EUV（極端紫外線）とは
EUV（Extreme Ultraviolet、極端紫外線）とは波長13.5nmの光です。 ASMLは公式製品ページで、EUVがほぼX線の領域の光でチップを描くと述べています。
より細かいパターンを描くには、より短い波長が要ります。光には回折という性質があり、波長より十分小さな構造は像として分離できません。DUVで使う193nmから13.5nmへ移ることで、分離できる寸法が大きく下がります。ASMLは公式製品ページで、EUVリソグラフィがムーアの法則を前進させ、新しいトランジスタ設計とチップアーキテクチャを支えていると述べています。
波長を下げた代償は大きくなります。13.5nmの光は、あらゆる物質に強く吸収されます。レンズを通そうとしてもガラスの中でほとんど吸収され、向こう側へ届きません。したがって透過ではなく、反射で光を曲げる光学系が要ります。
空気にも吸収されます。光路に空気があればウェーハへ届く前に減衰するため、光源からマスク、光学系、ウェーハまでの経路全体を真空に保つ必要があります。マスクも反射型になり、多層膜で光を反射させる構造を取ります。EUVという1つの選択が、装置の構成をまるごと決めています。
High-NA EUV
Section titled “High-NA EUV”波長を下げきったあと、解像度をさらに上げる手段が開口数です。ASMLは公式製品ページで、EUVリソグラフィの次世代技術がHigh NA（高開口数）と呼ばれること、開口数0.55の新しい光学系が13.5nmのEUV光源を用いてより高いコントラストを与え、わずか8nmの解像度で描画できること、EXEプラットフォームが2025年から2026年の量産を支えることを述べています。
マスク側の検査も専用になります。多層膜の内部にある乱れは表面から見えないため、露光と同じ波長で見るアクティニック検査が要ります。レーザーテックは公式ページで、ACTISシリーズとABICSシリーズを掲載しています。
この用語に対応する装置と製造メーカー
Section titled “この用語に対応する装置と製造メーカー”装置カタログDBから、この用語に一致する製品familyを持つメーカー 2社／2family を引いています。 各行は各社の公式製品ページを出典とします。 DBからの生成日: 2026-08-22
- ASMLジャパン
- TWINSCAN NXE / EXE familyEUV Lithography
- レーザーテック
- ACTIS / ABICS EUV mask inspection familyInspection / Metrology
出典は各社の公式製品ページです。 装置カタログDB では、同じ製品familyを工程・メーカー横断で検索できます。
関連するデータ・ツール
Section titled “関連するデータ・ツール”- 露光（EUV・DUV・NIL）の工程ページ ── 工程分類と、この工程に接続している公開求人
- マスク・レチクル欠陥検査の工程ページ ── EUVマスクの検査
- 装置カタログDB ── 公式製品ページ単位のメーカーと製品family
よくある質問（FAQ）
Section titled “よくある質問（FAQ）”EUVとは何ですか？
EUV（Extreme Ultraviolet、極端紫外線）は波長13.5nmの光です。ASMLは公式製品ページで、EUVリソグラフィが波長わずか13.5nm、ほぼX線の領域の光でチップを描くと述べています。従来のDUVより波長が1桁以上短く、より細かいパターンを分離できます。
なぜ波長を短くするのですか？
分離できるパターンの細かさが波長で決まるためです。光には回折という性質があり、波長より十分小さな構造は像として分離できません。より細かい回路を描くには、より短い波長が要ります。
なぜレンズを使わないのですか？
13.5nmの光はあらゆる物質に強く吸収されるためです。レンズを通そうとしても、ガラスの中でほとんど吸収されて向こう側へ届きません。そこで、透過ではなく反射で光を曲げる反射光学系が使われます。
なぜ真空が要るのですか？
空気にも吸収されるためです。光路に空気があれば、ウェーハへ届く前に減衰します。光源からマスク、光学系、ウェーハまでの経路全体を真空に保つ必要があります。
マスクも反射型ですか？
反射型です。多層膜で光を反射させる構造のため、多層膜の内部にある乱れも欠陥として働きます。レーザーテックは公式ページで、アクティニックEUVパターン付きマスク検査システムのACTISシリーズとEUVマスクブランクス検査のABICSシリーズを掲載しています。
High-NA EUVとは何ですか？
開口数を上げた次世代のEUVです。ASMLは公式製品ページで、High NAが開口数0.55の光学系を用い、より高いコントラストと8nmの解像度で描画できること、EXEプラットフォームが2025年から2026年の量産を支えることを述べています。
比較・違いを学ぶ
Section titled “比較・違いを学ぶ”- EUVリソグラフィ ── EUVの用語を波長から辿る
- High-NA EUVのパターニング課題 ── High-NAの実装課題
この記事の事実は次の一次資料を根拠とし、各URLの到達可否をこちらで実測しています。したがって、リンク先が移動または消滅した場合は、その旨をこのページへ反映します。
- ASML「EUV lithography systems」公式製品ページ（2026年8月22日にリンク生存を実測、200）
- レーザーテック「半導体関連製品」公式ページ（2026年8月22日にリンク生存を実測、200）
- 装置と製造メーカーの行は
intel.equipment_vendor_families（公式製品ページ由来）から生成