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ハイブリッドボンディングとは

ハイブリッドボンディングとは、2つの面の誘電体どうしと金属パッドどうしを、同時に直接接合する方法です。 はんだのバンプを介さずにつなぐため、接続の間隔を大幅に狭められます。

従来、チップどうしをつなぐにははんだのバンプが使われてきました。溶かして固めることで機械的にも電気的にもつながります。ただしはんだは溶けたときに広がるため、隣のバンプと触れないよう一定の間隔を空ける必要があります。バンプの高さのぶん、チップ間の距離も生じます。

ハイブリッドボンディングはバンプを省きます。あらかじめ平坦にした面の上に、誘電体と金属パッドを同じ高さで露出させておき、相手の面と直接密着させます。誘電体どうしが結合して機械的な接合を作り、金属パッドどうしが結合して電気的な接続を作ります。異なる材料を同時に接合するため、ハイブリッドと呼ばれます。

誘電体だけを接合する形はフュージョンボンディングと呼ばれます。EV Groupは公式製品ページで、フュージョンまたはダイレクトウェーハボンディングが各ウェーハ表面の誘電体層を介した恒久的な接続を可能にし、エンジニアド基板や裏面照射型CMOSイメージセンサのような層転写用途に使われると述べています。同社は低温プラズマ活性化システムのEVG 810 LTも掲載しており、接合前の表面処理が工程の一部になります。

バンプ接続とハイブリッドボンディング
はんだバンプ接続上のチップ下のチップ間隔が要る距離溶けて広がるため間隔を詰められないバンプの高さぶん距離が生じる接続本数に上限があるハイブリッドボンディング上のチップ下のチップ誘電体誘電体と金属を同じ高さで直接密着間隔を狭め、本数を増やせる平坦度・清浄度・位置精度が要求される
はんだバンプは溶けて広がるため一定の間隔が要り、高さのぶんチップ間に距離も生じます。ハイブリッドボンディングは誘電体と金属パッドを同じ高さで露出させて直接密着させるため、間隔を狭めて接続本数を増やせます。代わりに平坦度と清浄度、位置精度の要求が厳しくなります。

バンプを省いた代償として、面の状態が結果を決めます。原子レベルで密着させる必要があるため、わずかな粒子や凹凸が空隙となって接合を妨げます。接合前のCMPによる平坦化と、洗浄による清浄化が工程の一部になります。表面の粗さと平坦度はAFMなどで測ります。

バンプが無いぶん、わずかな凹凸がそのまま空隙になる
粒子や凹凸が残っていると上のチップ空隙下のチップわずかな粒子や凹凸が空隙となって接合を妨げる平坦化と洗浄のあとなら上のチップ下のチップ面と面が原子レベルで密着する接合を妨げる空隙が無いバンプを省いた代償として、面の状態が結果を決めるはんだのバンプを介さずにつなぐ方法だからこそ生じる要求だから接合の前が工程になる接合前のCMPによる平坦化洗浄による清浄化どちらもこの方法の工程の一部面の状態は測って確かめる表面の粗さと平坦度はAFMなどで測る
バンプを省く代わりに、面と面を原子レベルで密着させる必要があります。わずかな粒子や凹凸が残ると空隙となって接合を妨げるため、接合前のCMPによる平坦化と洗浄による清浄化が工程の一部になります。

位置合わせも厳しくなります。接続の間隔が狭いほど、許されるずれも小さくなります。Besiは公式製品ページで、Datacon 8800 CHAMEOが優れた光学アライメント技術によって高い実装精度を実現し、高密度な相互接続と3D集積を可能にすると述べています。ASMPTも公式製品ページでハイブリッドボンディングの製品群を掲載しています。

この用語に対応する装置と製造メーカー

Section titled “この用語に対応する装置と製造メーカー”

装置カタログDBから、この用語に一致する製品familyを持つメーカー 5社5family を引いています。 各行は各社の公式製品ページを出典とします。 DBからの生成日: 2026-08-22

出典は各社の公式製品ページです。 装置カタログDB では、同じ製品familyを工程・メーカー横断で検索できます。

ハイブリッドボンディングとは何ですか?

2つの面の誘電体どうしと金属パッドどうしを、同時に直接接合する方法です。はんだのバンプを介さずにつなぐため、接続の間隔を大幅に狭められます。ハイブリッドという名は、誘電体と金属という異なる材料を同時に接合することに由来します。

バンプを使う方法と何が違いますか?

接続の間隔と高さが違います。はんだバンプは溶けて広がるため一定の間隔が要り、バンプの高さのぶん距離も生じます。直接接合ならバンプが無く、間隔を狭めて本数を増やし、距離も縮められます。

フュージョンボンディングとの関係は何ですか?

誘電体だけを接合するのがフュージョン(ダイレクト)ボンディングです。EV Groupは公式製品ページで、フュージョンまたはダイレクトウェーハボンディングが各ウェーハ表面の誘電体層を介した恒久的な接続を可能にし、エンジニアド基板や裏面照射型CMOSイメージセンサのような層転写用途に使われると述べています。金属パッドも同時につなぐとハイブリッドになります。

何が難しいのですか?

表面の平坦さと清浄さ、そして位置合わせの精度です。バンプが無いぶん、面と面が原子レベルで密着する必要があります。わずかな粒子や凹凸が空隙となって接合を妨げます。

どのくらいの精度が要りますか?

Besiは公式製品ページで、優れた光学アライメント技術によって高い実装精度を実現し、高密度な相互接続と3D集積を可能にすると述べています。接続の間隔が狭いほど、ずれの許容量も小さくなります。

ハイブリッドボンディング装置のメーカーはどこですか?

当サイトの装置カタログDBでは、ハイブリッドボンディングに一致する製品familyを持つメーカーを公式製品ページ単位で引けます。Applied Materials(Kinex)、ASMPT(LITHOBOLT G2)、Besi(Datacon 8800 CHAMEO)、SUSS(XBC300 Gen2)、EV Group(GEMINI / BONDSCALE)が該当します。

この記事の事実は次の一次資料を根拠とし、各URLの到達可否をこちらで実測しています。したがって、リンク先が移動または消滅した場合は、その旨をこのページへ反映します。

  • EV Group「Hybrid and Fusion Bonding Systems」公式製品ページ(2026年8月22日にリンク生存を実測、200)
  • Besi「Hybrid Bonding」公式製品ページ(2026年8月22日にリンク生存を実測、200)
  • ASMPT「Hybrid Bonding」公式製品ページ(2026年8月22日にリンク生存を実測)
  • 装置と製造メーカーの行は intel.equipment_vendor_families(公式製品ページ由来)から生成
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