コンテンツにスキップ

ウェットエッチングとは

ウェットエッチングとは、薬液を使って層を溶かし、レジストで覆われていない部分を除去する方法です。 薬液が全方向へほぼ均等に働くため等方性になり、材料による溶けやすさの差を大きく取れます。

ウェットエッチングは、エッチングの2分類のうち液体側です。東京エレクトロンの公式用語集は、エッチングをパターン形成したレジストで覆われていない層の一部をウェーハ表面から化学的に除去するプロセスとした上で、液体ベースのウェットエッチングとプラズマベースのドライエッチングの2種類があると述べています。

薬液を使うという性質は、削れる向きと材料選択性の両方へ効きます。薬液は全方向へほぼ均等に働くため、縦へ掘り進むと同時に横へも広がります。レジストで覆われた部分の下へ削れ込むこの現象をサイドエッチと呼び、仕上がりの寸法が設計より広がります。したがって、パターン幅に対して膜が厚い場面ではこの影響が大きくなります。

一方で、材料による溶けやすさの差を大きく取れる点が強みになります。薬液を選ぶことで、削りたい層だけを速く溶かし、下の層をほとんど残せます。この比が選択比です。装置構成が単純で処理枚数を稼ぎやすい点も、犠牲層の除去や酸化膜の除去といった用途で活きます。

削りたい層だけが速く溶けるように、薬液を選びます
ひたす前同じ時間ひたした後削りたい層下の層2つの層が重なっています同じ薬液溶けてなくなりました下の層ほとんど残ります薬液を選ぶことで、溶けやすさに差をつけます溶ける速さ削りたい層下の層この速さの比が選択比です右の棒の長さはたとえで、目盛りではありません
薬液を選ぶと、削りたい層と下の層とで溶ける速さに差がつきます。同じ時間ひたしても上の層だけがなくなり、下の層はほとんど残ります。この速さの比が選択比です。
等方性とサイドエッチ ─ 横へも同じだけ進む
薬液は全方向へ同じ速さで進むレジスト縦の削れ量横の削れ量サイドエッチ縦 ≒ 横= 等方性材料の選択比は大きく取れるパターン幅に対して膜が厚いほど、横方向の食い込みが仕上がり寸法へ効く
薬液は全方向へほぼ同じ速さで働くため、縦へ掘り進む距離と横へ広がる距離がほぼ等しくなります。レジストの下へ削れ込む分だけ、仕上がりの寸法が設計より広がります。その代わり、薬液の選び方で材料ごとの溶けやすさの差を大きく取れます。

ウェットエッチングは洗浄装置と同じ系列で扱われることが多い領域です。芝浦メカトロニクスは公式製品ページで、SC / MC / ARES / CDE をウェットおよびドライのプロセスシステムとして掲載しています。

用途は、微細なパターン形成よりも、犠牲層の除去、酸化膜の除去、洗浄と一体で行う表面処理が中心になります。パターン幅に対して深さが小さく、横方向の食い込みが許容できる場面が向きます。

この用語に対応する装置と製造メーカー

Section titled “この用語に対応する装置と製造メーカー”
ウェットエッチングとは何ですか?

ウェットエッチングは、薬液を使って層を溶かし、レジストで覆われていない部分を除去する方法です。東京エレクトロンの公式用語集は、エッチングに液体ベースのウェットエッチングとプラズマベースのドライエッチングの2種類があると述べています。

ウェットエッチングとドライエッチングの違いは何ですか?

削れる向きの偏りが異なります。ウェットエッチングは薬液が全方向へほぼ均等に働くため等方性になり、レジストの下へも横に食い込みます。ドライエッチングはイオンが基板へ向かって入射するため異方性になり、縦方向へ選択的に削れます。

サイドエッチとは何ですか?

レジストで覆われた部分の下へ、横方向に削れ込む現象を指します。等方性のウェットエッチングでは避けにくく、仕上がりの寸法が設計より広がります。パターン幅に対して膜が厚いほど、この影響が大きくなります。

ウェットエッチングの強みは何ですか?

材料による溶けやすさの差を大きく取れる点です。薬液を選ぶことで、削りたい層だけを速く溶かし、下の層をほとんど残せます。この比が選択比です。装置構成が単純で処理枚数を稼ぎやすい点も強みになります。

ウェットエッチングはどこで使われますか?

微細なパターン形成よりも、犠牲層の除去、酸化膜の除去、洗浄と一体で行う表面処理などで使われます。パターン幅に対して深さが小さく、横方向の食い込みが許容できる場面が向きます。

ウェットエッチング装置のメーカーはどこですか?

洗浄装置と同じ系列で扱われることが多い領域です。芝浦メカトロニクスは公式製品ページで、SC / MC / ARES / CDE をウェットおよびドライのプロセスシステムとして掲載しています。当サイトの装置カタログDBでも、洗浄とエッチングを兼ねる製品familyを引けます。

この記事の事実は次の一次資料を根拠とし、各URLの到達可否をこちらで実測しています。したがって、リンク先が移動または消滅した場合は、その旨をこのページへ反映します。

  • 東京エレクトロン 公式用語集「Etching」(2026年8月21日にリンク生存を実測、200)
  • 芝浦メカトロニクス「SC / MC / ARES / CDE」公式製品ページ(2026年8月21日にリンク生存を実測、200)
  • 装置と製造メーカーの行は intel.equipment_vendor_families(公式製品ページ由来)から生成
回答待ち 更新中 公開Q&A

このページの質問窓口

AIに疑問を送る

「匿名で送信する」を押して内容を送ると、受付ID付きの回答URLを発行します。URLでは進捗を追うことができ、通常は1日以内に回答します。個人情報を取り除いて編集した質問と回答だけを、承認済み資料の出典リンクとともに公開Q&A一覧へ掲載します。

通常、1日以内に回答します 回答待ち 更新中

  1. 匿名で送る 分かりにくい箇所、指摘、追加してほしい内容を書きます。
  2. 受付IDと回答URLを保存する 送信後に発行されるURLへ、進捗が順次反映されます。
  3. 進捗と回答を追う URLには、受付済み、回答作成中、解決済みの状態と回答が載ります。
公開Q&A一覧へ 5〜4,000文字。氏名・連絡先などの個人情報、秘密情報は入力禁止です。

このフォームは匿名です。氏名・連絡先・応募情報などの個人情報、秘密情報、社外秘情報、契約情報、非公開資料の入力は禁止です。投稿原文は運営用DBに保存し、公開面には、個人情報・秘密情報・危険な命令を除く安全審査と読みやすい文章への編集を経た質問文と回答だけを載せます。状態は「受付済み」「回答作成中」「解決済み」の3段階です。安全審査の結果によっては公開を保留します。サイト側の機械検査を通った内容だけを運営側のAI回答作成環境へ送り、回答案の作成と、それとは独立したAI審査に使います。機械検査には見落としの可能性があり、回答作成と審査の履歴は利用中の環境に保持されます。IPアドレスや端末情報は送信対象外です。回答URLは公開Q&A用で、共有先からも開けます。送信により、この利用条件と審査後のQ&A公開に同意したものとします。