、装置は連続生産中よりもきれいな側へ振り切れます。同じレシピを流しても、出てくる結果は普段と別のものになります。

大陽日酸の技報には、この手当てが手順としてそのまま載っています。同社の実験では、まず約820nmの成膜を60秒行い、次に電極まわりへ向けた高圧クリーニングを45秒、チャンバー壁と排気系へ向けた低圧クリーニングを25秒かけ、最後にシーズニングを10秒行っています。シーズニングのレシピは成膜条件と同じです。掃除で落とした膜を、製品を流す前にわざと薄く付け直しているわけです。同社の量産型プラズマCVD装置での条件です。

このとき使うウェーハは、製品以外の枠に入ります。SEAJの用語集はNPW(Non Product Wafer)を、製品デバイスの製造に使うウェーハ以外のダミーウェーハとQCウェーハの総称としており、定期的に装置の品質を測るためのウェーハや、製品の前後に装填するウェーハがここに含まれます。

たまりすぎた壁と、きれいすぎる壁は、どちらも別の結果を返します
内壁にたまった膜の量生産クリーニングシーズニング停止している時間たまりすぎです。剥がれて異物になりますこの幅の中にいる間は、目標どおりの結果になりますきれいすぎます。同じレシピでも結果がずれます膜が厚い膜が薄い生産手入れと慣らし生産クリーニング直後は帯の下へ抜けるため、シーズニングで帯の中へ入れてから製品を流します
クリーニングは内壁の膜を減らす操作なので、行き先は帯の下側になります。そのため手入れのあとには、膜を薄く付け直す工程が別に要ります。

何を測って、どの数字で動かすのか

Section titled “何を測って、どの数字で動かすのか”

日立国際電気は、成膜のときに製品用のウェーハとは別に、測定専用のモニタウェーハを一緒に入れるのが一般的だとしています。同社によれば、成膜後にこのウェーハを膜厚測定器やパーティクルモニタで測れば、その回の成膜について良否判定が付きます。

同社が示す例では、判定基準が数字で引かれています。目標の膜厚を100nm、許容の幅をプラスマイナス1nmとしたとき、バッチの実行回数が増えるにつれて膜厚は薄くなっていきます。そこで上限と下限を超えた時点で、成膜時間を伸ばす向きにプロセスパラメータを調整し、結果を目標へ引き上げます。同社はウェーハボートを5つのゾーンに分けた温度制御についても、中央ゾーンと下部ゾーンの膜厚差が0.5nmの許容幅を超えた時点で下部の温度を上げる例を挙げています。以上は2002年時点の同社の記述です。

こうした「測って、次の回へ渡す」やり方には名前が付いています。SEAJの用語集は、1枚あるいは1バッチ分の成膜を終えた時点で膜厚分布などの結果を測り、次の回での偏差が小さくなるようにレシピへ修正を加える制御をRun-to-Run制御と呼んでいます。装置そのものの調子については、同用語集はFDCとして、稼働データを細かく取ってリアルタイムに解析し、故障の予兆をつかんでダウンの前に保全を行う仕組みを挙げています。

同じレシピを流し続けると、結果のほうが動いていきます
バッチを重ねたときの膜厚の動き調整あり調整なし上限 101nm目標 100nm下限 99nm下限に触れた回で成膜時間を伸ばします1回目11213143回目実行回数
2本の線は最初の調整までほぼ重なります。調整なしのほうは下限の外側へ進み、その回のウェーハが作り直しの対象になります。日立国際電気が示した100nmプラスマイナス1nmの例に沿った図です。

厚くすると失うもの、緩めると失うもの

Section titled “厚くすると失うもの、緩めると失うもの”

保全を厚くする側の代償は、停止している時間とウェーハです。SEAJの用語集はOEE(設備の総合効率)を、装置の稼働時間のうち製品の生産に使われる時間の比率を高めることだとし、そのためには故障とメンテナンスに加えてNPWに費やす時間も減らす必要があるとしています。掃除の時間も、シーズニングに使うウェーハも、この分母を食う側に入ります。富士電機は化学プラント向けの記事で、時間基準保全には装置の状態によっては過度な保全になる可能性があると指摘し、状態基準保全については閾値の決め方に経験とノウハウが要ると述べています。

緩める側の代償は、気付くのが遅れることです。日立国際電気は、ウェーハを装置の外の測定器へ運んで測り終えるまでに最低でも2時間から3時間かかるとし、結果が出る前に次の成膜を実行すると、同じ装置でまた不良のウェーハを作ってしまう可能性があると書いています。2002年時点の記述ですが、測ってから直すまでに時間差があるという構図は今も同じです。この時間差の分だけ、良否判定を待たずに流したロットが後追い調査の対象になります。

もうひとつ、保全そのものが人に依存します。日立製作所は2024年の報告で、自動化が進んだ半導体工場でも人手が要る作業は多く、装置メンテナンスもそのひとつだとしています。同社は、メンテナンスの成否がサービスエンジニアの技量に大きく左右されるため、熟練者の不足への対策としてもスマートメンテナンスの需要が増えていると述べています。周期を詰めるという判断は、その作業を担う人の枚数を詰めるという判断でもあります。

予防保全とは何ですか?

故障の前に、計画にもとづいて点検や部品交換を行う保全方式です。キーエンスは、部品ごとに耐用年数や耐用時間を定めておき、一定期間使ったら故障の前に交換する方法だとしています。SEAJの半導体製造装置用語集は、生産装置の予防保全の全般を指す言葉として載せ、装置の品質改善で最も重要な業務のひとつに数えています。

事後保全との差はどこにありますか?

事後保全は、異常や不具合が起きてから直す方式です。キーエンスは、予防保全が広まる前はこの対処療法的なやり方が一般的だったとし、突然の故障と停止が生産計画に大きく響く点を挙げています。富士電機は化学プラント向けの記事で、事後保全を緊急保全と計画事後保全の2つに区分しています。

シーズニングとは何ですか?

チャンバーの内側を掃除したあとに、製品以外のウェーハや空運転でプロセスを短く回し、内壁の状態を普段の生産中と同じところまで慣らす手順です。大陽日酸の技報が示す実験手順では、成膜、クリーニング、シーズニングの順に進み、シーズニングには成膜と同じレシピが使われています。

なぜ掃除した直後にそのまま製品を流すのを避けるのですか?

内壁の状態そのものが結果を左右するためです。日立国際電気は、CVD炉では反応管の内壁やウェーハボート、排気管への生成物の付着によって成膜結果が変動することが知られていると述べています。掃除で付着物を落とすと、その状態は連続生産中と別のものになります。

保全を省くと何が起きますか?

大陽日酸は、プラズマCVDではチャンバー内に固体状の堆積物がたまり、成膜状態の異常やパーティクルの発生を招くため、成膜の頻度に応じた内部のクリーニングが要るとしています。JEITAの半導体用語集は、パーティクルがICに構造欠陥を生み、特性と信頼性の劣化や歩留りの低下を引き起こすと記しています。

保全の周期は何を基準に決めますか?

稼働時間を基準にする考え方と、装置の状態を基準にする考え方があります。富士電機は前者を時間基準保全(TBM)、後者を状態基準保全(CBM)と呼び分けています。半導体の装置では、これに加えてモニタウェーハで測った膜厚やパーティクル数の推移も材料になります。

保全を厚くすると何を失いますか?

停止している時間と、製品以外に回るウェーハが増えます。SEAJの用語集はOEE(設備の総合効率)について、故障とメンテナンスに加えてNPWに費やす時間も減らす必要があるとしています。富士電機は、時間基準保全が過度な保全になる可能性を指摘しています。

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  • SEAJ「半導体製造装置用語集(Factory Integration)」(2026年9月2日にリンク生存を実測、200)── 予防保全(PM)、FDC、NPW、OEE、Run-to-Run制御の各項目
  • キーエンス「予防保全」IoT用語辞典(2026年9月2日にリンク生存を実測、200)── 部品ごとに耐用年数や耐用時間を定めて交換する方式であること、時間基準保全(TBM)や定期保全という類義語、事後保全との対比
  • 富士電機「化学プラントと保全方式」(2026年9月2日にリンク生存を実測、200)── 事後保全・予防保全・改良保全という3区分、時間基準保全と状態基準保全の違い、過度な保全になる可能性と閾値の決め方の難しさ
  • 大陽日酸「大陽日酸技報 No.23 技術報告 C3F6によるプラズマCVDチャンバークリーニング」(2026年9月2日にリンク生存を実測、200)── 固体状の堆積物が成膜異常とパーティクルを招くこと、ドライクリーニングの仕組み、成膜・クリーニング・シーズニングという手順と各工程の秒数
  • 日立評論「熱処理装置における次世代の成膜安定化技術」2002年3月号(2026年9月2日にリンク生存を実測、200)── 反応管の内壁やウェーハボートへの生成物付着による経時変動、モニタウェーハによる良否判定、100nmプラスマイナス1nmでの調整例、ゾーン間の膜厚差0.5nm、測定に2時間から3時間かかること
  • 日立評論「半導体製造の開発・保守・生産を効率化するスマート技術」2024年11月(2026年9月2日にリンク生存を実測、200)── 装置メンテナンスが人手を要する作業であること、成否がサービスエンジニアの技量に左右されること、熟練者不足を背景にした需要
  • JEITA「半導体用語集(ICガイドブック 用語解説)」(2026年9月2日にリンク生存を実測、200)── パーティクルがICに構造欠陥を生み、特性と信頼性の劣化や歩留りの低下を引き起こすこと
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