ALE（原子層エッチング）とは
ALE（Atomic Layer Etching、原子層エッチング）とは、表面を化学的に改質する段と、その改質層だけを取り除く段を交互に繰り返すエッチング方法です。 各段が自己停止するため、除去量がサイクル数で決まります。
ALEの中心にあるのは、削る作業を2つに分けるという発想です。通常のドライエッチングでは、化学反応とイオン衝撃が同時に働き続けるため、除去は時間とともに進み続けます。ALEでは、表面を改質する段と改質層を取り除く段を時間で分け、それぞれを自己停止させます。
Oxford Instruments Plasma Technologyの公式技術ページは、この手順を3段で記述しています。第1段は反応ガスを供給して表面へ吸着させる段で、同ページは、供給ガスとパラメータを適切に選び、1分子層を吸着した時点で化学的な供給が止まるならばこの段が自己停止すると述べています。第2段は残った供給ガスをすべてパージする段です。第3段は低エネルギーの不活性イオンで表面を叩き、反応した表面層を取り除く段です。
第3段が止まる条件も、同じページが明示しています。イオンのエネルギーが化学的に改質された層を取り除くには十分で、その下の材料を取り除くには不十分であれば、この段も自己停止します。したがって、改質層が無くなった時点で除去が止まり、1サイクルあたりの除去量が揃います。
ALDとの対称性
Section titled “ALDとの対称性”ALEとALDは、向きが逆の対称的な手法です。ALDは前駆体と反応剤を交互に供給して1層ずつ積み上げ、ALEは改質と除去を交互に繰り返して1層ずつ取り除きます。どちらも各段が自己停止するため、量が供給時間ではなくサイクル数で決まります。したがって、両者を同じ装置プラットフォーム上で組み合わせる設計も現れます。
除去量を原子層の単位で制御したい場面と、下地へのダメージを抑えたい場面が向きます。Oxford Instruments Plasma Technologyは、ALEの用途としてGaN系HEMTの品質改善を挙げ、PlasmaPro 100 ALEを次世代半導体デバイス向けの精密なプロセス制御として、PlasmaPro 100 ALEとEtchpointの組み合わせをp-GaNのエッチング深さの制御として掲げています。
この用語に対応する装置と製造メーカー
Section titled “この用語に対応する装置と製造メーカー”装置カタログDBから、この用語に一致する製品familyを持つメーカー 2社／2family を引いています。 各行は各社の公式製品ページを出典とします。 DBからの生成日: 2026-08-21
- Oxford Instruments Plasma Technology
- PlasmaPro etch familyEtch / ICP / RIE
- Samco
- ICP-RIE / ALE / DRIE etching systemsEtch / Compound Semiconductor
出典は各社の公式製品ページです。 装置カタログDB では、同じ製品familyを工程・メーカー横断で検索できます。
関連するデータ・ツール
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よくある質問（FAQ）
Section titled “よくある質問（FAQ）”ALEとは何ですか？
ALE（Atomic Layer Etching、原子層エッチング）は、表面を化学的に改質する段と、その改質層だけを取り除く段を交互に繰り返すエッチング方法です。各段が自己停止するため、1サイクルあたりの除去量が供給時間ではなくサイクル数で決まります。
ALEの1サイクルはどうなっていますか？
Oxford Instruments Plasma Technologyの公式技術ページは3段で記述しています。第1段は反応ガスを供給して表面へ吸着させる段で、1分子層を吸着した時点で吸着が止まれば自己停止します。第2段は残った反応ガスをパージする段です。第3段は低エネルギーの不活性イオンで表面を叩き、反応した表面層を取り除く段です。
なぜ第3段も自己停止するのですか？
イオンのエネルギーを狭い範囲に収めるためです。同じ公式技術ページは、イオンのエネルギーが化学的に改質された層を取り除くには十分で、その下の材料を取り除くには不十分であれば、この段も自己停止すると述べています。改質層が無くなった時点で除去が止まります。
ALEとALDの関係は何ですか？
向きが逆の対称的な手法です。ALDは前駆体と反応剤を交互に供給して1層ずつ積み上げます。ALEは改質と除去を交互に繰り返して1層ずつ取り除きます。どちらも各段が自己停止するため、量がサイクル数で決まります。
ALEはどこで使われますか？
除去量を原子層の単位で制御したい場面と、下地へのダメージを抑えたい場面です。Oxford Instruments Plasma Technologyは、ALEの用途としてGaN系HEMTの品質改善を挙げ、PlasmaPro 100 ALEおよびEtchpointによるp-GaNのエッチング深さの制御を挙げています。
ALE装置のメーカーはどこですか？
当サイトの装置カタログDBでは、ALEに一致する製品familyを持つメーカーを公式製品ページ単位で引けます。SAMCOはICP-RIE / ALE / DRIEのエッチングシステムを公式製品ページで掲載しています。
比較・違いを学ぶ
Section titled “比較・違いを学ぶ”- 主要メーカーのエッチング装置分類 ── メーカー別の装置分類
- エッチング工程 ── 工程としてのエッチングの全体像
この記事の事実は次の一次資料を根拠とし、各URLの到達可否をこちらで実測しています。したがって、リンク先が移動または消滅した場合は、その旨をこのページへ反映します。
- Oxford Instruments Plasma Technology「Atomic layer etching (ALE)」公式技術ページ（2026年8月21日にリンク生存を実測、200）
- Oxford Instruments Plasma Technology「Atomic Layer Deposition」公式技術ページ（2026年8月21日にリンク生存を実測、200）
- 装置と製造メーカーの行は
intel.equipment_vendor_families（公式製品ページ由来）から生成