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RIE（反応性イオンエッチング）とは

RIE（Reactive Ion Etching、反応性イオンエッチング）とは、反応性ガスのプラズマ中でイオンを基板へ加速して当て、化学反応とイオン衝撃を同時に働かせて層を除去する方法です。 ドライエッチングの基本形式にあたります。

定義・解説

Section titled “定義・解説”

RIEの要点は、2つの作用を同時に使うところにあります。反応性ガスのプラズマは、材料と反応して揮発性の生成物を作る化学的な作用を持ちます。これに加えて、電界で加速されたイオンが基板へ入射する物理的な作用が働きます。

2つの作用を重ねる理由は、異方性と選択性を同時に取るためです。化学反応だけであれば全方向へ均等に進むため、横にも同じだけ削れます。イオンが縦方向から入射することで底面の反応が側壁より進み、削れる向きに偏りが生まれます。Oxford Instruments Plasma Technologyの公式技術ページは、RIEが幅広いプロセスに対して異方性のドライエッチングを与えると述べ、PlasmaPro 100 RIEが等方性と異方性の両方のドライエッチングを与えると挙げています。

装置としての位置づけも明確です。東京エレクトロンの公式用語集は、エッチング装置およびエッチャという語が通常はプラズマベースのドライエッチング装置を指すと述べています。したがって、装置カタログでエッチャとある場合、RIE系の装置を指すと読めます。

RIE ─ 化学反応とイオン衝撃を重ねる
反応性ガスのプラズマイオン（垂直に入射）中性の反応種（全方向）レジスト底面：反応＋イオン → 速い側壁：反応のみ→ 遅い底面と側壁で削れる速さが変わる＝ 異方性
中性の反応種は全方向から届きますが、イオンは電界で加速されて基板へ垂直に入射します。底面では反応とイオン衝撃の両方が働き、側壁では反応だけが働くため、縦方向の除去が速く進みます。この差が異方性を作ります。

ICP-RIEとの関係

Section titled “ICP-RIEとの関係”

プラズマの作り方を変えると、制御できる項目が増えます。通常のRIEでは、プラズマを作る電力とイオンを加速する電力が同じ電源に結びつくため、プラズマ密度を上げるとイオンエネルギーも上がります。ICP-RIE（誘導結合プラズマRIE）はこれを分けます。

電源を分けると、2つの量を別々に決められます
RIE ─ 電源がひとつ電源プラズマ密度イオンエネルギー同じ電源につながっていますプラズマ密度を上げると、イオンエネルギーも上がりますICP-RIE ─ 電源を分けますプラズマを作る電力イオンを加速する電力プラズマ密度イオンエネルギーそれぞれ別の電源から届きます2つの電力を分けているため、別々に決められます
通常のRIEでは、ひとつの電源が枝分かれしてプラズマ密度とイオンエネルギーの両方につながるため、片方を上げるともう片方も上がります。ICP-RIEは電源そのものを分けるため、2つを別々に決められます。

Oxford Instruments Plasma Technologyの公式技術ページは、ICP-RIEがRF発生器とICP発生器を分けることでイオンエネルギーとイオン密度を別々に制御でき、高いプロセス自由度が得られると述べ、高いエッチレート、高い選択比、低ダメージを設計目標として挙げています。したがって、基板へのダメージを抑えつつ深く速く掘りたい場面ではICP-RIEが候補になります。

この用語に対応する装置と製造メーカー

Section titled “この用語に対応する装置と製造メーカー”

装置カタログDBから、この用語に一致する製品familyを持つメーカー 4社／4family を引いています。 各行は各社の公式製品ページを出典とします。 DBからの生成日: 2026-08-21

出典は各社の公式製品ページです。 装置カタログDB では、同じ製品familyを工程・メーカー横断で検索できます。

関連するデータ・ツール

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よくある質問（FAQ）

Section titled “よくある質問（FAQ）”
RIEとは何ですか？

RIE（Reactive Ion Etching、反応性イオンエッチング）は、反応性ガスのプラズマ中でイオンを基板へ加速して当て、化学反応とイオン衝撃を同時に働かせて層を除去する方法です。Oxford Instruments Plasma Technologyの公式技術ページは、RIEが幅広いプロセスに対して異方性のドライエッチングを与えると述べています。

RIEはなぜ異方性になりますか？

イオンが電界で基板へ向かって加速されるためです。化学反応だけであれば全方向へ均等に進みますが、イオンが縦方向から入射することで、底面の反応が側壁より進みます。この差が異方性になります。

RIEとICP-RIEの違いは何ですか？

プラズマ密度とイオンエネルギーを別々に制御できるかどうかが違います。Oxford Instruments Plasma Technologyの公式技術ページは、ICP-RIEがRF発生器とICP発生器を分けることでイオンエネルギーとイオン密度を別々に制御でき、高いプロセス自由度が得られると述べています。

RIEはどんな装置ですか？

東京エレクトロンの公式用語集は、エッチング装置およびエッチャという語が通常はプラズマベースのドライエッチング装置を指すと述べています。RIEはそのドライエッチング装置の基本形式にあたります。Oxford Instruments Plasma Technologyは、PlasmaPro 100 RIEが等方性と異方性の両方のドライエッチングを与えると挙げています。

RIEとDRIEの違いは何ですか？

掘る深さと手順が異なります。RIEは通常の層の除去に使います。DRIE（深堀り反応性イオンエッチング）は、エッチングと側壁保護を交互に切り替えることで、深い溝や穴を掘ります。

RIE装置のメーカーはどこですか？

当サイトの装置カタログDBでは、RIEに一致する製品familyを持つメーカーを公式製品ページ単位で引けます。Oxford Instruments Plasma Technology、SAMCO、Plasma-Therm、scia Systemsなどが該当します。

比較・違いを学ぶ

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出典

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この記事の事実は次の一次資料を根拠とし、各URLの到達可否をこちらで実測しています。したがって、リンク先が移動または消滅した場合は、その旨をこのページへ反映します。

  • Oxford Instruments Plasma Technology「Reactive ion etching (RIE)」公式技術ページ（2026年8月21日にリンク生存を実測、200）
  • Oxford Instruments Plasma Technology「ICP RIE」公式技術ページ（2026年8月21日にリンク生存を実測、200）
  • 東京エレクトロン 公式用語集「Etching Equipment」（2026年8月21日にリンク生存を実測、200）
  • 装置と製造メーカーの行は intel.equipment_vendor_families（公式製品ページ由来）から生成
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