半導体封止材（EMC）とは｜エポキシモールド、MUF、低反りと信頼性

半導体封止材とは、die、wire、bump、lead frame、package substrateの周囲へ配置し、外力、湿気、汚染、電気的短絡から回路を守る熱硬化性compositeです。代表的なsolid epoxy molding compound（EMC）はtransfer moldingやcompression moldingで成形します。先端packageではmolded underfill（MUF）も使われ、そのうち液状材料をcompression moldingし、chip周辺とbump下を一工程で充填する方式がliquid compression mold underfill（LCMUF）です。

同じepoxyでも材料の配置と成形法の違いを混同すると、EMC、capillary underfill、non-conductive film／paste、die attach、temporary adhesiveの試験条件が崩れます。本稿はsolid EMCとMUFを中心に、材料位置、流動・硬化工程、測定sample、failureを同じpackage IDでつなぎます。材料設計担当は組成とlot、成形担当は温度・圧力・位置、信頼性試験担当はsample IDとfailure modeを記録します。

封止材、MUF、underfill、接着材を位置で分ける

住友ベークライトのSUMIKON EMEは、半導体素子を保護、防湿、絶縁し、熱を拡散する封止材料としてtransfer moldとcompression moldへの対応を示します。NAMICSがJIEP技術賞を受けたLCMUFでは、interposerとchipのgap、およびchip周辺部を、compression molding装置で一工程に封止する材料としています。両者は「epoxy」という組成名に加え、供給形態、充填位置、成形法で区別します。

材料カテゴリ	配置領域	代表的な供給形態	主工程	主に守る対象	比較範囲
solid EMC	package外周、die／wire／lead frame周囲	pellet、tablet、granule、powder	transfer／compression molding	die、wire、lead、package全体	中心
liquid molding compound	wafer／panel上のdie周辺	liquid	compression molding	reconstituted wafer／panel、large package	中心
molded underfill（MUF）	bump gapとdie周辺を同時充填	liquidまたはmold対応compound	compression mold／mold flow	bump、die周辺、overmold部	中心
capillary underfill（CUF）	組立後のdie-substrate gap	low-viscosity liquid	capillary flow、cure	solder bump／Cu pillar	隣接材料として比較
NCP／NCF	chip接合前のbump周辺	paste／film	dispense／laminate、bond、cure	fine-pitch interconnect	接合前材料として比較
die attach	die裏面とdie pad／substrate間	paste／film／sinter material	attach、cure／sinter	die固定、熱・電気経路	別材料
temporary bond	device waferとcarrierの間	adhesive／film	bond、thin、debond	薄化中のwafer	別記事

NAMICSのflip-chip underfillは、IC chipのbumpと実装基板の間のgapへ毛細管力で流し込む材料として掲載されるCUFです。一方LCMUFはmold内でgap fillと外周封止を同時に進めます。NAMICSのpackage材料一覧は、flip chip underfill、chip-on-film underfill、dam-and-fill encapsulant、board level underfill、高熱伝導underfillを投入対象ごとに分けています。Henkelのunderfill解説は、同じcapillary適用でもinterconnect array全面、edge、cornerのどこへ入れるかで適用範囲を分けています。名称にunderfillが含まれても、材料投入時点とflow front、必要装置、voidの観察位置が異なります。

EMCはresinだけでなく高充填compositeである

EMCは、epoxy resin、hardener、silica fillerを中心に、catalyst、coupling agent、release agent、着色材などを組み合わせた熱硬化性compositeです。個々の配合はgrade固有ですが、組成要素を機能へ分けると、flow、gel、cure shrinkage、CTE、modulus、吸湿、密着の競合を追えます。

組成要素	成形前に動かす量	硬化後に動かす量	過不足で観察する現象
epoxy resin	melt viscosity、wetting、flow	network、Tg、吸湿、adhesion	short fill、bleed、crack、moisture uptake
hardener	reaction onset、pot life	conversion、crosslink density	under-cure、脆化、残留反応
silica filler	viscosity、flow-front、abrasion	CTE、modulus、熱伝導、収縮	filler segregation、void、wire sweep、interface stress
catalyst／accelerator	gel time、cure rate	conversion分布	premature gel、未硬化、局所発熱
coupling agent	filler／resin wetting	filler界面密着、moisture path	interface debond、強度低下
release agent	mold release、surface transfer	表面energy、後工程密着	mold stain、package sticking、mark／plating密着低下
pigment／flame-retardant設計	optical／mold挙動	識別、難燃、電気特性	ion impurity、corrosion、laser-mark contrast

SUMIKON EMEの製品情報は、絶縁、耐薬品、耐湿、熱耐久、package保護、放熱を別機能として挙げています。datasheetの単一値に加え、樹脂lot、filler分布、保管履歴、preheat、mold位置、cure履歴を一つの比較単位にします。

Package断面で材料の担当領域を特定する

01 / 封止材が占める断面領域

図1　同じepoxy系材料でも、solid EMCはpackage外周、CUFは組立後のbump gap、MUFはgapとchip周辺、fan-out moldは再構成wafer／panelを担当する。断面で占める領域ごとに、先に測るfailureを割り当てる。

図1の左から右へ、封止材が占める断面領域はpackage外周、die下のgap、gap＋chip周辺、再構成wafer／panelへ移ります。次の表では同じ4 architectureのinterfaceと、先に測るfailureを比較します。

architecture	封止前の構造	材料が流れる領域	重要なinterface	先に測るfailure
wire-bond lead-frame	die attach済みdie、wire、lead frame	cavity全体	die pad／EMC、wire／EMC、lead／EMC	wire sweep、short fill、delamination、package crack
flip-chip＋CUF	reflow済みbump、substrate	die下gapをedgeから充填	passivation／CUF、bump／CUF、solder resist／CUF	void、fillet、bump fatigue、interface crack
flip-chip＋MUF	chip搭載済みinterposer／substrate	bump gapとchip周辺をmold内で同時充填	fine gap、die edge、substrate表面	gap void、die shift、warpage、delamination
fan-out wafer／panel	carrier上へ再配置したdie	die間とdie上を一括mold	die sidewall、carrier側、RDL dielectric	decarrier warpage、die shift、mold void、RDL crack

Henkelのliquid compression molding解説は、wafer／panel level encapsulation、molded underfill、stacked memoryのgap fillingを用途として分けています。住友ベークライトの液状封止材EME-Lは、2.xD／3D構造とchiplet構成で大型化するpackage向けの液状封止材として、under-moldとover-mold（全面封止）を一工程へ統合できるgradeを含めています。solid encapsulantで積み上げた配合・混練技術を液状の供給形態へ移した材料であり、同発表時点では試作出荷の段階です。成形法まで含めた採否は、供給側の発表文が示す工程範囲の内側で判断します。後工程とパッケージングのdie attach、wire bond、flip chip、molding、singulationという順序に沿って、本稿ではmold材料が加わる区間を拡大します。

Transfer、compression、liquid compressionでflowを分ける

transfer moldingは、加熱して可塑化したcompoundをrunner／gateからcavityへ押し込みます。compression moldingは、cavityまたはwafer／panel上へ材料を供給し、型を閉じて広げます。liquid compression moldingは低粘度の液状材料を使い、fine gap充填とovermoldを両立させます。住友ベークライトのEMC FAQは、SUMIKON EMEの代表例として約175 °Cで約60秒の硬化条件と、約10 MPaのtransfer圧を挙げます。これはtransfer molding前提の代表値であり、量産窓はgrade、package、金型、充填距離ごとに決めます。

比較軸	transfer molding	compression molding	liquid compression／LCMUF
主な材料供給	tablet／pellet化compound	powder／granule／film／liquid	liquid
flow origin	pot／runner／gate	cavity内の供給点から面内へ	dispense点から面内・gapへ
主な利点	多数個cavity、既存lead-frame工程	large area一括、薄型化、runner低減	fine gap、low-pressure化余地、gap＋overmold統合
主なrisk	wire sweep、gate偏り、short fill、runner loss	charge量、粒度、air entrapment、厚さ分布	filler分離、bleed、die shift、gap void、cure勾配
観察位置	gate→end-of-fill、wire／lead周囲	panel中心／端、die間、mold端	dispense点→最遠端、bump gap、die edge

Resonacのgranule-type encapsulating compound報告は、compression moldingでは材料を金型cavityへ直接供給するため、装置汚染と供給重量のばらつきが樹脂厚みの変動へ直結すると述べ、granuleの粒度分布を0.4〜1.2 mmへ揃える製法と、decompressionで粒子間gasと揮発分が膨張して発泡しresinが漏れる経路への消泡技術を報告しています。粒径を揃えると封止厚の精度が上がり、微粉が減ると装置汚染も減るという因果です。

封止材料の総説は、compression moldingをchip上の封止厚が250 µm以下の場合やAu wireが細く長い場合に有効な方法として位置づけ、chip実装済み基板を上型へ吸着し、powderまたはsheet状のpre-mold品を下型へ入れて下型を10〜20秒で上昇させる手順を示します。同総説は、compression molding用gradeにはtransfer molding用より長いgel timeが求められるとも述べます。成形法の比較では、材料名だけでなくcharge形態、flow distance、cavity pressure履歴、package面積を記録します。

流動から硬化、信頼性までを一つの履歴にする

02 / failureから戻る工程区間

図2　reflow後に出たfailureは、前工程で残したrecordを経由して、最後に合格した工程区間へ戻る。material lot、mold位置、cure履歴、failureを同じunit IDで追い、次の9工程のどれを引き直すかへつなぐ。

reflow後に出たfailureは、前工程で残したrecordを経由して、次の9工程のどれかへ戻ります。

Incoming material — grade、lot、供給形態、保管・解凍履歴、moisture、粒度／粘度を記録する。
Precondition／preheat — materialとtoolの開始温度、package表面状態、vacuum前の待ち時間をrecipe欄へ記録する。
Charge／dispense — 重量、位置、pattern、panel／cavity IDを記録する。
Vacuum／mold close — vacuum assist工程ではair pathと圧力履歴を記録する。vent主体の工程ではventとcavity pressureを記録し、die shiftとtrapped voidを区別する。
Flow／fill — gateまたはdispense起点からend-of-fillまで、pressure、temperature、flow-frontを同一時刻軸へ記録する。
Gel／in-mold cure — gel前後の変形拘束とconversion分布を追う。
Demold／post mold cure — demold時形状と追加cure後形状を別測定する。
Finish — deflash、grind、mark、plating、singulationの前後で界面damage差を測る。
Precondition／reflow／reliability — moisture、temperature、bias、cycleとfailure criterionをsampleへ結び付ける。

Cureは時間・温度・conversionの三つで測る

熱硬化では、粘度低下、flow、gel、network形成、収縮、modulus上昇が重なります。mold条件を同じにしても、開始温度、反応速度、filler熱伝導、package厚さでconversion分布が変わります。NISTのliquid encapsulant研究は、DSC、FTIR、rheo-Ramanで反応と力学特性を時間追跡し、指定cure schedule後も残留反応を示したsampleを報告しています。

測定	直接測る量	同時に必要な条件	model・採否へ渡す値
DSC	反応熱、残留反応、Tg	heating rate、sample mass、前履歴	conversion、residual cure
FTIR／Raman	官能基反応	optical path、temperature、baseline	chemical conversion vs time
rheology	viscosity、gel、storage／loss modulus	shear、frequency、temperature	flow window、gel point
DMA	modulus、tan delta	frequency、temperature、方向	E’(T)、transition range
TMA	CTE、寸法変化	temperature range、load、方向	α1／α2、shrinkage
warpage metrology	package／wafer面外形状	temperature、support、scan direction	curvature、corner displacement、shape mode

NISTのcure・stress・warpage計測projectは、cure time、temperature、pressureに依存する物性とpackage warpageの予測を課題にします。advanced packaging材料の計測課題は、polymerのcure kinetics、stress、thermal／mechanical propertyをpackage設計に必要な測定項目としています。datasheetのTg、CTE、modulusは、使用したcure historyと測定法を揃えてmodelへ入れます。

反りはCTEだけでなくmodulus、収縮、stack非対称で決まる

warpageは、die、Cu、substrate、EMCの熱膨張差、cure shrinkage、温度依存modulus、厚さと配置の非対称から生じます。低CTE材ではinterface stressやflowが悪化する組合せもあります。room temperature、demold、post cure、decarrier、reflowの各温度でshapeを測り、同じpackage座標へ重ねます。

FOWLPのEMC物性研究は、物性を振った範囲でTg以下のYoung’s modulusとTg以下のCTE（α1）がdecarrier時のwafer warpageを左右する因子であり、両者のうちα1のほうが寄与が大きいと報告します。Tg以上のmodulus、α2、Tgそのもの、温度区間の影響は小さいという結果です。multi-die fan-out研究では、EMCとpolyimideのlinear viscoelasticityをDMAで取得し、弾性modelとviscoelastic modelのFEAを実測と比較して、viscoelasticのほうがwafer warpageを精度よく再現したとしています。同研究はEMC厚の低減、carrier厚の増加、EMCとcarrierのCTE整合をwarpage低減の方向として挙げます。適用範囲は各研究のpackage構造と物性範囲です。

封止厚は反りの大きさに加えて反りの向きも左右します。封止材料の総説は、PoP bottomのように封止厚が0.3 mm程度と薄い場合、厚いpackageとは反りの向きが逆になり、低反り化には高い成形収縮率の材料が必要になると述べます。同総説はwafer level packageについても、waferの線膨張係数が約3 ppm/°Cと小さいため片面封止では反りが大きくなり、低CTE・高Tgに加えて低弾性率が要る場合が多いとしています。反りの符号と対策の向きは、封止厚とstack構成を確定してから決めます。

変数	設計上の方向	同時に測る量	failureへの経路
CTE below／above Tg	package stackとの整合	die／substrate CTE、Tg、temperature range	mismatch→curvature／interface stress
modulus vs temperature	使用温度域ごとに設定	stress relaxation、dielectric／bump剛性	高剛性→変形抑制／局所stress増加
cure shrinkage	conversionと残留応力を両立	conversion、gel時拘束、thickness	chemical shrinkage→residual stress
mold thickness	neutral axisと反りから決定	neutral axis、die配置、RDL stack	非対称→bow／saddle shape
filler loading	packageごとに最適化	viscosity、CTE、thermal conductivity	flow悪化／abrasion／interface stress
cure temperature	reactionとdegradationから上限設定	reaction、degradation、tool／stack	conversion勾配／残留応力

Void、delamination、crackを別のfailureとして切り分ける

voidは未充填領域またはgasの取り込み、delaminationは二つの材料界面の剥離、crackは材料内部または界面端から進展する亀裂です。超音波像の暗部だけで名称を決めず、X-ray、C-SAM、断面、dye／電気、熱履歴を同一sampleへ集めます。

観察結果	起点候補	前工程から引くrecord	追加測定
end-of-fill void	gel先行、air escape不足、filler／粘度、charge不足	flow-front、vacuum、dispense／gate、material age	X-ray／CT、断面、位置再現性
die-edge delamination	surface contamination、密着不足、CTE stress	plasma／clean後queue、surface energy、cure	C-SAM温度差、断面、interface分析
substrate-side delamination	solder resist／dielectricとのadhesion、moisture	surface finish、precondition、mold pressure	C-SAM、peel／fracture surface
package crack	cure stress、reflow蒸気圧、notch	moisture、Tg、modulus、singulation damage	crack path、moisture mass、reflow前後
wire sweep／short	flow drag、gel、wire geometry	transfer pressure、viscosity、gate、wire loop	X-ray、electrical、mold position map
bump／RDL open	local stress、void、warpage	bump gap fill、cure shrinkage、decarrier shape	continuity、cross-section、thermal cycle

MUFのvoidには、この材料形式に固有の起点があります。封止材料の総説は、flip chip packageではCUFで封止したうえでovermoldする方式が反り矯正とhandlingの容易さから主流であり、封止が二工程になるためmoldだけでchip-基板間gapを充填するmold underfillが開発されたと述べます。同総説はその課題として、従来の封止材より最大粒子径の小さい20〜30 µm級silica fillerを使う点、flip chip実装時のfluxなどの汚染で密着性が下がる点、chip下の未充填voidを挙げます。Cu pillar bumpではsolder bumpよりbump部の応力が大きく、bump周辺のcrackや封止材との剥離を低応力化と高密着化で抑えるとしています。MUFのvoidは、gel先行に加えてflux汚染とbump種別まで並べて疑います。

ResonacのHIMALは、chip／lead frameとEMCの密着を高め、high-Tg EMCやsintered metalを含むSiC power deviceでのdelaminationを抑え、低弾性率と高密着でstress concentrationによるcrackを抑えるcoating材料です。EMC gradeの比較では、封止材単体だけでなく、passivation、metal、lead frame plating、solder resist、surface treatmentの組合せを残します。

吸湿、reflow、ion impurityは電気と界面を同時に動かす

硬化resinへ入った水分は膨潤とreflow時の蒸気圧を増やし、modulus／Tg変化、界面adhesion低下、ion移動を促進します。採否条件には乾燥直後の絶縁抵抗、package handling、実装前preconditionを含めます。IPC／JEDEC J-STD-020Fは、非hermeticなsurface mount device（SMD）のmoisture／reflow sensitivity classificationを規定する現行版です。同規格は、旧版の手順・基準で分類済みのSMDについて、分類levelの変更またはより高いpeak classification温度を狙う場合に限って、現行版での再分類を求めると定めます。IPC／JEDEC J-STD-033Dは、moisture、reflow、process sensitive deviceのhandling、packing、shipping、useを規定する2018年4月発行の現行版です。sensitivity levelの分類と保管・実装管理は別々の規格にあるため、採否条件では両方を引きます。

stress	材料側の応答	packageで測る量	failure criterionの例
moisture precondition	diffusion、膨潤、adhesion、ionic mobility	mass、C-SAM、leakage、warpage	new delamination、crack、electrical drift
reflow	Tg跨ぎmodulus、蒸気圧、CTE mismatch	peak前後shape、C-SAM、continuity	package crack、interface growth、open
temperature cycling	fatigue、interface stress、bump load transfer	daisy-chain、C-SAM、断面	resistance event、crack length
biased humidity	water＋ion transport	leakage、insulation resistance、corrosion	threshold crossing、metal migration
high-temperature storage	oxidation、post-cure、degradation	mass、Tg、modulus、adhesion	property drift、crack、delamination

熱、電気、機械、加工性を同じ表で選ぶ

材料設計では高熱伝導、高Tg、低CTE、低modulus、低Df、低粘度の優先順位をpackageごとに設定します。fillerとresin networkを変えると、thermal conductivityに加えてflow、abrasion、adhesion、cure、dielectric lossが動きます。

要求	主な材料レバー	副作用として監視する量	package実証
低反り	CTE、modulus(T)、shrinkage、filler、stack symmetry	flow、interface stress、decarrier形状	temperature-warpage map
fine gap fill	viscosity、filler粒径／分布、wetting、gel window	bleed、filler separation、void	bump-gap断面、X-ray／CT
高温信頼性	Tg、network、oxidation resistance、adhesion	脆性、stress、cure temperature	storage／power／thermal cycle
放熱	thermally conductive filler、contact、厚さ	viscosity、abrasion、絶縁、density	junction-to-case thermal path
低伝送損失	resin polarity、Df、filler、moisture	adhesion、CTE、flow、frequency依存	transmission structure／AiP coupon
高絶縁	purity、moisture、filler interface、cure	leakage、ion、void、interface	biased humidity／insulation test

package損失はresin、filler、moisture、周波数、配線構造の測定結果から算出します。

要求の優先順位はpackage用途で変わります。住友ベークライトのhigh-Tg EMC発表は、次世代SiC power module向けのsolid epoxy molding compoundとしてSUMIKON EME-G785 seriesを示し、solid epoxy材料として同社が業界最高水準と位置づけるTg 230 °Cと、modulus上昇を抑える低応力技術の両立を掲げます。これはlogic／memory package向けの低損失要求とは別の軸で、同じ「高Tg」でも狙う温度域と応力設計が異なります。vendor発表の数値には、対象deviceとproduct／sample固有の結果として、測定法とpackage構造を併記します。

材料lot、位置、温度、sampleを一つのIDで追う

封止材のfailure解析は、supplier gradeだけでなく、mold chase、cavity、wafer／panel座標、die位置、flow distanceを記録します。同じ材料でもcenterとedge、gate近傍とend-of-fill、top dieとbottom dieで受ける履歴が変わります。

record群	最低限残す項目	防げる取り違え
material identity	supplier、grade、lot、供給形態、保管／解凍、moisture、粒度／粘度	別状態の材料を同じgradeとして比較する
package stack	die、bump／wire、substrate／lead frame、surface、mold厚	architecture差を材料差へ誤帰属する
mold process	tool、chase／cavity、charge／dispense、vacuum、pressure、temperature、time	recipe変更を材料変更へ混ぜる
cure state	in-mold、post cure、conversion、Tg、E’(T)、CTE	nominal cure timeだけで硬化を同一視する
spatial map	wafer／panel、unit、die、gate／dispense距離、top／bottom	center平均でedge failureを隠す
reliability	precondition、reflow、cycle、bias、sample count、criterion	stress条件とsample数を揃えてpassを比較する
failure analysis	before／after、C-SAM、X-ray、断面、電気、fracture surface	別sampleの画像と電気不良を推測で結ぶ

flip-chip packageのunderfill研究では、material propertiesとencapsulation processの条件差がwarpageとreliabilityへ与える影響を比較しています。同じgradeでも、組み合わせる部材が違えば結論も違います。封止材料の総説は、Cu wire packageへ従来の封止材を使うとHASTでchipとの接合部の抵抗が上昇しopen不良に至る場合があると述べ、著者らの検討では腐食への影響が大きいとされてきた抽出水中のCl⁻濃度との相関は小さく、抽出水のpHが影響していたと報告します。pHを調整した材料をCu wire対応gradeとして実用化した、という順序です。wire材質やlead frame表面を変えたときは、材料側のrecordも作り直します。

代表企業は材料形式と試験範囲で比較する

企業	掲載材料・技術	比較時に揃える範囲	企業研究
住友ベークライト	solid EMC、MUF、compression mold向け材料、liquid encapsulant	product grade、solid／liquid、package用途	住友ベークライト企業研究
Resonac	EMC、liquid underfill、granule compound、interface coating、package試作・解析	legacy製品名、mold／underfill、試験sample	レゾナック企業研究
NAMICS	semiconductor package材料、CUF、dam-and-fill、LCMUF	capillary／molded、gap、filler、量産化範囲	NAMICS企業研究
Henkel	CUF、NCP／NCF、MUF、liquid compression molding	product format、package architecture、vendor test条件	公式advanced packaging資料
Ajinomoto Fine-Techno	semiconductor encapsulants（liquid、film、granuleの3形態を掲載し、liquidをMUF適用可と記載）	mold／gap fill、熱・機械特性、product format	味の素企業研究

NAMICS CSR Report 2025は、resin、filler、additives、dispersion、formulation、analysis、CAEを同社の材料技術として示します。Resonacのback-end製品一覧は、organic substrate用とlead frame用のepoxy molding compound、flip chip用のliquid encapsulant（underfill）、package molding用のrelease film、die bonding filmを別々の製品として掲載します。同じ「封止まわり」でも品目が別立てになっている点が、比較単位を選ぶ手がかりです。advanced package Open Labは、back grind、dicing、die bond／stack、flip chip bond、reflow、underfill、wire bond、moldまでを自社設備で試作し測定できる体制と、材料databaseに基づく熱応力・warpage simulation、高精度解析装置による微小欠陥解析を挙げます。warpageがsimulation側の項目として示されている点も含め、比較単位は対象材料と工程位置です。

採否は材料、成形、界面、信頼性を一組にする

選定順は、package architecture、封止範囲、material format、gap／flow distance、mold method、cure window、warpage、interface、moisture／reflow、電気・熱、量産再現性です。材料単価だけでなく、charge loss、mold cleaning、cure時間、void検査、warpage handling、rework不能率、reliability sampleまで含めます。

よくある誤解

EMCはepoxy resin、filler、hardener、catalyst、interface設計を含むcompositeである。
MUFはmold工程でgapとchip周辺を同時に充填する。CUFは組立後のgapへ毛細管力で流す。
反りはCTE、modulus(T)、cure shrinkage、厚さ、stack非対称を同時に測る。
高温信頼性はTg、adhesion、stress relaxation、酸化、moistureを測る。
void、delamination、crack、wire sweepには別々のfailure codeと観察法を割り当てる。
supplierの代表値は、そのgrade、cure、測定法、sample構造の範囲で使う。
material lot、cavity／panel位置、cure、precondition、failure解析を同じunit IDへ記録する。

有機ICパッケージ基板材料ではEMCの下にあるBT core、build-up dielectric、Cu、solder resistを比較します。ガラスコア基板はorganic substrateと異なるcore材料を比較します。3Dパッケージ工程と先端パッケージは、mold、underfill、temporary support、stackingの工程順を示します。Hybrid Bondingの歩留まり・信頼性は接合界面側、歩留まりと欠陥管理はlot／wafer／unit階層でfailureを追跡します。工程別の装置と材料ではmolding装置と封止材を工程matrixから引けます。