PECVD（プラズマ支援CVD）とは
PECVD（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition、プラズマ支援CVD）とは、プラズマで原料ガスを分解して反応を促進することにより、低い基板温度で薄膜を作るCVDの一種です。 熱予算に上限がある工程順で使えることが、採用理由の中心にあります。
PECVDの出発点は、反応を進めるエネルギーを熱以外から取るという発想です。熱CVDでは基板を加熱して原料ガスの反応を進めるため、基板温度が高くなります。PECVDはプラズマが原料ガスを分解して反応種を作るため、より低い基板温度で膜が育ちます。
低温で成膜できるという性質は、そのまま工程順の自由度になります。配線を作り込んだあとに絶縁膜やパッシベーション膜を載せる場面では、既にある配線や素子を痛めない温度域が要ります。Oxford Instruments Plasma Technologyの公式技術ページは、PECVDを多様な膜種の成膜に使われる確立した手法として挙げ、多くのデバイスが高品質なパッシベーション膜や高密度マスクの形成にPECVDを要すると述べています。
膜厚のほかに制御する項目があることも、PECVDの特徴です。同じ公式技術ページは、同社のPECVD装置が優れた均一性と高い成膜レートの膜を与え、屈折率、応力、電気特性、ウェットエッチレートといった膜特性を制御できると述べています。したがって装置条件の設計では、膜厚に加えてこれらの膜質パラメータを同時に合わせ込みます。
ICPCVDとの関係
Section titled “ICPCVDとの関係”プラズマの作り方でも形式が分かれます。Oxford Instruments Plasma TechnologyのICPCVDの公式技術ページは、ICPCVD（誘導結合プラズマCVD）が低温かつ低ダメージで高品質な誘電体膜を成膜できると述べ、イオンエネルギーとイオン電流密度を独立して制御できること、典型的なプロセス圧力が1から10ミリトールであることを挙げています。したがって、基板へのダメージをさらに抑えたい膜種では、通常のPECVDよりICPCVDが候補になります。
この用語に対応する装置と製造メーカー
Section titled “この用語に対応する装置と製造メーカー”装置カタログDBから、この用語に一致する製品familyを持つメーカー 9社／9family を引いています。 各行は各社の公式製品ページを出典とします。 DBからの生成日: 2026-08-21
- AMAT
- Applied Producer Precision Selective Nitride PECVDPECVD / Deposition
- ASM
- PE2O8 / PECVD process solutionsSiC Epitaxy / PECVD
- KLA
- SPTS Sigma / Osprey / Delta deposition systemsDeposition / PVD / PECVD
- Lam
- VECTOR Product FamilyPECVD / Deposition
- Piotech
- Piotech PECVD SeriesDeposition / PECVD
- Plasma-Therm
- VERSALINE / QuaZar / Eclipse deposition systemsDeposition / PECVD / PVD
- Samco
- ALD / Anode PECVD / Cathode PECVD deposition systemsDeposition / ALD / PECVD
- scia Systems
- scia Cube / Cluster 200PECVD / RIE / Cluster Processing
- アルバック
- CVD / PE-CVD systemsCVD / Deposition
出典は各社の公式製品ページです。 装置カタログDB では、同じ製品familyを工程・メーカー横断で検索できます。
関連するデータ・ツール
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よくある質問（FAQ）
Section titled “よくある質問（FAQ）”PECVDとは何ですか？
PECVD（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition、プラズマ支援CVD）は、プラズマで原料ガスを分解して反応を促進することにより、低い基板温度で薄膜を作るCVDの一種です。Oxford Instruments Plasma Technologyの公式技術ページは、PECVDを多様な膜種の成膜に使われる確立した手法として挙げています。
PECVDと熱CVDの違いは何ですか？
反応を進めるエネルギーの出どころが異なります。熱CVDは基板の熱で反応させるため基板温度が高くなります。PECVDはプラズマが原料ガスを分解するため、より低い基板温度で成膜できます。既に作り込んだ配線や素子の熱予算に上限がある工程順では、この差が選択を決めます。
PECVDで何を制御しますか？
Oxford Instruments Plasma Technologyの公式技術ページは、同社のPECVD装置が優れた均一性と高い成膜レートを与え、屈折率、応力、電気特性、ウェットエッチレートといった膜特性を制御できると述べています。膜厚だけでなく、これらの膜質パラメータが後工程の歩留まりへ効きます。
PECVDでどんな膜を作りますか？
同じ公式技術ページは、高品質なパッシベーション膜や高密度マスクの形成を用途として挙げています。誘電体膜のパッシベーションが代表的な適用先です。配線工程のあとに絶縁膜を載せる場面でよく使われます。
ICPCVDとPECVDの違いは何ですか？
プラズマの作り方が異なります。Oxford Instruments Plasma Technologyの公式技術ページは、ICPCVD（誘導結合プラズマCVD）がイオンエネルギーとイオン電流密度を独立して制御でき、典型的なプロセス圧力が1から10ミリトールであると述べ、低温かつ低ダメージで高品質な誘電体膜を成膜できると挙げています。
PECVD装置のメーカーはどこですか？
当サイトの装置カタログDBでは、PECVDに一致する製品familyを持つメーカーを公式製品ページ単位で引けます。ラムリサーチ、Applied Materials、ASM、SAMCO、Piotech、Plasma-Therm、scia Systemsなどが該当します。
比較・違いを学ぶ
Section titled “比較・違いを学ぶ”- CVDとPVDの違い（成膜プロセス比較） ── 成膜原理、段差被覆性、成膜温度、代表装置メーカー
- 酸化・成膜工程の全体像 ── 成膜工程が前後の工程とどう並ぶか
この記事の事実は次の一次資料を根拠とし、各URLの到達可否をこちらで実測しています。したがって、リンク先が移動または消滅した場合は、その旨をこのページへ反映します。
- Oxford Instruments Plasma Technology「PECVD」公式技術ページ（2026年8月21日にリンク生存を実測、200）
- Oxford Instruments Plasma Technology「ICPCVD」公式技術ページ（2026年8月21日にリンク生存を実測、200）
- 東京エレクトロン 公式用語集「Chemical Vapor Deposition」（2026年8月21日にリンク生存を実測、200）
- 装置と製造メーカーの行は
intel.equipment_vendor_families（公式製品ページ由来）から生成